氧化锌基薄膜晶体管制备与研究

以玻璃为衬底,利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法,在360℃附近实现ZnO薄膜的生长.利用ZnO为有源层制备底栅型薄膜晶体管.SiO2 被用作栅绝缘材料以有效的抑制漏泄电流的产生,达到氧化锌薄膜晶体管 (ZnO-TFT) 成功运作目的.ZnO-TFT 的电流开关(on/off)比达到104以上.ZnO-TFT 在可见光区平均光透过率大约为80%.以上表明利用ZnO 替代传统 Si 材料作有源层材料制备透明薄膜晶体管是可能的.     

氧化锌薄膜生长与ZnO基薄膜晶体管制备

通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法生长ZnO薄膜.XRD测试显示出(002)晶面的强衍射峰,表明生长的ZnO 薄膜是主度的c轴取向.基于 ZnO 薄膜基础,我们制备了 ZnO 基薄膜晶体管.