a轴铌酸锂晶体的生长

采用直拉法在液上平均温度梯度为20℃/厘米的条件下,从同成分熔体中生长了尺寸为φ35—40×80毫米的a轴铌酸锂单晶.成功地解决了晶体容易开裂和容易产生孪晶等问题.生长的单晶无宏观缺陷,加工性能良好,位错密度为2—5×10~2个/厘米~2,沿生长轴方向的双折射率变化为1.3—1.5×1O~(-5)/厘米.该晶体用于光波导衬底,效果良好.本文叙述了生长该种晶体的工艺以及这些工艺参数的确定依据,着重讨论解决晶体开裂和孪晶等技术问题,并给出了在本试验条件下生长的晶体的电学和光学性能.     

平界面大尺寸Bi_(12)GeO_(20)晶体的生长

从熔体中提拉生长了〔100〕向45×45×190毫米、〔110〕向45×50×200毫米以上的Bi_(12)GeO_(20)晶体,单根晶体重量达3.5公斤以上。平界面晶体的质量最优。本文讨论了用精心调整温场的方法获得200毫米等径长度范围内的平界面生长等问题。     

新的耦合棱镜材料——光学锗酸铋晶体

一前言锗酸铋晶体(Bi_(12)GeO_(20),简称BGO),不仅是一种较好的电声材料,也是一种较好的电光材料。因此,BGO晶体不仅应用于微波声学,特别是表面波声学(如制作声表面波长延迟线,脉冲压缩滤波器等),又能应用于光学和量子电子学(如时-空光调制器,高灵敏度读-写体积全息照相储存器。掺杂BGO晶体可以代替KDP制作电光光阀,实现了电视显示。又如在BGO晶体上外延钛酸铋薄膜可作光波导等。目前,国外对BGO晶体的应用正在继续扩大。作为耦合棱镜材料,一般采用金红石(TiO_2)晶体,但由于该晶体     

电声用锗酸铋[100]向单晶的研究

本文叙述了提拉法生长锗酸铋单晶(Bi_(12)GeO_(20),简称BGO)最佳工艺的选择.重点讨论了试验中遇到的温场、晶形控制、“云层”缺陷、加工易碎等技术关键及其解决办法.试验表明,采用小温梯加磁场的炉膛,在合适的拉速、晶体转速、坩埚转速配合下,用国产纯度为99.99%的氧化铋和99.999%的氧化锗作原料,沿[100]方向生长,成功地获得了尺寸为(20—25)×(20—25)×100毫米以上,外形较好、声学、压电性能与国外报导相符、位错密度低、不经退火,加工性能良好,适用于制作声表面波延迟线的BGO晶体.