首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1570085篇
  免费   34992篇
  国内免费   10811篇
电工技术   39633篇
技术理论   11篇
综合类   12714篇
化学工业   279308篇
金属工艺   69244篇
机械仪表   47995篇
建筑科学   53039篇
矿业工程   14397篇
能源动力   52987篇
轻工业   113497篇
水利工程   16512篇
石油天然气   42668篇
武器工业   822篇
无线电   207546篇
一般工业技术   291742篇
冶金工业   156927篇
原子能技术   35171篇
自动化技术   181675篇
  2021年   18976篇
  2020年   14602篇
  2019年   16862篇
  2018年   18242篇
  2017年   17951篇
  2016年   23899篇
  2015年   20984篇
  2014年   33290篇
  2013年   93574篇
  2012年   40903篇
  2011年   53651篇
  2010年   48153篇
  2009年   56513篇
  2008年   49746篇
  2007年   46443篇
  2006年   49584篇
  2005年   43899篇
  2004年   44176篇
  2003年   43658篇
  2002年   42592篇
  2001年   39038篇
  2000年   37704篇
  1999年   37043篇
  1998年   43030篇
  1997年   39046篇
  1996年   35803篇
  1995年   31596篇
  1994年   28919篇
  1993年   28458篇
  1992年   26277篇
  1991年   23244篇
  1990年   23520篇
  1989年   22464篇
  1988年   20913篇
  1987年   19105篇
  1986年   18456篇
  1985年   21784篇
  1984年   21991篇
  1983年   19927篇
  1982年   19004篇
  1981年   19058篇
  1980年   17703篇
  1979年   18209篇
  1978年   17514篇
  1977年   17228篇
  1976年   18073篇
  1975年   15807篇
  1974年   15290篇
  1973年   15386篇
  1972年   12953篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
Due to the demand of miniaturization and integration for ceramic capacitors in electronic components market, TiO2-based ceramics with colossal permittivity has become a research hotspot in recent years. In this work, we report that Ag+/Nb5+ co-doped (Ag1/4Nb3/4)xTi1−xO2 (ANTOx) ceramics with colossal permittivity over a wide frequency and temperature range were successfully prepared by a traditional solid–state method. Notably, compositions of ANTO0.005 and ANTO0.01 respectively exhibit both low dielectric loss (0.040 and 0.050 at 1 kHz), high dielectric permittivity (9.2 × 103 and 1.6 × 104 at 1 kHz), and good thermal stability, which satisfy the requirements for the temperature range of application of X9R and X8R ceramic capacitors, respectively. The origin of the dielectric behavior was attributed to five dielectric relaxation phenomena, i.e., localized carriers' hopping, electron–pinned defect–dipoles, interfacial polarization, and oxygen vacancies ionization and diffusion, as suggested by dielectric temperature spectra and valence state analysis via XPS; wherein, electron-pinned defect–dipoles and internal barrier layer capacitance are believed to be the main causes for the giant dielectric permittivity in ANTOx ceramics.  相似文献   
2.
Multimedia Tools and Applications - Remote Sensing categorical signature classification has gained significant implications on spatial resolution image analysis due to differences in the...  相似文献   
3.
4.
Journal of Materials Science -  相似文献   
5.
6.
Grachev  A. I. 《Semiconductors》2022,56(2):67-70
Semiconductors - In this work, we discuss for the first time the principle of rotation in the constant electric field of a conducting particle with participation of the Lorentz force, which ensures...  相似文献   
7.
Journal of Communications Technology and Electronics - A quantitative comparison of the spectral characteristics of the human visual system and matrix photodetectors is carried out. Criteria for a...  相似文献   
8.
Koroteev  A. S. 《Atomic Energy》2021,130(4):202-208
Atomic Energy - The history and direction of further development of space nuclear energetics are examined. The functional diagram and principle of operation of a promising, powerful,...  相似文献   
9.
Wireless Personal Communications - Chronic kidney disease (CKD) is a gradual loss of kidney function over the period of time and it is irrevocable once functionality reaches the critical state....  相似文献   
10.
Xiao  Zhu  Chen  Yanxun  Jiang  Hongbo  Hu  Zhenzhen  Lui  John C. S.  Min  Geyong  Dustdar  Schahram 《Wireless Networks》2022,28(7):3305-3322
Wireless Networks - Unmanned aerial vehicles (UAV) have been widely used in various fields because of their high mobility and portability. At the same time, due to the rapid development of...  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号