Effects of Na-substitution on structural and electronic properties of Li2CoSiO4 cathode material

Na-substituted dilithium orthosilicate Li2CoSiO4 was investigated by performing density functional theory calculations within the GGA+U framework. The effects of Na-substitution on the electronic structures and structural properties of Li2CoSiO4 were presented. The results show that the Na-substitution on Li sites in Li2CoSiO4 induces a lowering of the conduction bands and a narrowing of the band gap, which could be helpful for enhancing the electronic conductivity. On the other hand, the Na-substitution on the Li ions in Li2CoSiO4 leads to the expansion of interlayer space of the adjacent corrugated layers. This lattice expansion effect would benefit the Li ion diffusion.     

GAT实现高频率与高基区穿通电压兼容特性分析

通过作者最近建立的关于 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果。     

Hybrid functional calculations on the band gap bowing parameters of InxGa1-xN

The electronic band structures and band gap bowing parameters of In_xGa_1-xN are studied by the firstprinciples method based on the density functional theory. Calculations by employing both the Heyd-ScuseriaErnzerh of hybrid functional（HSE06） and the Perdew-Burke-Ernzerhof（PBE） one are performed. We found that the theoretical band gap bowing parameter is dependent significantly on the calculation method, especially on the exchange-correlation functional employed in the DFT calculations. The band gap of In_xGa_1-xN alloy decreases considerably when the In constituent x increases. It is the interactions of s–s and p–p orbitals between anions and cations that play significant roles in formatting the band gaps bowing. In general, the HSE06 hybrid functional could provide a good alternative to the PBE functional in calculating the band gap bowing parameters.     

超晶格(GaAs)_n/(InAs)_1(001)的光学性质

采用Ｌｉｎｅａｒｉｚｅｄ－Ｍｕｆｆｉｎ－Ｔｉｎ－Ｏｒｂｉｔａｌ（ＬＭＴＯ）能带方法对应变超晶格（ＧａＡｓ）ｎ／（ＩｎＡｓ）１（００１）进行自洽计算．在得到较准确能带结构和本征波函数的基础上,计算该超晶格的光学介电函数虚部ε２（ω）、折射率和吸收系数．结果表明,该超晶格表现出的光学性质和ＧａＡｓ体材料不相同,在１．５～２．５ｅＶ能量范围的吸收系数增大,且该超晶格在较宽的能量范围内有较好的光谱响应     

闪锌矿GaN(001)表面的电子结构

采用混合基表示的第一原理赝势方法 ,计算了闪锌矿结构的 Ga N(0 0 1) (1× 1)干净表面的电子结构 .分析了得到的各原子分态密度、面电荷密度分布以及表面能带结构等性质 ,比较了 Ga N(0 0 1)的 Ga端表面和 N端表面两种情况 .结果显示 ,闪锌矿 Ga N(0 0 1)的 Ga端表面比 N端表面更稳定 ,这两种 (1× 1)表面都是金属特性 .此外 ,还讨论了次表面层原子的性质     

GAT栅屏蔽效应二维解析模型

建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了GAT的栅屏蔽效应的解析表达式 ,并借助计算机对栅屏蔽效应给以证实。该模型可供优化设计双极型高频、高压、低饱和压降功率器件参考。     

闪锌矿GaN(001)表面的电子结构

采用混合基表示的第一原理赝势方法,计算了闪锌矿结构的GaN(001)(1×1)干净表面的电子结构.分析了得到的各原子分态密度、面电荷密度分布以及表面能带结构等性质,比较了GaN(001)的Ga端表面和N端表面两种情况.结果显示,闪锌矿GaN(001)的Ga端表面比N端表面更稳定,这两种(1×1)表面都是金属特性.此外,还讨论了次表面层原子的性质.     

GAT实现高电流增益与高雪崩击穿电压兼容特性分析

通过作者最近建立的关于电力半导体器件 GAT的集电结耗尽层电位分析和电场分布的二维解析模型定量研究了 GAT的雪崩击穿特性 ,并且定量解释了该器件实现高击穿电压与高电流增益兼容的实验结果。     

GAT双极晶体管的高频高压兼容特性

建立了 GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型 ,定量研究了 GAT的栅屏蔽效应和 GAT的基区穿通电压 VPI,并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果 .该模型可供优化设计双极型高频、高压、低饱和压降功率器件参考     

GAT双极晶体管的高频高压兼容特性

建立了GAT器件集电结耗尽层电位分布和电场分布的二维解析模型,定量研究了GAT的栅屏蔽效应和GAT的基区穿通电压VPI并且解释了该器件实现高频率与高电压兼容的实验结果.该模型可供优化设计双极型高频、高压、低饱和压降功率器件参考.