新颖的双栅高压MOS集成电路

本文分析了高压MOS器件中的负阻效应,描述了负阻击穿机理的物理模型,提出了一种新颖的双栅高压MOS结构,有效地抑制了负阻击穿,从而提高了器件的可靠性.     

采用LDMOS的HVIC的研究

LDMOS (Lateral Double Diffused MOS)是1972年由H.J.Sing等人首先提出来的,是目前所有功率MOS器件的基础.与双根型器件相比,它具有普通MOS器件的优点,如输入     

32位n沟CCD延迟线设计试制总结报告

前言 CCD是电荷耦合器件的简称。它是由美国贝尔电话实验室于1973年提出的。它是一种原理全新的半导体表面器件。由于它制造工艺简单、集成度高、功耗小、成本低等一系列优点,它一问世,就受到了人们普通的重视,获得了迅猛的发展和广泛的应用,显示了它强大的生命力。CCD主要应用于摄象,大容量存贮器和模拟信息处理等领域,在卫星摄象、军事侦察、计算技术、雷达通讯、电视传真等方面获得了越来越广泛简单有成效的应用。     

高压CMOS倒相器

本文介绍一种由高压PMOS器件作负载管和高压NMOS器件作驱动管的高压CMOS倒相器.这种倒相器的输入信号与TTL电平兼容,在50pf的负载下能成功地产生200V、1MH_z的高压脉冲,并能直接驱动等离子显示板或作高压功率开关.     

一种新颖的高可靠电路结构——双栅高压MOS电路

随着功率半导体技术的日益发展,功率半导体器件和电路的应用领域也愈来愈广阔,例如等离子显示,马达驱动、通讯及家用电器等.因此对功率半导体器件的电流要求愈来愈大,对器件的可靠性要求也更高.如何实现大电流的要求,主要方法是增加功率MOS器件的宽长比或重复单元来实现,如何有效地抑制二次击穿,提高器件的可靠性,就是本文作的尝试.我们采用双栅结构制备高压MOS电路获得较满意的结果.一、双栅高压MOS电路特点及工作原理常规的单栅MOS高压电路结构如图1所     

P沟硅栅等平面256位动态随机存贮器设计总结报告

打倒了“四人帮”我国电子工业的发展进入了新时期,特别是电子计算技术的迅猛发展对新型的半导体存储器的研制提出了迫切的要求。为了配合我省微小型计算机的研制,我们结合74届学员的毕业设计,在南京无线电研究所进行了P沟硅等平面256位MOS动态机存储器的设计试制工作。 在设计时我们的指导思想是:（1）尽量利用南厅MOS工艺的已有条件,力争在半年毕业设计时间中完成设计试制工作,以期达到既出产品又出人才的目的;（2）优先考虑电路的稳定性和可靠性,然后争取有较好的其他性能;（3）积累经验,为今后设计研制更先进的沟硅存储器等新产品创造条件。 在设计方案上我们考虑了如下几点:（1）采用P沟栅等平面工艺,因为P沟工艺较成熟,易做出结果,硅栅工艺有利于缩小芯片面积和提高速度,等平面工艺有利于提高成品率;（2）采用器管动态单元、以期提高电路的可靠性和稳定性;降低电路功耗,同时采用了译码器接地管和驱动器自电路,目的亦是为了降低功耗和提高速度。电路概况如下:电路特点:动态器管单元工艺特点:P沟硅栅等平面电路结构:256字×1位芯片面积:2.5mm×2.5mm（包括压焊块） 2mm×2mm（不包括压焊块）电路框见（1.1）芯片中集成了:16×16=256个存储单元x地址反相器 A_0～A_3（共4只）     

SDB／MCT新型功率器件的研究

本文探讨了新型功率器件ＭＣＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的电参数设计和工艺设计，通过计算机模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接键合）材料，在实验室制成了ＮＭＣＴ样品。测试结果表明，在－１２Ｖ的栅偏压下能在５μｓ内关断４２Ａ／ｃｍ＾２的阳极电流。     

低/高压PMOS转换电路

近几年,高压MosFET研究很活跃,随着它在等离子显示,场致发光和其它开关运用的日益广泛,高压Mos集成电路愈来愈重要,目前制造高压MosFET器件一般分成两类:一类是纵向结构的CMos方法,这种结构一个短的有源沟道和一个轻渗杂偏移栅区结合提供高压,可以作出高速,低导通电阻的DMos器件,优点是能与低压器件兼容,缺点是需要外延工艺,这对Mos工艺为优势的地方难度大一些,第二类是横向结构:利用场延伸电极和漏漂移区提高Mos器件的耐压,它的优点是和Mos工艺及CMos逻辑完全兼容。缺点是由于加了轻掺杂的漂移区而使导通电阻比较大。     

电色显示器件及其驱动电路

本文介绍了WO_3电色显示器件的结构、原理和特点,分析了电色显示器件驱动的特点,给出了驱动电色显示器件的实验电路,并对驱动电源、驱动方式和驱动器输出级的结构进行了讨论.