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已经有多种方法分析了LiF作为电子注入缓冲层对有机电致发光器件的影响,用LiF/Al双层阴极和发光层Alq3制成的有机电致发光器件(OLED),可以降低器件的开启电压,提高器件的发光效率、发光亮度。文章主要对OLEDs(A):Al/Alq3/ITO和(B):Al/LiF(1nm)/Alq3/ITO的C-V特性进行了研究,当在阴极和发光层Alq3之间加上1nm厚的LiF层作为电子注入缓冲层以后,器件的电容由不加LiF时的72500pF减小到12500pF,由于电容的减小,有效地降低了器件的功耗,进而提高了器件的寿命,节约了能源,进一步改善了器件的性能。 相似文献
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阻变随机存储器(RRAM)中存在的故障严重影响产品的可靠性和良率.采用精确高效的测试方法能有效缩短工艺优化周期,降低测试成本.基于SMIC 28 nm工艺平台,完成了1T1R结构的1 Mbit RRAM模块的流片.详细分析了测试中的故障响应情况,并定义了一种故障识别表达式.在March算法的基础上,提出针对RRAM故障的有效测试算法,同时设计了可以定位故障的内建自测试(BIST)电路.仿真结果表明,该测试方案具有占用引脚较少、测试周期较短、故障定位准确、故障覆盖率高的优势. 相似文献
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