有机材料MEH-PPV对白光LED光谱特性的影响

分别将质量分数为5、10、15和20%的有机材料MEH-PPV混合加入YAG荧光粉中,观察发光二极管(LED)显色指数的变化。实验结果表明,MEH-PPV在450～550nm区域吸光度逐渐增强,可吸收黄绿光,在615nm附近辐射出较强红光,补充了传统蓝光LED芯片激发YAG荧光粉中缺失的红光成分,使发射带延伸至700nm;当MEH-PPV混合质量分数为15%时,制备的白光LED的显色指数最高,可达到92。随着质量分数从15%持续增加到20%,器件的显色指数开始降低,这是因为LED芯片发出的能量能够激发有机材料MEH-PPV的同时,使MEH-PPV对荧光粉发出的绿光区域有较强吸收,因此存在一个最佳色比使器件的性能达到最佳。     

MoO3 as a cathode buffer layer for enhancing the efficiency in white organic light-emitting diodes

Molybdenum trioxide(MoO 3)as a cathode buffer layer is inserted between LiF and Al to improve the efficiency of white organic light-emitting diodes(OLEDs)in this paper.By changing the MoO 3 thickness,a higher current efficiency of 5.79 cd/A is obtained at a current density of 160 mA/cm2 for the device with a 0.8 nm-thick MoO 3 layer as the cathode buffer layer,which is approximately two times greater than that of the device without MoO 3.The mechanism for improving the device efficiency is discussed.Moreover,at a voltage of 13 V,the device with a 0.8 nm-thick MoO 3 layer achieves a higher luminance of 22370 cd/m2,and the Commission Internationale de I,Eclairage(CIE)color coordinate of the device with 1 nm-thick MoO 3 layer is(0.33,0.34),which shows the best color purity.Simple electron-only devices are tested to confirm the impact of the MoO 3 layer on the carrier injection.     

LED绝缘铝基板的制备与散热性能研究

采用硬质阳极氧化工艺制备LED封装用铝基板绝缘层,通过实验分析了制备铝基板过程中氧化时间、草酸浓度、硫酸浓度和电流密度等因素对其氧化膜厚度、击穿电压的影响,得到了制备低热阻铝基板的最佳工艺参数:电流密度3A/dm2,草酸浓度为10g/L,H2SO4浓度150g/L,氧化时间45min。利用原子力显微镜(AFM)观察热冲击后裂纹萌生的情况,结果表明铝基板有微小裂纹,但仍满足绝缘要求,通过对氧化铝膜热阻的测试发现,铝基板与氧化膜的复合热阻在1～3℃/W之间。结果表明用阳极氧化法制备的铝氧化膜满足LED基板对散热及绝缘性的要求。     

结温对高显指低色温白光LED光谱特性的影响

将MEH-PPV混合入YAG荧光粉中,并利用实验室自主研发的一种集成封装LED散热支架替代传统支架,该支架可利用热电偶直接测量出结温。研究了结温对混合MEH-PPV的白光LED光谱特性的影响。实验表明,随着结温的不断升高,蓝光光谱峰值随着结温的升高而不断下降,发生红移;荧光粉的吸收增强,黄光波段和红光波段的光谱峰值先增后减,并且红光波段的光谱发生蓝移;器件的显色指数从90.3下降至78.6,色温从3265K先快速升高至3672K,随后又缓慢下降至3612K,而光通量和发光效率则表现为先上升后下降,且它们的下降趋势基本吻合。     

GaN基LED电流加速失效机理分析

自行封装了一体化大功率白光GaN基发光二极管(LED),将LED芯片直接封装到铝板上。在室温1A下进行电流加速老化实验,通过对老化前后不同时间段器件的电学、光通量和光谱特性进行测量来分析器件的失效机理,主要分析器件的芯片和荧光粉的失效机理。器件老化前后的电学特性表明,老化过程中,器件的串联电阻和低正向偏压下的热电子发射电流增大;光通量曲线表明,LED所加驱动电压低时,多数载流子的迁移率低,复合效率高,所以在低电流测试下LED的衰减慢;光谱曲线和色温曲线表明,在老化初始阶段,荧光粉的退化很快,一段时间后蓝光芯片衰减占主导。     

大电流冲击下MEH-PPV对白光LED发光特性的影响

针对用蓝光芯片激发YAG黄色荧光粉实现白光LED的光谱中缺少红色波段成份导致的显色性较差,通过在YAG荧光粉中混合质量分数分别为1%、3%、5%和10%的有机红光材料MEH-PPV,以提高白光LED的显色指数。将制备的白光LED加700mA冲击电流,通过对冲击前后光谱变化的分析结果发现,在大电流冲击下,由于散热不完善,PN结的热阻非常大,导致LED芯片快速老化,并且使有机材料MEH-PPV分解而大量失效;但是对比冲击前后黄光波段的光谱几乎没有变化。这表明,虽然MEH-PPV可以提高器件的显色指数,但是稳定性远不如YAG荧光粉。     

多层氧化物复合阴极透明OLED器件

制备了一种采用多层氧化物复合阴极的透明OLED,器件结构为:ITO/MoO3(10nm)/NPB(60nm)/Alq3(65nm)/Al(1nm)/MoO3(1nm)/Al(Xnm)/MoO3(30nm)。所采用的复合阴极结构为MoO3/Al/MoO3(MAM),同时在复合阴极(MAM)与电子传输层(Alq3)中间插入一层厚度为1nm的Al中间层,该薄Al层一方面提高了电极与有机层间界面的平整度,同时增强了电极的导电性;另一方面,在电子传输层与中间层Al薄膜之间形成了良好的欧姆接触,提高了电子的注入能力。改变MAM结构中Al的厚度,获得该透明OLEDs的最佳性能,在Al的厚度为18nm时器件亮度最高,为2 297cd/cm2。     

高饱和度蓝色磷光有机发光器件

使用典型天蓝色磷光材料FIrpic作为磷光金属微腔有机发光器件（OLED）的发光层,以高反射的Al膜作为阴极顶电极和半透明的Al膜作为阳极底电极,采用空穴和电子注入层MoO3和LiF,制备了结构glass／Al（15nm）／MoO3（znm）／NPD（40nm）／mCP：Flrpic（30Ftm,7％）／BCP（20n...