单晶硅太阳电池纳米减反射膜的研究

报道了用热喷涂工艺制备单晶硅太阳电池纳米减反射膜的研究结果 ,讨论了衬底温度对 Ti Ox 纳米减反射膜结构及折射率的影响 ,优化了热喷涂的工艺条件 ,并研究了 Ti Ox 纳米减反射膜对单体太阳电池效率的贡献。实验证明 ,用热喷涂工艺制备的纳米 Ti Ox 减反射膜可使 1 0 0 mm× 1 0 0 mm单体太阳电池的平均光电转换效率增加 8%～ 9%。     

采用USP-CVD沉积SnO2透明导电膜--F、Sb掺杂及特性研究

以F、Sb掺杂,采用超声雾化喷涂化学气相沉积工艺制备出二氧化锡透明导电膜。对SnO2∶F薄膜的沉积工艺进行了研究,探索出最佳的工艺条件,沉积出方块电阻低达6 赘/□左右的高透过率透明导电薄膜,其可见光平均透过率可以达到85%。分析了HF和NH4F掺杂的不同点。对在两种最佳工艺条件下沉积的膜的结构、电学性质进行了研究。对SnO2∶Sb薄膜的电学性质进行了研究,用X射线衍射方法分析了在同一温度下,不同Sb掺杂浓度的膜的结构。并对薄膜的透过率、折射率及光学带隙等光学性质进行了分析。     

SiNx烧穿工艺下硅太阳电池结构研究

介绍了在全国产设备构成的中试线上开展的高效单晶硅太阳电池研究工作,并制备出了最高转换效率达15.7%的单体电池(面积103×103mm2).实验采用PECVD方法制备SiNx减反、钝化薄膜,并采用正背面电极一次金属化烧结技术,同时完成氮化硅薄膜烧穿工艺.实验还研究了PECVD硅烷与氨气流量比对SiNx钝化、光学和保护性质的影响.分析了氮化硅薄膜及简化新工艺与提高太阳电池效率的关系.实验最后采用化学染色法测量了太阳电池的p-n结结深,结果表明该太阳电池的p-n结为0.25 μm的浅结,直接证明了SiNx薄膜对p-n结有良好的保护作用.     

常压化学汽相沉积TiOx纳米光学薄膜及其用于太阳电池减反射膜的研究

报道了用常压化学汽相沉积（APCVD）工艺制备TiOx纳米光学薄膜的研究结果，讨论了衬底温度对薄膜结构及折射率的影响，实验验证了太阳电池对光学减反射膜的理论要求，优化了工艺条件，制备的TiOx纳米光学薄膜性能稳定，大面积颜色均匀一致。采用该工艺制备的TiOx减反射膜能使单晶硅太阳电池光电转换效率平均增加10％。     

尚德太阳能世博场馆应用

世博太阳能发电项目概况 世博会的主题馆及中国馆是各个展馆中最璀璨的明珠,相关两个展馆的各方面的建造及设计、施工都是最重要的。上海世博园中国馆和主题馆太阳能并网发电项目作为国内最大的BIPV并网项目．在规模和意义上是国内至今最为代表性的光伏发电项目。     

500VA光伏逆变电源的研制

提出了一种500VA光伏逆变电源的设计方案，将光伏控制器和光伏逆变电源有效地结合在一起，并具有欠压、过压、过热、短路保护功能。     

多晶硅太阳电池的氮化硅钝化

全面介绍了等离子增强化学汽相沉积 ( PECVD)纳米氮化硅 ( Si Nx∶ H)光电薄膜的技术发展及现状 ,分析了 PECVD法沉积的 Si Nx∶ H薄膜对多晶硅太阳电池的体钝化和表面钝化机理     

p／i界面的缓变层对大面积（2790cm^2）a—Si：H太阳电池性能影响的研究

报道了在大面积（２７９０ｃｍ２）ｐ－ｉ－ｎ型ａ－Ｓｉ∶Ｈ异质结太阳电池ｐ／ｉ界面之间引入缓变层（ＣＧＬ∶Ｃ，ＣＧＬ∶Ｂ∶Ｃ）对电池性能影响的研究结果。实验发现，带有ＣＧＬ∶Ｃ的ａ－Ｓｉ∶Ｈ太阳电池性能的改善主要来源于开路电压的提高，带有ＣＧＬ∶Ｂ∶Ｃ的ａ－Ｓｉ∶Ｈ太阳电池性能的提高主要来源于填充因子ＦＦ的增加。提出了带有缓变层ａ－Ｓｉ∶Ｈ电池的能带模型，据此分析了ｐ／ｉ结附近载流子的复合动力学过程，从理论上解释了实验中所发现的现象。     

带有缓变层的大面积集成型a－Si：H太阳电池的研制

报道了把缓变层用于大面积（２７９０ｃｍ２）单结集成型ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池板工业化生产的研究工作。分析了它对太阳电池板性能参数Ｖｏｃ、Ｉｓｃ、ＦＦ、η的影响和对提高ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池板转换效率的作用。试验所得电池板的平均开路电压达２５．１Ｖ，平均转换效率达６．２％，分别比同时生产的无级变层电池板的水平提高９．１３％和１６．９８％。试验中最好的电池板开路电压达２５．６Ｖ，转换效率达６．６％。     

非晶半导体发展及应用

论述了非晶半导体及其器件的发展。重点介绍了利用非晶材料制成的太阳电池、场效应管、电荷耦合器件、发光器件、电子开关与光盘、敏感器件如热敏电阻、定位传感器、氢敏二极、辨色器、摄像管、复印鼓等的原理、特征及应用、提示了非晶半导人本定研究领域广阔和发展前景。