Al-Si接触的快速热退火

本文报道了用常规管式炉30秒钟快速热退火代替常规热合金化做Al-Si欧姆接触的简捷方法.通过俄歇电子能谱、扫描电子显微镜、接触电阻率和PN结反向电流的研究证实该法能有效地抑制导致浅结器件失效的Al-Si互扩散现象,从而达到保持良好结特性的欧姆接触.     

利用I2V 正向特性提取PN 二极管主要参数的研究

研究了利用电流－电压（I－V）正向特性提取PN结二极管参数的方法，与通常使用的PN结二极管模型不同，本文模型考虑了并联电导对电流的影响，在I－V特性曲线上读取四级（V，I）值，用牛顿法对模型方程组进行数值求解，可提取出PN结二极管的主要参数：反向饱和电流，串联电阻，发射系数以及并联电导。结果表明，该方法简便，实用。     

电子注晶体管与固体电子发射源

最近根据国外一些文献报导,美帝正在研究把电真空技术和半导体技术结合起来,制成一种新型器件。从报导看,这类器件现有两种型式: 一种是用半导体二极管作电真空器件的阴极。目前已探索过的这种半导体二极管固体电子发射源有:正向偏压PN结,肖脱基势垒和     

利用半导体PN结模型分析石英玻璃的极化过程

利用半导体PN结偏置过程的理论模型,类比分析了玻璃的热及电场极化过程。理论分析表明,在热及电场极化条件下,正、负电极与玻璃分界面处的电场及电荷分布规律与其在反向、正向偏置的2个PN结处非常相似;利用PN结偏置模型,并考虑玻璃极化过程中电子的作用,修正了极化玻璃中电场分布和载流子运动方程及其边界条件,并解释了一些已有实验现象。     

一种新型高精度曲率补偿CMOS带隙基准源

本文提出了一种兼容标准CMOS工艺的高阶曲率补偿带隙基准源。通过利用电压电流转换器和基区-发射区间PN结的电压电流特性,获得正比于VTln(T)的补偿量,从而实现基准源高阶温度补偿。基于CSMC 0.5-μm CMOS工艺进行流片验证,实验结果表明该基准在3.6V电源电压下可以达到3.9 ppm/℃的温度系数,高达72 dB的电源抑制比,并且优于0.304mV/V的线性调整率。电路最大仅消耗42 μA供电电流。     

应用SEM和V-I特性研究1.3μmInGaAsP/InP DH激光器中掺杂的影响

本文说明用 SEM和V-I特性法研究 1.3μm InGaAsP/InP DH激光器中掺杂对 PN结位置及 PN结性质的影响.认为用 Zn作P型掺杂剂的 InGaAsP/InP DH 激光器中,由于Zn在InGaAsP和InP晶体中的快扩散及外延生长期间Zn蒸气沾污是PN结偏位的主要原因.施主和受主掺杂的高浓度会产生隧道型 PN 结. 因此在研制激光器的工艺中,控制Zn的沾污及掺杂剂的浓度是非常重要的.     

锑化铟离子注入退火技术研究

对锑化铟（InSb）铍离子（Be+）注入后的快速退火技术进行了研究,并对不同退火温度和时间的晶片进行了工艺实验,通过测试其PN结I-V特性,对比了不同快速退火条件对PN结特性的影响,确定在一定快速热退火条件下可以获得高质量的PN结,并对试验结果进行了分析。     

根据IV曲线形态定性判断PN结性能的一种简易方法

利用MATLAB灵活丰富的绘图功能,在半对数坐标下画出了PN结的IV曲线。根据其形态,可以对PN结的性能作出定性判断。逼近该曲线所需的直线段越多,说明该PN结的性能与理想状态相距越远。这种方法不仅适用于同质PN结,也适用异质PN结和肖特基势垒二极管。     

新型集成压力与温度MEMS传感器

本文提出一种MEMS传感器,单片集成温度和气压的检测单元。该传感器采用SOI硅片的上层硅作为压阻薄膜,因此各管芯的薄膜厚度有良好的一致性。传统的背面体硅腐蚀方法未被采用,因为碱性溶液腐蚀体硅会在<111>面自停止,形成57.4°的斜坡,从而增大管芯面积,取而代之的是ICP深硅刻蚀。片上集成两个PN结,结区面积呈比例,可以实现温度检测功能。测试表明在-40-100℃之间都有良好的线性度,PN结的离子注入工艺与压阻注入工艺完全兼容,减少了工艺成本。     

简讯

长寿放电灯荷兰飞利普电气公司最近发明了一种使用寿命达6万小时的汞汽放电灯,这种灯泡中装有一个特殊线圈,每秒钟可交替发生265万次电信号,并形成振荡磁场,而后者导致灯泡内汞汽的产生。汞汽散发出的紫外线通过灯泡外的磷光涂层转化为人眼的可见光。 (林森) 长寿命的雪崩二极管飞利普公司最近研制出一种寿命在3万小时以上的雪崩二极管。他们采用了先进的离子注入技术,在P型基片上形成8nm厚的PN结。当二极管加上偏压后,产生雪崩击穿所产生的电子空穴被浅PN结耗尽层的强电场加速,一部分电子通过薄的弱场强表面沟道后,仍有足够能量克服表面功函数发射出来。     

反向偏置下碲镉汞环孔PN结耗尽区电容的计算

采用突变结近似，对反向偏置下碲镉汞（HgCdTe）环孔PN结耗尽区电容的计算方法进行了分析和讨论，给出了若干条件下的计算结果，表明与有关理论分析的结论是吻合的。     

恒定辐照下一维HgCdTe环孔PN结光生载流子浓度的计算

通过求解一维HgCdTe环孔PN结连续性方程,得到了恒定辐照下光生载流子浓度的一般表达式,并对结果进行了分析讨论。     

一种新型力敏传感器Z元件的特性分析

本文介绍一种新型传感器：Ｚ元件,简述其种类和特点,着重介绍力敏Ｚ元件的制轩,机理和特性。该元件能够将力值直接转换为较大的电压值,因此,无须放大。其应用电路极其简单。另外,对其应用也进行了阐述。     

一维平面PN结和环孔PN结理想I-V关系的比较

通过用MATLAB求解一维形式下平面PN结和环孔PN结的连续性方程,给出了两者的I-V关系式,并进行了分析比较。由于几何结构上的差异,它们的I-V关系式有所不同。     

用MATLAB和小波变换分析红外焦平面探测器信号的均匀性

红外焦平面探测器输出信号的均匀性是衡量器件性能的重要参数之一,利用基于MATLAB的小波变换,通过一系列分解和重构处理,可以画出探测器输出信号的高频或细节部分的波形,通过比较实际信号与理想信号之间的逼近程度或逼近速度,可以对探测器输出信号的均匀性作出定性描述或判断。该方法具有编程简单、实现容易等特点。     

PN结电容微分量频谱

本文用单一能级深陷阱模型研究了含深陷阱中心的PN结电容(C)及其微分量((dC)/(dω))与频率(ω)的关系,得到了相应的解析式.理论分析结果表明:电容微分量是一个具有峰值的函数,其峰值、峰位与深陷阱密度及载流子发射时间常数相关.由此提供了一种利用PN结的 C-ω特性确定深陷阱参数的新方法.用此方法,在室温(300K)条件下,测定了 P~+N结中的金受主能级的俘获截面σ_?=(5.6±0.8)×10~(-16)cm~2.     

“微电子器件”多元化教学方法的探索

本文依据“微电子器件”课程自身特点,尝试使用选择法、启发式结合关联法、类比法、实践法和任务驱动法等多种教学方法和手段,结合学生的实际、专业发展需求和市场需求进行教学,取得了良好的教学效果。     

一维情况下平面PN结连续性方程的一般形式解

对一维情况下平面PN结的连续性方程进行了求解,给出了不同边界条件下光生载流子浓度的一般形式解,并对结果进行了分析讨论。     

InSb中Be离子注入成结研究

进行了InSb中Be注入成结实验研究。得到的二极管在77 K低背景下测得的特性为:正向电流-电压遵守I0eqv/βKT规律,其中β为1.6,在-0.1 V时反向电流密度为2.14×10-7A/cm2,在-1 V时反向电流密度为3.9×10-6A/cm2,优值因子R0A为1.89×105Ωcm2。经装入结构测试,芯片光电性能达到生产要求水平。