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采用RF-PECVD技术,将甲烷(CH4)作为碳的掺杂源沉积P型微晶硅碳薄膜材料,主要讨论P型微晶硅碳材料的结构和性能随CH4掺杂量的变化。采用X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪和傅里叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的结构进行表征。随CH4掺杂量的增加,材料的暗态电导率σd减小,薄膜的晶化程度降低。通过调整CH4的掺杂量得到暗态电导率σd为0.15S/cm和光学带隙Eg大于2.0eV的P型微晶硅碳材料。将其应用到PEN柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池上,得到电池效率为5.87%。 相似文献
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[目的]Brevibacillus brevis W4是从番茄茎中分离得到的1株对灰霉病菌有强烈抑制作用的内生菌.为明确其发酵液抑细菌活性,并探索抑细菌物质的大孔树脂吸附条件.[方法]采用管碟法测定了B.brevis W4发酵液对6种病原细菌的抑制活性.并以金黄色葡萄球菌为指示菌,选用大孔树脂对发酵液中的抑细菌活性物质进行静态吸附条件优化.[结果]B.brevis W4发酵液对供试枯草芽孢杆菌、金黄色葡萄球菌、水稻白叶枯病菌、柑橘溃疡病菌、大白菜软腐病菌、姜青枯假单孢杆菌均有抑制活性,对金黄色葡萄球菌和枯草芽孢杆菌的抑菌圈突出,直径分别为21.7、20.1 mm.大孔树脂AB-8对活性物质的吸附效果最好,其较优的静态吸附条件为上样液pH值为8.0,上样量为树脂质量的15倍,最佳的洗脱液体积分数为40%甲醇.[结论]B.brevis W4发酵液具有抑制细菌作用,对金黄色葡萄球菌和枯草芽孢杆菌的抑制作用最强.AB-8可以作为抑细菌活性成分的吸附树脂. 相似文献
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在室温下,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺,在玻璃衬底上制备出高质量的Ga掺杂ZnO(ZnO:Ga)透明导电膜。研究了薄膜厚度对薄膜的结构、光学及电学特性的影响。制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大。优化反应条件,薄膜的电阻率达到4.69×10-4Ω.cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上。将不同厚度的ZnO:Ga薄膜(350~820 nm)在柔性聚酰亚胺衬底nip非晶硅(a-Si)薄膜太阳电池中,随厚度的增加,电池的填充因子和效率都得到了提高,得到聚酰亚胺衬底效率7.09%的a-Si薄膜太阳电池。 相似文献
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像素探测器一直是高分辨率、高速率粒子跟踪的工作平台。本文以多晶硅/氧化硅(poly-Si/SiOx)钝化接触异质结结构设计了硅像素探测器,为了实现探测器的超快响应,采用Silvaco TCAD对异质结硅像素探测器进行器件仿真,一方面研究了不同衬底厚度对载流子输运和收集的影响,另一方面研究了器件结构设计对异质结像素探测器击穿电压的影响。仿真结果表明:在相同的偏置电压下,较薄的硅衬底可以获得更强的漂移电场,进而提高器件对信号电荷的输运与收集速率,有利于提高探测器的时间响应。较小的保护环-有源区间距有利于提高器件的击穿电压,而在保护环-有源区间距较大的情况下,在有源区边缘设计金属场板结构,也能够有效提高器件的击穿电压,使探测器可以工作在较高电压下,从而提升探测器的响应速率。 相似文献
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由于晶体硅间接带隙的本质,光的吸收系数较低 ,影响了硅基光电探测器的量子效率。倒金字塔结构被证明是能够使得单晶硅片的光吸收效 率接近Yablonovitch limit的有效陷光结构。本论文采用金属催化腐蚀技术在单晶硅上制备具有随机分布的 倒金字塔陷光结构,并将其应用 到PIN光电探测器。结果显示具有倒金字塔结构的黑 硅PIN光电探测器加权平均反射率从20.18%降低至4.77%,探测器的漏电流仅0.9 nA, 光谱响应度达到0.64 A/W,较常规硅探测器提高33%。这些结果表明金属催化腐蚀技 术形成的倒金字塔结果能有效降低器件的表面反射率,从而提高探测器的光谱响应度。 相似文献
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