添加15％Mo对反应熔渗Al制备MoSi2复合材料组织和力学性能的影响

采用在常规模压生坯中浸渗Al的方法,研究了MoSi2+Mo反应熔渗Al后的显微组织和力学性能的变化情况.研究表明MoSi2坯体在1350℃反应浸渗Al可使抗弯强度高达737 MPa,其断裂韧性也可达到4.3 MPa·m1/2,远远高于热压单相材料;然而其相成分中存在残余的Si相和Al相将会阻碍其高温应用;在MoSi2坯体中加入Mo粉可以消除残余硅相;经过计算,当Mo添加量为15%(质量分数,下同)时,可以完全消除Si相,并使Al相达到最低,而其强度并不降低.同时SEM观察表明,添加15%Mo后其断口显示晶粒间絮状夹层变成颗粒状黑色相面积较未加入Mo粉时减小.从而进一步证实添加15%Mo产生的组织变化将有利于该材料的高温力学性能.     

基于Android的Java程序设计移动学习平台

以"Java程序设计"作为改革示范课程,研究构建移动学习平台的关键技术,设计一个基于Android的移动学习平台。文章详细介绍了这一学习平台:该平台应用了移动互联、Web应用、C/S模式结构、三层框架等信息技术,旨在为学习者构建一种全新的学习方式;平台学习内容的交互式设计采用了主页推送模式、练习与测试模式、论坛互动模式和活动发布模式,学生借助平台不仅可以获取最新Java资讯,还能够进行Java知识的随堂练习、课后复习、技术沟通和知识共享,从而为传统课堂教学提供互补。     

X80高钢级管线钢组织与力学性能

在所选用的4种X80高钢级管线钢中,经过夏比冲击试验、拉伸试验和屈强比计算,发现其力学性能与其组织有很好的对应性.研究结果表明,针状铁素体和细小弥散的贝氏体相结合的组织是X80钢的理想组织形貌,该组织可以使得材料的强度达到最高,而屈强比接近于0.85,从而达到强韧性的很好匹配.该组织的强韧性原理类似于短纤维和颗粒增强复合材料.     

一种制备纳米复合镀层的新方法

研究了一种制备纳米复合镀层的新方法--在直流电镀过程中对电镀液施加强磁场以代替机械搅拌来制备Ni/Al2O3纳米复合镀层,考察了镀层的结构,并对镀层性能进行了研究.结果表明,在强磁场下可以制得纳米复合镀层;与未加磁场的纯镍镀层相比,施加磁场后镀层的晶体结构发生了择优取向;当磁场强度为8T时,复合镀层的磨损率仅为纯镍镀层的25%,其耐蚀性与Q235钢相比提高56.3%,与纯镍镀层相比提高46.8%.强磁场对电镀液起到较好的搅拌作用,通过影响镀层中纳米微粒的含量,使镀层结构发生变化,进而影响镀层的性能.     

反应熔渗法制备Mo(Si,Al)2-SiC复合材料的研究

通过尝试对MoSi2+C坯体中熔融渗Al制备了Mo(Si,Al)2-SiC复合材料,并对其组织及性能进行了研究.反应熔渗Al法制备Mo(Si,Al)2-SiC复合材料中,反应生成物主要为Mo(Si1-x,Alx)2和SiC相,还有少量Mo5Si3C和Al相.随着x值的增加,Mo5Si3C相和Al相逐渐减少,并消失.其组织为片状Mo(Si,Al)2组织间隙中分布着针尖状SiC颗粒;从断口形貌看,SiC颗粒非常细小,团聚在大的Mo(Si,Al)2颗粒周围.根据断口形貌,部分形成的SiC为晶须状,当x=0.4时,形成的SiC多为晶须状,并且形成的晶须状的SiC和Mo(Si,Al)2连成片.反应熔渗Al法制备复合材料抗弯强度是随着x值先增加后降低,在设计值x=0.237时取得最高值.     

无压反应烧结Mo（Si，Al）2-SiC复合材料的研究

利用MoSi2，Al，C之间的原位反应无压烧结制备了Mo（Si1-x，Alx）2-SiC复合材料。随着烧结温度从1400℃升高到1650℃，MoSi2相消失，反应产物为Mo（Si，Al）2和SiC及Mo5Si3C相。由于固溶体及Nowotny（Mo5Si3C）相的形成，使得原位反应中化学计量法则变得困难。原位生成的SiC相随着温度的升高由颗粒状变为晶须状，并由于它的强韧化作用使得复相材料的性能较单相材料成倍提高。     

烧结法制MgO-SiO2-Al2O3-B2O3-KF玻璃陶瓷成分设计优化及显微析晶研究

通过烧结与水淬相结合的方法制备并系统探讨了MgO- SiO2-Al2O3-B2O3-KF玻璃陶瓷的显微析晶.研究表明:MgO-SiO2-Al2O3-B2O3-KF玻璃陶瓷的烧结收缩率与玻璃化及组分的析晶程度相关;析晶程度愈高,烧结坯愈致密;试样中成分配比愈接近云母晶体成分的原子比,玻璃陶瓷的显微析晶程度愈高;在烧结温度为1 000℃时,即开始出现析晶,到1 050℃时,析晶程度达到最高,继续提高烧结温度,显微析晶又发生重熔.     

沉淀法制备羟基磷灰石的工艺因素研究

研究了沉淀法制备羟基磷灰石（HAP）工艺中原料、陈化时间、pH值、Ca／P比及温度等因素对HAP纯度的影响．试验结果表明：反应溶液陈化时间要达到10～22h;当煅烧温度在900～1000℃之间时,可得到结晶程度较好的HAP粉体;反应时溶液的pH值应在10～12之间;制备HAP粉末时,Ca／P比为1．67时比1．00时所制的HAP粉末纯度高．     

烧结法制MgO-SiO_2-Al_2O_3-B_2O_3-KF玻璃陶瓷成分设计优化及显微析晶研究

通过烧结与水淬相结合的方法制备并系统探讨了MgO-SiO2-Al2O3-B2O3-KF玻璃陶瓷的显微析晶.研究表明：MgO-SiO2-Al2O3-B2O3-KF玻璃陶瓷的烧结收缩率与玻璃化及组分的析晶程度相关;析晶程度愈高,烧结坯愈致密;试样中成分配比愈接近云母晶体成分的原子比,玻璃陶瓷的显微析晶程度愈高;在烧结温度为1 000℃时,即开始出现析晶,到1 050℃时,析晶程度达到最高,继续提高烧结温度,显微析晶又发生重熔.     

煅烧温度对沉淀法制备羟基磷灰石纯度的影响

利用沉淀法制备羟基磷灰石（HAP）,对影响HAP的工艺因素——煅烧温度进行了分析研究．试验结果表明,随着煅烧温度的提高,有利于获得纯度较高的HAP;但煅烧温度达到1000℃时,红外图谱中3640cm-1左右的OH吸收峰变弱,HAP产物分解;当Ca／P比为1．67时,有利于获得高纯度的HAP．