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1.
2.
针对数据中心建筑和火灾特点,对数据中心不同使用功能的防护区进行了划分。对数据中心消火栓、自动喷水灭火、高压细水雾、气体灭火系统分别进行了分析。结合两个数据中心消防系统设计实例,介绍了系统设计要点,并总结了设计时应注意的事项。  相似文献   
3.
4.
利用对称结构实验片制造了单模、连续波工作的1.3μm波长的脊形激光器。该器件阈值电流在25℃下低达125mA。用脊形导引和注入载流子的反导引解释了这些性能。  相似文献   
5.
用液相外延方法研制了InGaAsP/InP异质结双极晶体管(HBT),并研究了其直流特性。该HBT的发射区和集电区材料为InP(禁带宽度为1.35eV),基区材料为InGaAsP(禁带宽度0.95eV)。器件采用台面结构,发射结、集电结面积分别为5.0×10~(-5)cm~2、3.46×10~(-5)cm~2。基区宽度约为0.2μm,基区掺杂浓度为(2~3)×10~(17)/cm~3。在I_c=3~5mA,V_(ce)=5~10V时。共射极电流放大倍数达到30~760。符号表 q 电子电荷ε介电常数 k 玻耳兹曼常数 T 绝对温度β共射极电流放大倍数γ发射极注入效率 A_e 发射结面积 I_(ne) 发射极电子电流 I_(pe) 发射极空穴电流 I_(rb) 基区体内复合电流 I_(gre) 发射结空间电荷区产生-复合电流 I_(sb) 基区表面复合电流 I_(nc) 被集电极收集的电子电流 m_(pb)~* 基区中空穴有效质量 m_(?)~* 发射区电子有效质量 N_(Ab) 基区中受主掺杂浓度 N_(D(?)) 发射区施主掺杂浓度 N_(D(?)) 集电区施主掺杂浓度 W_b 基区宽度 L_(ab) 基区中电子扩散长度μ_(ab) 基区中电子迁移率τ_(ab) 基区中电子寿命 V_(no) 从发射区注入到基区电子的平均速度 V_(p(?)) 从基区注入到发射区空穴的平均速度△E_g 发射区与基区的禁带宽度差△E_c 异质结交界面导带不连续量△E_v 异质结交界面价带不连续量。且有:△E_c+△E_v=△E_g A_(?) 基区表面有效复合面积  相似文献   
6.
7.
供水管网管理决策支持系统采用先进的计算机技术、网络技术、通信技术、地理信息技术及决策支持技术,以Visual Basic 6.0为开发平台,与SQL Server、MapInfo、Matlab等的高度集成,能实现策管理的各项主要功能,如:检索查询、统计分析、地图浏览及编辑、用水量预测、管网宏观模拟、管网优化调度、水力水质数据可视化、事故处理、信息发布、系统管理及联机帮助等.  相似文献   
8.
研究了电流密度、溶液浓度对不同尺寸镁合金MB8微弧氧化陶瓷层厚度的影响。研究表明,较大面积镁合金试样的陶瓷膜厚度及粗糙度,随电流密度的变化趋势,与小试样一致,但变化幅度较小;本实验条件下,最佳电流密度应控制在2 A/dm2左右;在相同浓度下,大面积使用镁合金试样得到的陶瓷膜层较薄,应增大为原来的2~3倍。  相似文献   
9.
波长1.5~1.6μm的GaInAsP/InP隐埋异质结构分布布拉格反射器集成双波导(BH-DBR-ITG)激光器直到12℃均可获得低阈值电流CW工作。在25°温度范围内获得了单波长工作。激射波长与温度的关系为0.10nm/deg。在248K,阈值电流、微分量子效率和最大输出功率分别为37mA、16.3%/端面和6mW。  相似文献   
10.
采用MOCVD技术在φ40mmGaAs衬底上研制成大功率GaAs/GaAlAs单量子阱激光器。该激光器激射波长为830~870nm,室温CW阈值电流密度小于350A/cm~2,最低值为310A/cm~2,输出光功率大于200mW/(单面,未镀膜)。  相似文献   
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