半导体材料少子寿命测试仪的研制开发

少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体材料的一项重要参数，它对半导体器件的性能、太阳能电池的效率都有重要的影响。我们采用微波反射光电导衰减法研制了一台半导体材料少子寿命测试仪，本文将对测试仪的实验装置、测试原理及程序计算进行了较详细的介绍，并与国外同类产品的测试进行比较，结果表明本测试仪测试结果准确、重复性高，适合少子寿命的实验室研究和工业在线测试。     

采用USP-CVD沉积SnO2透明导电膜--F、Sb掺杂及特性研究

以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜。对SnO2∶F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 赘/□左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%。分析了HF和NH4F掺杂的不同点。对在两种最佳工艺条件下沉积的膜的结构、电学性质进行了研究。对SnO2∶Sb薄膜的电学性质进行了研究,用X射线衍射方法分析了在同一温度下,不同Sb掺杂浓度的膜的结构。并对薄膜的透过率、折射率及光学带隙等光学性质进行了分析。     

基于GPRS的公路隧道太阳能照明监测及控制系统

针对电力供应困难、管理不便的公路隧道，采用智能化的太阳能照明监控系统是一种理想的解决方法。文章提出一种嵌入式控制器，设计了一种基于GPRS无线通信数据远程传输的公路隧道太阳能照明远程监控系统，介绍了系统的组成、功能和实现的关键技术。实验结果表明，该系统可以根据车流状况和洞口照度适时调整隧道内照明状况，以满足交通部关于隧道照明的要求，具有较强的应用价值。     

应加强光伏发电培训工作

应加强光伏发电培训工作我国还有１６００万户约８０００万人居住在无电地区；我国已经从石油输出国变为石油进口国；我国因大量燃煤，已成为仅次于美国的世界第二大ＣＯ２排放国．这些都预示着我国的太阳能光伏发电市场将十分巨大．世界银行的ＰＶＭＴＩ计划，拟在２００...     

新的地域并网式太阳能发电系统的电力经济分析与设计

提出一种新的地域并网式太阳能发电系统，即带有电力存储系统的地域并网式太阳能发电系统。从电力的有效利用、经济性的角度对这种新的地域并网式太阳能发电系统进行了研究，提出了系统的设计以及选定电力存储系统存储容量的方法，然后针对不同的条件选择了相应的电力存储系统的容量。     

太阳电池材料的极限参数

本文从能带理论出发,讨论了各种太阳电池材料的光电转换极限参数。依据普遍采用的AMO和AM1.5太阳光谱数据,用电子计算机计算了各种太阳电池材料所能获得的极限光电流密度、极限输出功率密度和极限光电转换效率。最后列表讨论了硅(包括非晶硅)、砷化镓、硫化镉、磷化铟等数种重要光电材料的极限参数。     

SiNx烧穿工艺下硅太阳电池结构研究

介绍了在全国产设备构成的中试线上开展的高效单晶硅太阳电池研究工作,并制备出了最高转换效率达15.7%的单体电池(面积103×103mm2).实验采用PECVD方法制备SiNx减反、钝化薄膜,并采用正背面电极一次金属化烧结技术,同时完成氮化硅薄膜烧穿工艺.实验还研究了PECVD硅烷与氨气流量比对SiNx钝化、光学和保护性质的影响.分析了氮化硅薄膜及简化新工艺与提高太阳电池效率的关系.实验最后采用化学染色法测量了太阳电池的p-n结结深,结果表明该太阳电池的p-n结为0.25 μm的浅结,直接证明了SiNx薄膜对p-n结有良好的保护作用.     

一种适合工业应用的太阳电池参数测试装置

一、前言 关于太阳电池电性能的测试方法,1985年我国已制订国家标准(送审稿)。 为了推广这个标准,必须为太阳电池生产单位提供一种造价低廉、使用维修方便又能满足要求的普及型测试装置,本设计的目的旨在解决这个问题。     

PECVD对硅材料的钝化作用

该文通过实验 ,发现对硅片采用双层钝化体系SiO2 /SiNx 可降低表面复合速度到S <1cm/s;而在采用PECVD钝化的过程中 ,最重要的影响因素是FGA的温度 ,退火温度越低越好 ;最后分析了H原子对硅片钝化的微观机理。     

太阳能光伏发电之未来

2007年中国和世界太阳能光伏发电在技术、产业、市场和资源等方面都取得了新的进展;展望太阳能光伏发电的未来,应当重新审视光伏发电在我国能源结构中的战略地位;建议把支持光伏发电的快速发展和实施大规模应用作为应对当前和今后国际能源涨价的国策.