p型含氮CZ—Si单晶的退火性质

本文报道了在不同热处理条件下P型含氮CZ-Si单晶材料的退火性质。实验表明:400℃及1100℃温度的退火处理都会在含氮CZ-Si单晶中产生新的施主态。400℃退火时产生的施主态会在高温(T>600℃)退火时迅速消灭,它与单晶中N-O复合体的生成和生长机制有关;1100℃退火时产生的施主态则与材料中的氮沉淀有关。     

碳和氮原子在氧沉淀中的作用

本文研究硅中碳、氮原子对氧沉淀的作用机制,指出硅中碳、氮对间隙氧相互作用构成碳－硅－氧、氮对－硅－氧复合体,它们脱溶成核、构成氧沉淀的异质形核中心,促进氧沉淀的生成．文章指出硅中的氮仅参与氧沉淀的成核,而碳原子因条件而异,既可参与氧沉淀的成核,也可参与氧沉淀的长大．研究表明,高碳样品,在低于９００℃的热处理时,碳原子参与氧沉淀的长大,可显著降低氧沉淀引起的体积应变能,促进氧沉淀的长大;高于９００℃的热处理,碳原子可不参与氧沉淀的长大．但如果不经过高温预处理,由于在低温热历史中,碳原子已参与氧沉淀胚核的形成     

硅中的氮氧复合物及其施主行为

含氮ＣＺ硅的电学性能完全有别于含氮的ＦＺ硅和无氮的ＣＺ硅，研究表明，含氮ＣＺ硅能形成一种与氮有关的新施主，它随氮氧复合物的形成而形成，随氮氧复合物的消失而消失，文章进一步研究了氮－新施主的形成和消除与热处理条件的关系，并对这些实验结果进行了探讨。     

氮杂质对直拉单晶硅中位错的作用

通过常温下压痕之后的高温热处理实验 ,研究了掺氮直拉硅单晶 (NCZSi)中氮杂质对位错滑移的钉扎作用 ,以及塑性变形能在热处理过程中通过位错的滑移释放的机理 .实验结果表明氮杂质对位错有着较强的钉扎作用 ,使掺氮直拉硅单晶中的位错在同一温度下热处理时的滑移距离均小于普通直拉硅单晶 (CZSi) .同时指出 ,NCZSi的位错激活能比 CZSi的要高 ,NCZSi中塑性变形能通过位错滑移释放较 CZSi快 ,并讨论了压痕造成的塑性变形能通过位错的滑移而释放的可能机理     

硅中的氮氧复合物及其施主行为

含氮ＣＺ硅的电学性能完全有别于含氮的ＦＺ硅和无氮的ＣＺ硅,研究表明,含氮ＣＺ硅能形成一种与氮有关的新施主,它随氮氧复合物的形成而形成,随氮氧复合物的消失而消失．文章进一步研究了氮—新施主的结构模型,并对氮—新施主的形成和消除与热处理条件的关系进行了探讨．     

含氮CZ硅力学行为研究

用抗弯强度方法测定不同含氮量的原生和经550℃,750℃及900℃不等时热处理后直拉硅(NCZ-Si)的力学性能变化,结合红外光谱分析热处理过程氧、氮含量及形态的改变,认为在含氮直拉硅中,氮是以聚集在位错周围的氮氧硅络合物及氮氧硅沉淀初期微粒等多种形式钉扎位错的。     

硅中的氮氧复合物和碳氧复合物

前文[1]指出,硅中的氮氧复合物实质上是氮对-硅-氧复合体.本文运用这一结构模型预测了新的实验事实,并用实验进行了验证,同时分析了硅中的碳氧复合物,提出了硅中碳与氧,氮与氧相互作用的新见解.     

红外光源硅单晶少子寿命测试仪

本文介绍高频光电导衰减法硅单晶少子寿命测试技术的改进。利用红外发光二极管作为闪光源,获得了合适的光强和0.5～1微秒的短余辉。电路的改进增加了仪器的灵敏度,因此可较方便地测量低电阻率低寿命的样品。满足了集成电路级硅单晶的测试要求。     

硅片塑性形变与位错

通过１２００℃、１５ｈ急冷热处理实验，研究了硅中位错对高温塑性形变的影响及热处理过程中位错密度的变化。实验结果表明，硅中原有位错密度越大或热处理急冷温度越高，均使塑性形变更加严重。位错密度为０４～２×１０３ｃｍ－２的硅片的弯曲度变化是无位错硅片的３倍多，１２００℃急冷产生的形变量是７７０℃急冷的４倍。无位错硅片在高温热处理中会产生大量位错，且急冷温度越高，产生的位错越多。热处理中区熔硅片容易在边缘产生位错星形结构。     

氮杂质对直拉单晶硅中位错的作用

通过常温下压痕之后的高温热处理实验,研究了掺氮直拉硅单晶(NCZSi)中氮杂质对位错滑移的钉扎作用,以及塑性变形能在热处理过程中通过位错的滑移释放的机理.实验结果表明氮杂质对位错有着较强的钉扎作用,使掺氮直拉硅单晶中的位错在同一温度下热处理时的滑移距离均小于普通直拉硅单晶(CZSi).同时指出,NCZSi的位错激活能比CZSi的要高,NCZSi中塑性变形能通过位错滑移释放较CZSi快,并讨论了压痕造成的塑性变形能通过位错的滑移而释放的可能机理.