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在利用分子束外延方法制备Si Ge p MOSFET中引入了低温Si技术.通过在Si缓冲层和Si Ge层之间加入低温Si层,提高了Si Ge层的弛豫度.当Ge主分为2 0 %时,利用低温Si技术生长的弛豫Si1 - x Gex 层的厚度由UHVCVD制备所需的数微米降至4 0 0 nm以内,AFM测试表明其表面均方粗糙度(RMS)小于1.0 2 nm.器件测试表明,与相同制备过程的体硅p MOSFET相比,空穴迁移率最大提高了2 5 % . 相似文献
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一种用于10位100 MSPS流水线A/D转换器的CMOS线性采样开关 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了影响CMOS模拟开关性能的主要因素,针对10位100 MHz采样频率A/D转换器对输入信号动态特性的要求,设计了一种适合在3.3V电源电压下工作的CMOS全差分自举开关采样电路。基于0.35μm标准CMOS数模混合工艺,在Cadence环境下采用Hspice对电路进行了模拟。模拟结果显示,其无杂散动态范围达到95 dB,满足了A/D转换器采样保持电路对输入信号高动态范围的要求,也保证了电路的可靠性。 相似文献
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