纳米光电子器件的最新进展及发展趋势

主要介绍了纳米光电子学的基本概念、发展模式以及纳米光电子器件的最新进展和发展趋势。     

纳米通信技术的核心-纳米光电器代件

概述了纳米技术在光电子领域的应用,并着重介绍了国内外纳米光通信用纳米光电子器件的发展现状.     

CCD多路开关组件的研制

采用三层多晶硅交迭栅三相埋沟结构，设计并研制成功了６０路ＣＣＤ多路开关动态范围≥５０ｄＢ，转移效率≥９９．９９％；非均匀性±５％；最小输入５ｍＶ；最大输入信号２Ｖ；输入积累时间１３４μｓ；串行移出时间２μｓ；输出幅度≥２Ｖ。文章阐述该器件的结构、工作原理、特点、用途、器件参数分析及影响器件因素和专项工艺研究。     

硅基红外信平面阵列技术的新进展（Ⅱ）

主要介绍以硅为衬底的ＰｂＳ，ＰｂＳｅ，ＰｂＴｅ，ＰｂＳｎＳｅ，ＨｇＣｄＴｅ，ＩｎＳｂ等红外探测器焦平面阵列的新进展。     

热壁低压化学汽相淀积设备的使用与维修

文章就热壁低压化学汽相淀积（ＨＷＬＰＣＶＤ）设备使用过程中常见的故障现象及维修谈一点体会。     

热壁LPCVD设备使用中几个问题的探讨

文章就热壁ＬＰＣＶＤ设备使用过程中出现的几个问题作了较全面的分析，提出了一些解决办法，并就设备易出现的故障及维护谈一点体会。     

国外PtSi-SBIRFPA的技术进展及市场前景

本文全面深入地介绍了PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列(PtSi-SBIRFPA)的技术进展及市场前景．从制作技术、像元集成度、NETD、光响应均匀性、量子效率、成品率和成本方面把PtSi单片式红外焦平面陈列(PtSi-MIRFPA)与InSb和HgCdTe混合式红外焦平面阵列(InSb和HgCdTeHIRFPA)技术作了详细的比较，评述了PtSi-MIRFPA技术的发展现状和面临的现实，分析了PtSi-MIRFPA技术的应用范围，目前的市场状况和今后的技术前景。     

面向21世纪的纳米电子/纳米光电子技术

引言 信息社会对集成电路的集成度要求越来越高,促使人们不断探索能够突破器件尺寸极限的途径。纳米电子学和纳米光电子学在此背景下应运而生。 纳米电子学 1.纳米电子学的基本概念     

CMOS图像传感器的最新进展及其应用 (续)

主要介绍CMOS图像传感器的发展现状,最新进展、市场前景及其在医学上的应用。