高压偏移栅P沟MOSFET的电离辐照性能研究

详细研究了高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ在Ｃｏ＾６０－γ辐照下击穿电压随辐照剂量的变化关系。结果表明：；击穿电压的辐照剂量响应与漂移区杂质面密度、票移区长度、场板长度以及漏区结构有关。另外，γ辐照志致导通电阻增加。结果证实了我们以前提出的电离辐照引起击穿电压变化的机制。对实验现象给出了比较圆满的解释。结论对研制电离辐射加固高压偏移栅Ｐ沟ＭＯＳＦＥＴ具有重要的指导作用。     

~（60）CO－γ辐照感生Si／SiO_2慢界面态及其对高频C－V测试的影响

研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响．结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３—０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受主型．分析认为慢界面态对应的的微观缺陷很可能是Ｓｉ—Ｏ断键或弱键．慢界面态的产生还引起Ｃ－Ｖ曲线同测试速率、方向和扫描前保持时间有关．文中提出了如何通过高频Ｃ－Ｖ测量比较准确地计算辐照感生氧化物正电荷、界面态和慢界面态密度的方法．     

表面n沟CCD的电离辐射损伤

本文报道了150光敏元表面n沟CCD(电荷耦合器件)在不同能量电子和γ射线辐照后的电离辐射效应。试验结果表明,转移失效率在≤10Gy时已明显增大。但大多数器件在累积剂量≤50Gy时,通过调整“胖零”注入仍可工作。在高剂量辐照期间,不同栅偏压器件的转移效率退化存在较大差异。应用高频和准静态C-V技术分析了参数退化的原因。     

低能γ射线和X射线在几种金属薄膜中产生的次级辐射效应研究

对电子,低能γ射线和Ｘ射线穿透几种不同厚度的Ｆｅ,Ｃｕ和Ｔａ薄膜时所产生的次级电子及次级Ｘ射线进行了实验测量,并对影响次级电子和次级Ｘ射线强度的因素进行了分析。     

PMOS剂量计的长期室温退火

为掌握ＰＭＯＳ剂量计的应用方式并提高其应用精度，研究了ＰＭＯＳ剂量计的辐照剂量记录－阈电压在室温下的长期退火表现。结果表明：氧化物电荷的隧道退火与界面态的后生长效应是造成退火的原因，ＰＭＯＳ剂量计辐照及贮藏偏置是决定其退火方向和程度大小的重要因素。负偏置条件能较好地保持其辐照记录，在正偏置贮存下的退火较大。     

薄栅氮化物的击穿特性

研究了含 N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性。结果表明 :MOS栅介质中引入一定的 N后 ,能提高介质的电荷击穿强度 ,电荷击穿强度受 N2 O退火温度的制约 ;N对薄栅介质的击穿电场强度影响甚微 ,击穿电场受栅偏压极性的制约。用一定模型解释了实验结果     

RADIATION EFFECT ON FLUORINATED SiO2 FILMS

A systematic investigation of γ radiation effects in gate SiO2 as a function of the fluorine ion implantation conditions was performed.It has been found that the generation of interface states and oxide trapped charges in fluorinated MOSFETs depends strongly on implantation conditions.The action of F in oxides is the conjunction of positive and negative effects.A model by forming Si-F bonds to substitute the other strained bonds which easily become charge traps under irradiation and to relax the bond stress on Si/SiO2 interface is used for experimental explanation.     

^6—Co—γ辐照感生Si／SiO2慢界面态及其对高频C—V测试的影响

研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响。结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３－０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受主型。分析认为慢界面态对应的微观缺陷很可能是Ｓｉ－Ｏ断键或弱键。慢界面态的产生还引起Ｃ－Ｖ曲线同测试速率、方向和扫描前保持时间有关。文中提出了如何通过高频Ｃ－Ｖ测量比较准确地计算辐照感生氧化物正电荷、界面态和慢界面态密度的方法。     

含N薄栅介质的电离辐照及退火特性

对含Ｎ薄栅ＭＯＳ电容进行了６０Ｃｏγ辐照和１００℃恒温退火行为的分析研究,结果表明：栅介质中Ｎ的引入,能明显抑制辐射感生Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态的产生,减少初始固定正电荷和界面态,减小辐照后界面陷阱的退火速率．用一定模型解释了实验结果．