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以半导体器件二维数值模拟程序Medici为工具,模拟和对比了SiGe pMOS同Si pMOS的漏结击穿电压随栅极偏压、栅氧化层厚度和衬底浓度的变化关系;研究了SiGe pMOS垂直层结构参数硅帽层厚度、SiGe层厚度及Ge剂量和p+ δ掺杂对于击穿特性的影响.发现SiGe pMOS击穿主要由窄带隙的应变SiGe层决定,击穿电压明显低于Si pMOS并随Ge组分增加而降低;SiGe/Si异质结对电场分布产生显著影响,同Si pMOS相比电场和碰撞电离具有多峰值分布的特点;Si帽层及SiGe层参数对击穿特性有明显影响,增加p型δ掺杂后SiGe pMOS呈现穿通击穿机制. 相似文献
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The residual electrically active defects in(4×10~(12)cm~(-2)(30KeV)+5×10~(12)cm~(-2)(130KeV))si-implanted LEC undoped si-GaAs activated by two-step rapid thermal annealing(RTA)LABELED AS 970℃(9S)+750℃(12S)have been investigated with deep level transient spec-troscopy(DLTS).Two electron traps ET_1(E_c-0.53eV,σ_n=2.3×10~(-16)cm~2)and ET_2(E_c-0.81eV,σ_n=9.7×10(-13)cm~2)are detected.Furthermore,the noticeable variations of trap's con-centration and energy level in the forbidden gap with the depth profile of defects induced by ion im-plantation and RTA process have also been observed.The[As_i·V_(As)·As_(Ga)]and[V_(As)·As_i·V_(Ga)·As_(Ga)]are proposed to be the possible atomic configurations of ET_1 and ET_2,respectively to explaintheir RTA behaviors. 相似文献
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This paper has analyzed the AlxGa1 xAs liquid-phase epitaxy layer by Automatic Rotating-Analyzer Spectroscopic Ellipsometer. The energy of the incident light ranges from 1.959eV to 4.300eV. The refractivity n and extinction coefficient k of the epitaxy layer are found to be regularly changed with the x-values of the epitaxy layer.The n-E spectrum displayed a obvious peak among the measured values and the energy position related to the peak increases with increasing of x, which can be written as E= 2.88+ 0.87x. Thus the x value of the epitaxy layer can be obtained from the peak position of the n-E spectrum of the AlxGa1-xAs epitaxy layer by Automatic Rotating Analyzer Spectroscopic Ellipsometer. 相似文献
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静态随机存取存储器质子单粒子效应实验研究 总被引:9,自引:3,他引:6
描述了测量静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面的实验方法。采用金箔散射法可以降低加速器质子束流五六个量级,从而满足半导体器件质子单粒子效应的要求。研制的弱流质子束流测量系统和建立的注量均匀性测量方法解决了质子注量的准确测量问题。提高了存储器单粒子效应长线测量系统的性能,保证了翻转数的准确测量。实验测得静态随机存取存储器质子单粒子翻转截面为10^-14cm^2/bit量级,随质子能量的增大略有增大。 相似文献
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本文研究了硼离子注入硅经红外辐照退火后的热处理特性.实验发现,对于20keV,3.5×10~(14)cm~(-2)~(11)B离子注入硅样品,经10秒到几十秒红外辐照后再进行不同温度的后热处理,表面薄层电阻随退火温度呈规律性变化,在1050℃附近达到最小值,此时杂质的电激活率大于100%. 相似文献
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在弛豫时间近似条件下,由波尔兹曼输运方程的前三阶推导出能模拟HBT性能的流体动力学传输模型.分析了能量(动量)方程中的各个物理量,考虑了不同能谷散射对能量弛豫时间影响,计入了电子能量中的漂移动能,同时考虑了异质结能带的各种效应.使用牛顿法同时求解一维稳态方程组,分析了典型结构的AlGaAs/GaAsHBT器件工作物理图像. 相似文献
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