GaAs MESFET中肖特基势垒接触退化机理的研究

本文对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作为栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了四种不同的应力试验：１．高温反偏（ＨＴＲＢ）；２．高压反偏（ＨＲＢ）；３．高温正向大电流（ＨＦＧＣ）；４．高温存贮（ＨＴＳ）．通过ＨＲＢ，ΦＢ从０．６４ｅＶ减少到０．６２ｅＶ，理想因子ｎ略有增大．ＨＴＳ试验中ΦＢ从０．６７ｅＶ增加到０．６９ｅＶ．分析表明，这归因于界面氧化层的消失，以及Ｔｉ与ＧａＡｓ的反应；ＨＦＧＣ试验结果表明其主要的失效模式为烧毁，ＳＥＭ观察中有电徙动及断栅现象发生．ＡＥＳ分析表明。应力试验后的样品，肖特基势垒接触界面模糊     

基于机器视觉的电机转子质量在线检测系统研究

传统的电机转子质量检测主要依赖于人工肉眼检测,其工作强度大、稳定性与精准度等都难以达标,影响了电机检测质量和水平。基于此,借助于现代化的电子科技,研制基于机器视觉的电机转子质量在线检测系统,首先分析了此项目的可行性以及项目实施中的关键技术,然后就该项目的市场现状及其所产生的社会效益进行了探讨。     

n－GaAsTi／Mo／Ti／Au中肖特基势垒接触稳定性的研究

对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作为栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了高温反偏（ＨＴＲＢ）、高压反偏（ＨＲＢ）、高温正向大电流（ＨＦＧＣ）、高温存贮（ＨＴＳ）４种不同的应力试验。通过ＨＲＢ，φｂ从０．６４ｅＶ减少到０．６２ｅＶ，理想因子ｎ略有增大，ＨＴＳ试验中φｂ从０．６７ｅＶ增加到０．６９ｅＶ。分析表明，这归因于界面氧化层的消失，以及Ｔｉ与ＧａＡｓ的反应；ＨＦＧＣ试验结果表明，其主要的失效模式为烧毁，同时，ＳＥＭ观察中也有电徙动及断栅现象发生。ＡＥＳ分析表明，应力试验后的样品，其肖特基势垒接触界面出现模糊，有明显的互扩散和反应发生。     

捻陷,阻捻和假捻概念的统一

本文对传统的捻陷和阻捻概念进行了深入分析，认为捻陷才是真正起阻捻作用的。在此基础上提出可正确评价捻陷和阻捻阻程度的指标系数，阻捻系数和增捻系数，在对假捻的特点进行深入分析的基础上，指出传统的捻陷和阻捻实质上就是假捻，其捻陷和阻捻点是假捻点，产生捻陷和阻捻的阻力矩就是假捻力矩，因此，可用分析假捻的方法分析传统的捻陷和阻捻。从而可简化对各种加捻现象的分析。     

吉林二道甸子金矿南部火山—次火山岩带金矿找矿前景分析

二道甸子金矿南部火山-次火山岩带受断裂构造控制,金成矿与火山-侵入作用有密切关系.通过与黑龙江省近年发现的东安大型金矿床的对比分析,发现二者有很多相类似之处,并认为该火山-次火山岩带具有良好的金矿找矿前景,初步确定半截沟区、暧木区、饲养场区为寻找火山-次火山岩型金矿的优选靶区.     

重掺杂P型Si1-xGex层中少数载流子浓度的低温特性

考虑了重掺杂引起的禁带变窄效应,建立起少数载流子室温和低温模型,并进行了定量的计算。研究发现,p-Si1-xGex中的少子浓度(电子)随x的增加而增加。在重掺杂条件下,常温时,少子浓度随杂质浓度的上升而下降;而低温时,少子浓度却随杂质浓度的上升而上升。     

具有TiN扩散阻挡层的n-GaAs欧姆接触的可靠性

提出了金属 -半导体欧姆接触退化的快速评估方法——温度斜坡快速评价法 ,并建立了自动评估系统 ,用该方法和系统测得的欧姆接触退化激活能 ,和传统方法相比 ,耗时少 ,所需样品少 ,所得结果和传统方法一致 .针对传统 Au Ge Ni/Au欧姆接触系统的缺点 ,提出了加 Ti N扩散阻挡层的新型欧姆接触系统 .实验表明新型欧姆接触系统的可靠性远远优于传统 Au Ge Ni/Au欧姆接触系统 .     

Black方程中电流密度因子及精确测量技术的研究

本文对电迁徒参数电流密度因子ｎ及ｎ值的精确测量技术进行了深入研究。首镒提出了电流密度因子动态电流斜坡测试法。该方法与传统的ＭＴＦ法不同，利用专门设计的实验系统和实验样品，精确控制实验金属条湿，消除了高电流密度条件下焦耳热的影响，提高了ｎ值的测量精度与速度．     

离子交换增强玻璃的若干工艺问题

本文报道了适合于工业生产的化学增强玻璃成分和工艺。系统研究了玻璃成分、工艺和盐浴中添加剂对玻璃的熔制和强度的影响。玻璃的熔制温度不高于1530℃,处理时问仅为1.5小时。玻璃的平均抗折强度可达90公斤/毫米~2,磨伤强度不低于36公斤/毫米~2。 本文还应用电子探针测定了K~+离子浓度分布,并计算了不同交换层厚度的D,确定了K~+=Na~+交换有明显的双碱效应。应用红外光谱探讨了玻璃表面结构,并初步解释了该玻璃表面磨伤敏感程度下降的原因。     

电迁徙参数的电流斜坡动态测试

采用电流斜坡法测试了４种不同金属化样品，其ｎ值分别为：２．２９（Ａｌ－Ｓｉ合金膜），１．２５（Ａｌ－Ｓｉ－Ｃｕ合金膜），１．２８（Ａｌ－Ｓｉ／Ｔｉ双层金属化），１．２３（Ａｌ／ＴｉＷＴｉ／Ａｌ多层金属化）．结果表明，ｎ值与材料有关，电迁徙阻力越高ｎ值越小，与ＢＬＡＣＫ方程相符。同时，考察了不同温度和不同电流上升斜率对ｎ值测量结果的影响，试验表明，在相当宽的温度范围和测试时间内获得的ｎ值一致性很好。