CMOS模拟开关中的闭锁现象及消除方法

本 文描述了CMOS集成电路中的闭锁现象的机理,分析了寄生PnPn可控硅的触发条件.提出了防止CMOS模拟开关电路闭锁的措施,以及本电路的版图设计和工艺设计的原则,从而实现消除闭锁现象的目的.最后介绍了研制中的CMOS模拟开关的抗闭锁性能和电路性能.     

自对准双极晶体管中的低频噪声

报导了用多晶硅做发射极的自对准n-p-n双极晶体管的低频噪声的初步研究情况。其中一些管子显示出一般扩散结晶体管中观察到的1／f规律不同的过量噪声谱。并且发现噪声谱形成S(f)随样品而异。例如，我们在同一芯片上的两个相邻的管子上，就观察到两种不同的形式S(f)－1/f和S(f)－1[1|(f/f0)^2]。我们认为，后者是由于在多晶硅－单晶硅界面处的氧化层势垒中载流于俘获造成的。其不均匀性可以说明噪声谱变化范围很宽的原因。     

Si/SiGe/SiHBT直流特性的可靠性

对单台面SiGeHBT在E-B结反偏应力下直流特性的可靠性进行了研究。研究结果表明,随应力时间的增加,开启电压增加,直流电流增益下降,特别是在低E-B正偏电压时下降明显;而交流电流增益退化缓慢。     

Si／SiGe／Si双异质结晶体管（HBT）物负阻特性

同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中,在高集电极－发射极电压、大电流下,由于热电正反馈,容易发生热击穿,这限制了晶体管的安全工作区域。本文报道了在大电流下,由于热电负反馈,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性,并对这一现象进行了新的解释,认为这是由于大电流下耗散功率增加,基区俄歇复合导致电流增益随温度增加而减小的结果。这一现象有利于改善大电流下双极晶体管的抗烧毁能力,证明Si/SiGe/HBT适于大功率应用。     

DEEMO——一种新的微结构制造技术

干法腐蚀的最新进展使其成为微铸模制造中有发展前途的工艺技术，就像ＤＥＥＭＯ工艺展示的那样，高深宽比，方向自由度，低不平度，高腐蚀速率以及对掩模材料的高选择比，使多用的微铸模制作工艺能进一步电镀和模压。ＤＥＥＭＯ是英文缩写，含意是干法腐蚀、电镀和铸模。     

Si/SiGe/Si双异质结晶体管(HBT)的负阻特性

同质结硅双极晶体管在共射极状态下工作中,在高集电极--发射极电压、大电流下,由于热电正反馈,容易发生热击穿,这限制了晶体管的安全工作区域.本文报道了在大电流下,由于热电负反馈,重掺杂基区Si/SiGe/HBT出现了负阻特性,并对这一现象进行了新的解释,认为这是由于大电流下耗散功率增加,基区俄歇复合导致电流增益随温度增加而减小的结果.这一现象有利于改善大电流下双极晶体管的抗烧毁能力,证明Si/SiGe/HBT适于大功率应用.