Mg在GaP材料中掺杂行为的SIMS分析

Mg of Gap doping characteristics in MOCVD have been studied by using SIMS (Secondary Ion Mass Spectrometry) measurement. The experimental results show that the Mg incorporation is considered to be limited by Mg revaporization from the growth surface under the higher temperature and the Mg electrical activity decreases with increasing cP2Mg flowrate. The activation energy of Mg in GaP is also respectively obtained.     

红外发光显微镜及其在集成电路失效分析中的应用

随着超大规模集成电路的发展,半导体芯片中元器件的特征尺寸越来越小,已经进入了深亚微米时代.近几年新发展起来的红外发光显微镜技术,能利用集成电路(IC)器件中大多数缺陷都呈现微弱红外发光的现象,迅速准确地定位失效点,成为对IC进行失效缺陷定位的有力工具.本文介绍了半导体的发光机理,红外发光显微镜的基本结构、主要部件及技术特点.通过对两个IC失效样品的分析实例,介绍红外发光显微镜及其补充技术--激光束诱导电阻率变化测试技术在IC失效分析中的具体应用.     

二次离子质谱无标样定量分析方法的探索

Conventional quantitative analysis of SIMS is based on the calibration with standards. In this paper, some impurities in Aluminum bulk material were quantitatively analyzed using natural abundance of the isotope and known relative secondary ion yield of the elements. The analysis results are compared with the results of other quantitative analysis techniques, such as atomic emission spectrometer and glow discharge mass spectrometer(GDMS).     

离子质谱及其应用(续)

6 应用(1)离子质谱仪可以分析包括氢在内的所有元素.在机械制造工艺中,氢的含量和分布对器件性能的影响很大.因为氢是所有元素中质量最轻、原子半径最小的一个,很容易固溶于金属中,集中在位错等缺陷的周围,降低了金属的强度,最终导致金属的断裂.所以掌握和了解氢在金属中的具体分布,将有助于金属加工工艺的改进,提高产品的质量.     

由版图引起的CMOS ESD保护电路失效的分析

ESD保护电路已经成为CMOS集成电路不可或缺的组成部分,在当前CMOS IC特征尺寸进入深亚微米时代后,如何避免由ESD应力导致的保护电路的击穿已经成为CMOS IC设计过程中一个棘手的问题.光发射显微镜利用了IC芯片失效点所产生的显微红外发光现象可以对失效部位进行定位,结合版图分析以及微分析技术,如扫描电子显微镜SEM、聚焦离子束FIB等的应用可以揭示ESD保护电路的失效原因及其机理.通过对两个击穿失效的CMOS功率ICESD保护电路实际案例的分析和研究,提出了改进ESD保护电路版图设计的途径.     

CMOS器件及其结构缺陷的显微红外发光现象研究

CMOS器件结构依靠其较低的功耗和高集成度而广泛应用于集成电路中,它在正常工作和发生失效时均存在微弱的显微红外发光现象。对CMOS结构的显微红外发光现象产生机制进行了研究和实际观察,将对深入了解CMOS器件中各种红外发光效应和分析其可靠性具有实际意义。     

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子质谱及其应用(续)

6　应用(1)离子质谱仪可以分析包括氢在内的所有元素。在机械制造工艺中 ,氢的含量和分布对器件性能的影响很大。因为氢是所有元素中质量最轻、原子半径最小的一个 ,很容易固溶于金属中 ,集中在位错等缺陷的周围 ,降低了金属的强度 ,最终导致金属的断裂。所以掌握和了解氢在金属中的具体分布 ,将有助于金属加工工艺的改进 ,提高产品的质量。但由于氢是质量最轻的元素 ,原子半径小 ,核外只有一个电子 ,因此 ,很难用俄歇电子能谱 (ＡＥＳ)、Ｘ射线光电子能谱 (ＸＰＳ)等仪器进行样品中氢的分析。图 7是利用配有双聚焦磁质谱计、检测器为电子倍…     

重掺砷硅单晶中痕量硼二次离子质谱定量分析的异常现象

在用二次离子质谱（SIMS）进行重掺砷硅单晶中痕量硼的定量分析时，有时会出现硅片表面局部区域硼浓度非常高，接近10~16 atom/cm³的现象。但是只要把分析区域横向移动几百微米的距离，硼浓度就降到正常范围 ＜1 ×10¹⁴ atom/cm³。按重掺砷硅单晶制备工艺过程，硼在硅单晶中的分布应该是非常均匀的，而且存在这种硼浓度分布的异常硅单晶加工生产的n/n⁺ 外延片并没有出现质量问题。这说明硼浓度分布异常的情况也许是一个假像。本文将探索这一异常情况与硅中所存在的氧的相互关系。