具有灭鼠活性的蓖麻毒蛋白提取工艺的优化

以脱壳蓖麻籽为原料,在单因素实验的基础上,采用响应面法优化蓖麻粗毒蛋白的提取工艺。选取液料比、pH、浸提时间和硫酸铵饱和度4因素3水平进行中心组合实验。结果表明,蓖麻粗毒蛋白的最佳提取工艺条件为:液料比4.5 mL/g,pH 6.9,浸提时间38 h,硫酸铵饱和度65%。优化后蛋白提取率从2.82%提高到3.69%,SDS-PAGE凝胶电泳显示32 kD和34 kD两条蛋白带。     

大孔树脂静态吸附番茄内生菌Brevibacillus brevis W4抑细菌成分

[目的]Brevibacillus brevis W4是从番茄茎中分离得到的1株对灰霉病菌有强烈抑制作用的内生菌.为明确其发酵液抑细菌活性,并探索抑细菌物质的大孔树脂吸附条件.[方法]采用管碟法测定了B.brevis W4发酵液对6种病原细菌的抑制活性.并以金黄色葡萄球菌为指示菌,选用大孔树脂对发酵液中的抑细菌活性物质进行静态吸附条件优化.[结果]B.brevis W4发酵液对供试枯草芽孢杆菌、金黄色葡萄球菌、水稻白叶枯病菌、柑橘溃疡病菌、大白菜软腐病菌、姜青枯假单孢杆菌均有抑制活性,对金黄色葡萄球菌和枯草芽孢杆菌的抑菌圈突出,直径分别为21.7、20.1 mm.大孔树脂AB-8对活性物质的吸附效果最好,其较优的静态吸附条件为上样液pH值为8.0,上样量为树脂质量的15倍,最佳的洗脱液体积分数为40％甲醇.[结论]B.brevis W4发酵液具有抑制细菌作用,对金黄色葡萄球菌和枯草芽孢杆菌的抑制作用最强.AB-8可以作为抑细菌活性成分的吸附树脂.     

配电网CAD系统中文本标注技术与应用

本文介绍了矢量绘图系统中文本标注技术的原理和方法,结合配电网CAD系统的开发,给出了在VC＋＋开发环境下多行文本标注的具体实现方法.标注文本能和系统图形同步显示,具有矢量性,且编辑时能动态更新.     

P型微晶硅碳的性能研究及其在柔性衬底太阳电池中的应用

采用RF-PECVD技术,将甲烷(CH4)作为碳的掺杂源沉积P型微晶硅碳薄膜材料,主要讨论P型微晶硅碳材料的结构和性能随CH4掺杂量的变化。采用X射线衍射仪(XRD)、Raman光谱仪和傅里叶变换红外吸收光谱仪(FTIR)对薄膜的结构进行表征。随CH4掺杂量的增加,材料的暗态电导率σd减小,薄膜的晶化程度降低。通过调整CH4的掺杂量得到暗态电导率σd为0.15S/cm和光学带隙Eg大于2.0eV的P型微晶硅碳材料。将其应用到PEN柔性衬底非晶硅薄膜太阳电池上,得到电池效率为5.87%。     

基于GIS技术的矿井供电设计与计算系统

本文介绍了基于GIS技术的矿井供电设计与计算系统主要模块的设计和实现。系统利用UML建模,GIS空间数据结构,使用VC开发,ACCESS数据库。把CAD与矿井供电结合,增加了电网参数计算功能,使本系统较好的解决传统的手工绘制供电图纸与计算问题。     

柔性衬底太阳电池陷光结构的研究

讨论了粗糙聚酰亚胺(PI)衬底和具有较高粗糙度的背反射电极对柔性衬底薄膜太阳电池的影响.选择具有天然纹路的PI作为太阳电池的衬底增加光在电池中的光程.采用热辐射加热蒸发方法显著提高铝背反射电极的粗糙度,它是常规方法制备的约4倍.粗糙PI和背反射电极形成的陷光结构使电池的短路电流提高了2mA/cm2,量子响应(QE)短波部分得到提高且最高点红移.经QE和原子力测试表明,电池效率提高的主要原因是粗糙的背反射电极导致面电极ZnO的形貌发生明显变化所致.     

柔性衬底硅薄膜太阳电池中ZGO薄膜的应用

在室温下,采用孪生对靶直流磁控溅射工艺,在玻璃衬底上制备出高质量的Ga掺杂ZnO(ZnO:Ga)透明导电膜。研究了薄膜厚度对薄膜的结构、光学及电学特性的影响。制备的ZnO:Ga是具有六角纤锌矿结构的多晶薄膜,最佳择优取向为(002)方向。随着薄膜厚度的增加,衍射峰明显增强,晶粒增大。优化反应条件,薄膜的电阻率达到4.69×10-4Ω.cm,在可见光范围内平均透过率达到了85%以上。将不同厚度的ZnO:Ga薄膜(350～820 nm)在柔性聚酰亚胺衬底nip非晶硅(a-Si)薄膜太阳电池中,随厚度的增加,电池的填充因子和效率都得到了提高,得到聚酰亚胺衬底效率7.09%的a-Si薄膜太阳电池。     

倒金字塔结构的黑硅PIN光电探测器的研究

由于晶体硅间接带隙的本质,光的吸收系数较低 ,影响了硅基光电探测器的量子效率。倒金字塔结构被证明是能够使得单晶硅片的光吸收效 率接近Yablonovitch limit的有效陷光结构。本论文采用金属催化腐蚀技术在单晶硅上制备具有随机分布的 倒金字塔陷光结构,并将其应用 到PIN光电探测器。结果显示具有倒金字塔结构的黑 硅PIN光电探测器加权平均反射率从20.18%降低至4.77%,探测器的漏电流仅0.9 nA, 光谱响应度达到0.64 A/W,较常规硅探测器提高33%。这些结果表明金属催化腐蚀技 术形成的倒金字塔结果能有效降低器件的表面反射率,从而提高探测器的光谱响应度。     

器件结构设计对异质结像素探测器性能的影响

像素探测器一直是高分辨率、高速率粒子跟踪的工作平台。本文以多晶硅/氧化硅(poly-Si/SiO_x)钝化接触异质结结构设计了硅像素探测器,为了实现探测器的超快响应,采用Silvaco TCAD对异质结硅像素探测器进行器件仿真,一方面研究了不同衬底厚度对载流子输运和收集的影响,另一方面研究了器件结构设计对异质结像素探测器击穿电压的影响。仿真结果表明：在相同的偏置电压下,较薄的硅衬底可以获得更强的漂移电场,进而提高器件对信号电荷的输运与收集速率,有利于提高探测器的时间响应。较小的保护环-有源区间距有利于提高器件的击穿电压,而在保护环-有源区间距较大的情况下,在有源区边缘设计金属场板结构,也能够有效提高器件的击穿电压,使探测器可以工作在较高电压下,从而提升探测器的响应速率。     

30种吗啉化合物对昆虫细胞Spodoptera frugiperda(Sf9)的毒力筛选

[目的]利用Spodoptera frugiperda(Sf9)细胞,测定30种吗啉化合物的毒力,研究化合物对细胞周期的影响。[方法]毒力测定采用MTT法,用流式细胞仪进行细胞周期测定。[结果]30种化合物中有27种化合物对Sf9细胞有抑制效果,其中吗啉丙烯酮类化合物A3、A4、A6的抑制率超过50%,分别为(69.5±1.54)%、(67.9±1.87)%与(53.6±0.98)%。用50μmol/L的化合物A3处理Sf9细胞后,有凋亡小体出现。同时,化合物A3能干扰细胞正常的增殖周期,使部分细胞被阻滞在DNA合成期(S期)。[结论]化合物A3、A4、A6对Sf9细胞有较强的抑制作用,化合物A3可以干扰正常的细胞周期,并引发细胞凋亡。