Al_2O_3粉体与真空电子陶瓷

真空电子器件是电子工业器件中最重要的器件之一,其主要的部件之一是绝缘外壳。外壳的共同要求是真空气密性好、机械强度高、绝缘性能优良等。某些器件(例如真空开关管)还要求真空器件寿命保证20年之久。目前国内外真空开关管绝缘外壳大多采用95%Al_2O_3陶瓷与活性Mo-Mn法封接工艺,产品质量上国内不如国外的,国内产品只应用于低端市场。本人对真空开关管绝缘外壳进行了比较系统的研究分析,提出了我国Al_2O_3粉体和高Al_2O_3陶瓷的不足之处和相应的改进措施。     

金刚石膜在真空电子器件输出窗中的应用

综述了金刚石膜的性能和制备方法，着重介绍丁国内外常用的封接工艺，讨论了该材料在mm波器件中的应用前景。     

日本α－Al_2O_3粉体进展

综述了日本近１０多年来α－Ａｌ２Ｏ３粉体的发展状况。特别介绍了日本对α－Ａｌ２Ｏ３粉体的标准化工作。这对提高电子陶瓷等产品的质量是非常重要的。     

硫酸铵盐制备氧化铝粉体及透明氧化铝陶瓷的微观结构

通过X射线衍射及扫描电镜,对在生产线上硫酸铵盐制得的类球形高纯氧化铝粉体进行了表征,并探讨了粉体表观特征对透明氧化铝陶瓷微观结构的影响.结果表明:在温度超过1 200 ℃时,获得的氧化铝粉体为三方α-Al2O3类球形晶粒,粉体中未发现γ-Al2O3.粉体的比表面积对陶瓷的烧成收缩有重要影响.采用干压成型时,具有适当低的比表面积的粉体制备透明氧化铝陶瓷时,有利于稳定其晶相结构,晶粒尺寸与粉体的比表面积有一定的关系.     

专辑序

材料是现代文明三大支柱之一,新型材料被视为新技术革命的基础和先导。世界各发达国家对新型材料的研究、开发、生产和应用都极为重视。中国也不例外,特别是近年来,在各方面和多个领域都取得非常令人鼓舞的成就。     

纯Mo法Al_2O_3瓷和金属的封接

所谓Mo-Mn法和纯Mo法是通过金属化、镀Ni和其后硬焊而形成的陶瓷和金属气密封接的方法.关于Mo-Mn法Al~2O~3瓷和金属的封接,作者在以前的文章中业已报导。本文所研究的是用含MnO的92%Al~2O~3的圆片,以纯Mo法对可伐另件进行了封接。并研究了封接层的抗张强度和封接件的真空气密性. 用光学显微镜和电子扫描显微镜以及电子探针对封接层进行了检验. 为了解纯Mo法的封接机理,石英玻璃和Mo箔的封接也附带地进行了观察。本文所得的结果如下: (1)当1400-1400℃/60分进行陶瓷金属化时,获得了最高的封接强度和最好的真空气密性。 (2)封接处是按下列顺序的多层所组成:陶瓷-金属化层-镀Ni层-硬焊料层-镀Ni层-可伐。在Mo-Mn法的封接中,看到了陶瓷和金属化层之间的中间层。而在纯Mo法中,则认为是不存在的. (3)在石英玻璃-Mo箔封接中,Mo金属表面层被氧化,如此形成的Mo氧化物扩散到石英玻璃中而形成了过渡层,从而十分有利地降低封接应力和改善粘结 (4)SiO~2-MnO-Al~2O~3系统玻璃相和Ni填充了Mo金属化层的孔隙;前者来自于陶瓷体,而后者来自于镀Ni层。这些物质的浸润和相互扩散得到了强固的和真空气密的封接层。     

MoO_2低温金属化配方及工艺研究

引言在陶瓷—金属封接工艺中,低温金属化是一种理想的金属化方法。由于金属化温度低,因而工艺简便,节约能源,对设备要求低,适应特殊情况下的陶瓷金属化,普遍受到生产单位的欢迎。这些都是高温金属化所不及的。早在一九五四年Pincas就提出了Mo○_3低温金属化工艺。三十年来人们经过不断努力得到很大发展,工艺制度不断完善,在封接强度、气密性上都得到了满意的结果。然而低温金属化目前还不能取代高温金属化,其主要原因不是由于强度和气密性的不     

焊料在电子器件中的应用

综述了目前在电子器中常用焊料的组分和性能，指出了该类焊料存在的问题及其今后的研究、发展方向。     

几种Al2O3陶瓷金属化产品分析报告

本文对世界上两大著名公司生产陶瓷金属化产品连同我国同类产品进行了分析、对比、找出它们各自的特点，评估了其质量水平，我我国进一步提高产品的性能。起到了很好的借鉴作用。