尺寸链分析计算的技巧

本文在尺寸链基本理论及计算公式的基础上,介绍尺寸链分析与计算的简便实用方法.     

LED绝缘铝基板的制备与散热性能研究

采用硬质阳极氧化工艺制备LED封装用铝基板绝缘层,通过实验分析了制备铝基板过程中氧化时间、草酸浓度、硫酸浓度和电流密度等因素对其氧化膜厚度、击穿电压的影响,得到了制备低热阻铝基板的最佳工艺参数:电流密度3A/dm2,草酸浓度为10g/L,H2SO4浓度150g/L,氧化时间45min。利用原子力显微镜(AFM)观察热冲击后裂纹萌生的情况,结果表明铝基板有微小裂纹,但仍满足绝缘要求,通过对氧化铝膜热阻的测试发现,铝基板与氧化膜的复合热阻在1～3℃/W之间。结果表明用阳极氧化法制备的铝氧化膜满足LED基板对散热及绝缘性的要求。     

电脑厂商能否安然度过三年之痒

今年,对于中国电脑行业的企业来说,又可谓是一个变数之年.面临三年一次的中国名牌产品的复评,以前评上的和即将要分一杯羹的或许都喜忧参半.喜来自于对于新一轮评价可能给自己带来的更多机遇,忧的是在与众多老大哥和新生力量的竞争中,自己可能面临被淘汰出局的命运,而这一切才刚刚拉开序幕.     

FJ114微机控制定尺飞锯系统定尺精度分析

阐述了FJ114数控飞锯的工作原理，分析了产生焊管定尺误差的主要因素，并给出了提高焊管定尺精度的措施．     

MoO3 as a cathode buffer layer for enhancing the efficiency in white organic light-emitting diodes

Molybdenum trioxide(MoO 3)as a cathode buffer layer is inserted between LiF and Al to improve the efficiency of white organic light-emitting diodes(OLEDs)in this paper.By changing the MoO 3 thickness,a higher current efficiency of 5.79 cd/A is obtained at a current density of 160 mA/cm2 for the device with a 0.8 nm-thick MoO 3 layer as the cathode buffer layer,which is approximately two times greater than that of the device without MoO 3.The mechanism for improving the device efficiency is discussed.Moreover,at a voltage of 13 V,the device with a 0.8 nm-thick MoO 3 layer achieves a higher luminance of 22370 cd/m2,and the Commission Internationale de I,Eclairage(CIE)color coordinate of the device with 1 nm-thick MoO 3 layer is(0.33,0.34),which shows the best color purity.Simple electron-only devices are tested to confirm the impact of the MoO 3 layer on the carrier injection.     

风电叶片用真空灌注型环氧树脂及其复合材料性能研究

本文针对两种自制的风电叶片用真空灌注型环氧树脂体系EP-1和EP-2,研究了树脂的工艺性和力学性能,并选取单轴向和三轴向玻璃纤维织物,采用真空灌注工艺制备了复合材料层板,考察了复合材料在室温和高低温下的力学性能。结果表明,EP-2体系浸润性、流动性和韧性更好,但强度、模量和耐热温度略低;常温及-45℃下两种树脂基复合材料的力学性能相近,纤维/树脂界面粘结较强;50℃环境下,复合材料的压缩强度降低,受玻璃化转变温度偏低的影响,EP-2复合材料压缩性能降低更为明显;两种环氧树脂的工艺性和力学性能优异,与纤维匹配性好,满足风电叶片对树脂的性能要求。     

GaN基LED电流加速失效机理分析

自行封装了一体化大功率白光GaN基发光二极管(LED),将LED芯片直接封装到铝板上。在室温1A下进行电流加速老化实验,通过对老化前后不同时间段器件的电学、光通量和光谱特性进行测量来分析器件的失效机理,主要分析器件的芯片和荧光粉的失效机理。器件老化前后的电学特性表明,老化过程中,器件的串联电阻和低正向偏压下的热电子发射电流增大;光通量曲线表明,LED所加驱动电压低时,多数载流子的迁移率低,复合效率高,所以在低电流测试下LED的衰减慢;光谱曲线和色温曲线表明,在老化初始阶段,荧光粉的退化很快,一段时间后蓝光芯片衰减占主导。     

中外联姻,胜算各几成?

据信息产业部的相关数据显示,目前国产手机库存率已与当初彩电大战时彩电企业的库存相当.最新的数字显示,今年国内37家手机厂商的计划年产量累计1 7亿台(包括出口),而全年手机市场需求量仅8万到1亿台.面对过剩的产能,中国手机厂商不得不谋求新的生存之路,来改变现状的尴尬.     

一体化封装LED结温测量与发光特性研究

基于一体化封装基板,制备了大功率白光LED。以低热阻的一体化封装基板为基础,设计了结温测量系统。利用光谱仪测得不同结温下LED的光电参数,并对其机理进行了分析。在工作电流为0.34A,所研究温度范围为10.8～114.9℃。实验结果表明,一体化封装的LED结温与正向电压、光通量、光效和色温有着良好的线性关系;结温的变化对主波长及色坐标影响甚微;结温的上升导致蓝光段强度下降且光谱发生红移,黄光段强度上升且光谱发生宽化,峰值波长由450nm转为550nm。