Sence-Switch型pFLASH单元制备及特性

基于0.13 μm eFLASH工艺技术,成功制备了Sence-Switch型pFLASH单元,并对其性能进行了研究.该单元由两个共享浮栅和控制栅的编程/擦除管(T1)和信号传输管(T2)组成,采用带带遂穿(BTBT)编程方式和福勒-诺德海姆(FN)遂穿擦除方式实现了其“开/关”态功能,并对其“开/关”态特性进行表征,同时,研究了其耐久性和电荷保持特性.实验结果表明,该单元具有较优的“开/关”态特性和电参数一致性,T1/T2管阈值窗口的均值、均一性分别约为9.2V和2.4％;在工作电压为-1.5V条件下,T2管“关”态的漏电流均在1 pA/μm以下,T2管“开”态的驱动电流均值为116.22 μA/μm,均一性为5.61％;该单元循环擦/写次数可达10 000次.同时,在25℃的“开/关”态应力条件下,该Sence-Switch型pFLASH单元寿命大于10年.