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本文报导了硅PN结反向击穿冷阴极电子发射源的研究结果。尽管器件制造中采用的大部分工艺与标准的微电子工艺相容,但为了形成和测量超薄PN结,还引入了一些特殊方法。这些方法包括:超低能离子注入,由氧化和腐蚀构成的结区减薄工艺,快速热退火和一些对工艺进行监测的新方法。本文给出了电子发射特性,最大发射电流达到150nA,它对应的发射效率为8×10~(-6),这个数值已达到国际水平。 相似文献
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硅薄膜场发射阴极的制造和性能 总被引:1,自引:0,他引:1
本文评述了薄膜场发射阴极的一般制造方法后,介绍了我们的制造技术。我们用硅材料为基体,用各向同性的湿法化学腐蚀工艺制出尖端,用氧化增尖和自对准栅极工艺制成TFFEC—薄膜场发射阴极。外加阳极就构成了三极管。本文给出了TFFEC和三极管的测试性能。 相似文献
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当前使用的商用液晶显示器存在诸多问题,其设计方案中涉及到的器件数量多,使得PCB板面积变大,造成生产成本不断增加。基于此,重点研究了一种工业级液晶显示器驱动板,且对其实施多方面的检测,以使用性能与成本投资为出发点分析了这一方案的优势。 相似文献
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