排序方式: 共有27条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
2.
采用水热法,分别以丙二酸、正丁醇、乙二胺为表面活性剂,研究3种体系下TiO2纳米晶体的生长过程。XRD结果显示3种体系下主要产物为锐钛矿TiO2;TEM和HRTEM结果表明在不同的生长阶段,纳米晶体的生长结构特点明显不同。分别采用定向生长理论(Orientation attachment,OA)、弗兰克尔收缩理论(Frenkel shrinking,SH)、奥斯特瓦尔德熟化理论(Ostwald ripening,OR)对3种体系下的晶体生长进行理论模拟,结果发现在丙二酸、乙二胺体系下晶体生长分为3个阶段:定向聚集生长、颗粒收缩、奥斯特瓦尔德熟化,且乙二胺体系下颗粒明显增大;但是在正丁醇体系下晶体生长仅显示明显的OR特征,不存在OA生长。理论和实验分析说明不同体系下晶体生长方式不同的主要原因是由于3种表面活性剂以及溶液pH值的不同作用。 相似文献
3.
结合电厂深基坑支护施工实例,根据实际情况确定了基坑支护方案,对该电厂的深基坑支护进行了结构设计,探讨了深基坑施工中的监测和应急措施。 相似文献
4.
5.
6.
Recently,a numberofpapers on Ga N-based field-effecttransistors(FETs) have beenreported.The metal-insulator-semiconductor technology is widely adopted in manyapplications since it can provide the high DC input impedance,large gate voltage swings,norm... 相似文献
7.
采用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)法在Si(100)衬底上淀积一层厚度约为170nm的富Ge高C含量的Si1-x-yGex/Cy薄膜,然后将其分别在800℃和1100℃下湿氧氧化20min.在室温下观测到强烈的光致发光.室温下的光致发光谱(PL谱)测量显示,800℃下氧化后的样品在370nm和396nm附近有两个光致发光带,1100℃下氧化后的样品只在396nm附近有一个光致发光带.396nm附近的发光带可归之于由氧化薄膜中的缺陷O-Si-O(Si20)或O-Ge-O(Ge20)引起的,而370nm附近的发光带与薄膜中Ge-C对发光中心有关. 相似文献
9.
10.
为进一步提高燃气锅炉热效率,同时兼顾低氮燃烧技术的应用,研发了一种烟气潜热回收与低氮燃烧耦合技术,并对1台7 MW燃气热水锅炉实施改造,通过实测对比分析改造前后锅炉能效和NO_x排放的变化。结果表明:改造后烟气潜热回收率提高,锅炉热效率升至102.7%,提高了6.2%;其中,锅炉本体和省煤器结算热分别提高1.3%和5.5%,散热损失增加0.6%。NO_x排放浓度与助燃空气含湿量有关,随助燃空气含湿量升高显著降低,当助燃空气含湿量为116.6 g/kg时,NO_x排放浓度可低至19 mg/m~3;改造后锅炉单位热产品NO_x减排率达80%以上,环境效益显著。 相似文献