引滦入津尔王庄自流道闸门自动控制系统的应用

天津市水利局引滦工程尔王庄管理处所辖上游输水明渠设计水深3m，底宽22m，左右坡度1／3，纵坡度1／20000．设计流量50m^3/s。尔王庄明渠泵站是通过明渠向大张庄泵站输水为海河补水的泵站，暗渠泵站发生故障时，明渠泵站抽水与大张庄泵站联合运用向暗渠输水。明渠泵站旁设有自流道．总长210．79m．2孔3．5m×3m．设计流量12m^3／s，校核流量20m^3／s。     

铟镓氮薄膜的光电特性

用金属有机物气相外延设备,在氮化镓/蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜,并对其进行了X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试.确定该薄膜为单晶,其中In组分可以从0增加到0.26;在光致激发下发光光谱为单峰,且峰值波长在360～555nm范围内可调;其发光机理被证实为膜内载流子经带隙跃迁而直接复合;并具有很高的电子浓度.但InGaN薄膜的结晶质量却随着In含量的增加而变差.     

铟镓氮薄膜的光电特性

用金属有机物气相外延设备,在氮化镓/蓝宝石复合衬底上快速外延生长铟镓氮薄膜,并对其进行了X射线三晶衍射、光致发光、反射光谱及霍尔测量等实验测试.确定该薄膜为单晶,其中In组分可以从0增加到0.26;在光致激发下发光光谱为单峰,且峰值波长在360～555nm范围内可调;其发光机理被证实为膜内载流子经带隙跃迁而直接复合;并具有很高的电子浓度.但InGaN薄膜的结晶质量却随着In含量的增加而变差.     

新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究

利用金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术，采用一种称为低温钝化的新生和方法成功地生长出多层InGaN/GaN量子点。这种方法是对GaN表面进行钝化并在低温下生长，从而增加表面吸附原子的迁移势垒。采用原子力显微镜清楚地观察到该方法生长的样品中岛状的量子点。从量子点样品的I-V特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应，其中的锯齿状峰形归因于零维量子点的共振隧穿。     

表面应力诱导InGaN量子点的生长及其性质

为了得到高性能的GaN基发光器件,有源层采用MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法生长了InGaN量子点,并通过原子力显微镜(AFM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光(PL)谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究.AFM和TEM观察结果表明:InGaN/GaN为平均直径约30nm,高度约25nm的圆锥;InGaN量子点主要集中在圆锥形的顶部,其密度达到5.6×1010cm-2.室温下,InGaN量子点材料PL谱强度大大超出相同生长时间的InGaN薄膜材料,这说明InGaN量子点有望作为高性能有源层材料应用于GaN基发光器件.     

引滦工程宜兴埠管理处信息化建设的几点思考

天津市引滦信息系统的建设是引滦入津水源保护工程中的一个重要组成部分.宜兴埠管理处作为引滦信息系统的分中心,如何确保该系统工程切实发挥最大效益至关重要.     

输水枢纽工程信息网络监测管理分析

在分析输水枢纽工程信息安全重要性的基础上,从措施、系统及制度等各方面阐述了输水枢纽工程信息系统的安全保障体系,并对信息网络监测管理系统的组成、结构和功能进行了重点分析.     

转速检测装置的研制

针对机械转速测量的实际问题 ,介绍一种简单实用的电气检测方法     

表面应力诱导InGaN量子点的生长及其性质

为了得到高性能的 Ga N基发光器件 ,有源层采用 MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法生长了 In-Ga N量子点 ,并通过原子力显微镜 (AFM)、透射电子显微镜 (TEM)和光致发光 (PL )谱对其微观形貌和光学性质进行了观察和研究 .AFM和 TEM观察结果表明 :In Ga N/ Ga N为平均直径约 30 nm,高度约 2 5 nm的圆锥 ;In Ga N量子点主要集中在圆锥形的顶部 ,其密度达到 5 .6× 10 1 0 cm- 2 .室温下 ,In Ga N量子点材料 PL谱强度大大超出相同生长时间的 In Ga N薄膜材料 ,这说明 In Ga N量子点有望作为高性能有源层材料应用于 Ga N基发光器件 .     

同步电动机励磁电源及投励时间的整定

同步电动机没有启动转矩 ,采用异步启动法启动 ,要求励磁电源按照转子滑差顺极性自动投励。