发光体MAl2O4:Eu2+,RE3+的长余辉形成机理

提出了Eu^2 激活的MAl2O4:Eu^2 ,RE^3 （M＝Ca,Sr,Ba;RE=Dy,Nd,Ho,Er,Pr,Tb等稀土元素）系列铝酸盐发光体的长余辉发光机理。认为O^2-空位Vo是一种电子俘获陷际，是形成余辉的根本原因，RE^3 的引入使陷阱深度适宜而使余辉时间延长。缺陷在晶格中成簇分布，Vo和碱土金属离子空位VM在高温下可相互缔合。利用电子陷阱模型解释了实验中的一些普遍现象并提出了固相反应法合成此类发光体的工艺改进措施。     

ZnO薄膜的塞贝克效应

采用直流反应磁控溅射方法在玻璃基底上成功地沉积了C轴取向性能良好的ZnO薄膜.本文研究了C轴取向性良好的ZnO薄膜在光学方面的一些性质以及ZnO薄膜的塞贝克效应,并从理论上进行了分析.