不同有机溶剂对壳聚糖膜影响的AFM研究

壳聚糖(Chitosan)，学名叫(1-4)-2-氨基-2-脱氧-β-D-葡萄糖，是经甲壳素部分或全部脱乙酰化制得。它易于化学修饰，分子链上含有大量的-OH和-NH2，可引入负性基团如-COO^-、-SO^3-等等，结构如图1，具有良好的成膜性能。壳聚糖因为含有-NH2，所以和弱酸具有良好的相容性。     

二元掺杂系列La－（Ca，Ba）－Mn－O材料巨磁电阻特性研究

用固相反应法制备了二元掺杂系列La2/3(CaxBa1-x)1/3MnO3(x=0,0.40,0.45,0.55,0.60,1.0)多晶材料;在77K～420K范围内测量了样品的电阻和磁电阻。结果表明,所制备的系列样品电阻率与温度的关系具有明显的双电阻峰结构;在T=77K～350K范围内,样品均有相似的磁电阻行为:在低温区(TTC区域,电阻率、磁电阻都随温度的升高而迅速下降,样品在高温(TC附近及T>TC区域)的这一行为可用双交换(DE)模型与非磁无序来说明。通过掺杂研究发现,掺杂量x为0.55,0.60的2种样品在室温下具有较大的磁电阻,在B=1.2T时分别达到14.5%和19.5%。     

AlGaN/GaN HEMT在N2中高温退火研究

通过N2气氛中对蓝宝石衬底AlGaN／GaN HEMT在200～600℃退火1min和5min的多批实验,研究了在不同温度和时间退火冷却后器件直流参数的变化．对器件欧姆接触和肖特基接触在高温退火前后的特性进行了对比分析．确定出了最有利于高电子迁移率晶体管特性提高的退火温度为500℃．退火时间为5min．该条件退火后高电子迁移率晶体管最大跨导提高8．9%．肖特基栅反向漏电流减小2个数量级．阈值电压绝对值减小．退火后肖特基势垒高度提高．在减小栅泄漏电流的同时对沟道电子也有耗尽作用．这是饱和电流和阈值电压变化的主要原因．采用扫描电子显微镜观察肖特基退火后的形貌，500℃未发现明显变化．600℃有起泡现象．     

变温C-V和传输线模型测量研究AlGaN/GaN HEMT温度特性

通过对异质结材料上制作的肖特基结构变温C-V测量和传输线模型变温测量,研究了蓝宝石衬底AlGaN/GaN异质结高电子迁移率晶体管的直流特性在25～200℃之间的变化,分析了载流子浓度分布、沟道方块电阻、欧姆比接触电阻和缓冲层泄漏电流随温度的变化规律.得出了器件饱和电流随温度升高而下降主要由输运特性退化造成,沟道泄漏电流随温度的变化主要由栅泄漏电流引起的结论.同时,证明了GaN缓冲层漏电不是导致器件退化的主要原因.     

枸杞杆制活性炭对亚甲基蓝的吸附研究

以宁夏农业废弃物枸杞杆为原料,用不同的活化剂分别制备磷酸-活性炭（P-AC）、氢氧化钾-活性炭（K-AC）、磷酸-氢氧化钾-活性炭（P-K-AC）,利用比表面积测试（BET）、X射线衍射（XRD）、红外光谱（FT-IR）、扫描电镜（SEM）解析活性炭的孔结构和表面特性,并探究活性炭对水溶液中亚甲基蓝（MB）的去除效果。研究结果表明：P-K-AC比P-AC、K-AC具有更大的比表面积（1 519.84 m²/g）和总孔体积（0.81 cm³/g）,P-AC、K-AC、P-K-AC的平均孔径分别为5.28、2.58、1.99 nm,P-K-AC以微孔为主,K-AC、P-AC均为介孔。3种活性炭表面均分布着丰富的含氧官能团和大量的无定型碳,为吸附MB提供了活性位点。在25 ℃条件下,将10 mg的P-AC、K-AC、P-K-AC分别加入50 mL质量浓度为100 mg/L的MB溶液中用于吸附MB实验。结果表明：P-K-AC的吸附效果最好,吸附率达到95%、吸附量为480.81 mg/g;其次是K-AC,吸附量为352.26 mg/g;P-AC吸附量最小,为225.01 mg/g。P-AC,K-AC、P-K-AC对MB的吸附过程都符合伪二级动力学模型、颗粒内扩散模型和Langmuir等温吸附模型。     

惠州港荃湾港区煤码头中央控制系统设计与实现

惠州荃湾港煤码头是按照"国内一流,国际先进"的高标准进行设计及建设,是自动化水平要求很高的专业性码头,配备了世界一流的煤炭装修设备及输送系统,所有设备均采用国际先进的控制系统设备,自动化程度高,作业效率高,也是国内少有的设计施工总承包的大型煤炭装卸港口项目。本文从中央控制系统着眼,针对整个控制系统的软硬件方面详细地阐述了如何符合工艺控制系统的作业要求,对设计过程中遇到的重难点亦进行了分析。     

不饱和聚酯树脂室温固化体系研究进展

概述了不饱和聚酯树脂室温固化用氧化还原引发体系中引发剂、促进剂的种类和特点,并介绍了近年来不饱和聚酯树脂室温固化体系及其反应动力学的研究进展,旨在使人们对室温固化体系及其应用有一定的认识和了解。     

精品建筑短期培训

一、精品建筑短期培训 河南省林州市豫北建筑工程技术学校，身居中国著名的建筑之乡，在全国建筑业短期培训非常有名，短期培训教材均达到国家要求，能使初学者及文化程度较低者迅速掌握，已由专业出版社一中国建筑工业出版社和上海科学出版社出版，教材内容简介如下（详细内容见我校网站）：     

fmax为30.8GHz的超薄Al2O3绝缘栅GaN MOS-HEMT器件

报道了一种利用原子层淀积(ALD)生长超薄(3.5nm)Al2O3为栅介质的高性能AlGaN/GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管(MOS-HEMT).新型AlGaN/GaN MOS-HEMT器件栅长1μm,栅宽120μm,栅压为+3.0V时最大饱和输出电流达到720mA/mm,最大跨导达到130mS/mm,开启电压保持在-5.0V,特征频率和最高振荡频率分别为10.1和30.8GHz.     

AlN阻挡层对AlGaN/GaNHEMT器件的影响

利用低压MOCVD技术在蓝宝石衬底上生长了AlGaN/GaN异质结和AlGaN/AlN/GaN异质结二维电子气材料,采用相同器件工艺制造出了AlGaN/GaN HEMT器件和AlGaN/AlN/GaN HEMT器件.通过对两种不同器件的比较和讨论,研究了AlN阻挡层的增加对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响.