a轴铌酸锂晶体的生长

采用直拉法在液上平均温度梯度为20℃/厘米的条件下,从同成分熔体中生长了尺寸为φ35—40×80毫米的a轴铌酸锂单晶.成功地解决了晶体容易开裂和容易产生孪晶等问题.生长的单晶无宏观缺陷,加工性能良好,位错密度为2—5×10~2个/厘米~2,沿生长轴方向的双折射率变化为1.3—1.5×1O~(-5)/厘米.该晶体用于光波导衬底,效果良好.本文叙述了生长该种晶体的工艺以及这些工艺参数的确定依据,着重讨论解决晶体开裂和孪晶等技术问题,并给出了在本试验条件下生长的晶体的电学和光学性能.     

多管下降炉生长Bi4Ge3O12单晶的温场与界面

采用２种不同的炉膛结构设计。温场试验曙场条件同炉膛结构密切相关。克服了各管的温场差异,获得良好的界面热环境。经过多次晶体生长试验,得到了理想的微凸界面,生长出高质量的Ｂｉ４Ｇｅ３Ｏ１２单晶。     

平界面大尺寸Bi_(12)GeO_(20)晶体的生长

从熔体中提拉生长了〔100〕向45×45×190毫米、〔110〕向45×50×200毫米以上的Bi_(12)GeO_(20)晶体,单根晶体重量达3.5公斤以上。平界面晶体的质量最优。本文讨论了用精心调整温场的方法获得200毫米等径长度范围内的平界面生长等问题。     

直径76mm[10·4]铌酸锂单晶的研制

本文报导了直径76mm〔10·4〕铌酸锂单晶的生长及其电声性能,着重论述了生长这种单晶体遇到的关键问题和解决办法。设计了具有“局部温度突变”的温场,解决了晶体易裂和扭曲变形的问题;采用独特的籽晶夹具,避免了晶体脱落的问题。同时还介绍了Si-Mo棒发热体以及讨论了晶体生长中出现孪晶、杂棱的原因和防止的办法。