磷酸钙基组织工程化多孔微球的制备工艺研究

以β-磷酸三钙（βTCP）和壳聚糖（CS）为主要原料，采用反相乳液悬浮法制备出β-TCP／CS复合微球，并经1150℃条件下烧结，得到主要成分为卢．TCP的无机微球。X射线衍射分析得到经烧结后微球相成分主要为伊TCP，扫描电镜观察微球形貌表明微球成球性好、表面粗糙，激光粒度分析仪测定微球粒径主要分布在150-450μm。生物实验表明微球具有良好的生物活性。     

元素Si对TiAl合金抗氧化性能的影响

研究了元素Si对不同Nb含量TiAl合金抗氧化性能的影响．结果表明，合金中Nb含量越低，Si对合金抗氧化性能的提高作用越明显．主要表现为Si促使二元合金形成连续致密的Al2O3层及使不同Nb含量合金表层氧化物更加均匀细小．因而随Si含量的增加，TiAl合金的氧化增重速率系数降低，氧化速率下降．运用等温氧化增重实验、X射线衍射和扫描电镜等手段对Si的作用进行了分析讨论．     

B和C对铸造TiAl基合金宏观和显微组织的影响

对比研究了B和C含量的变化对铸造TiAl基合金宏观和显微组织的影响。结果表明 ，B或C含量的增加均能细化TiAl基合金的晶粒，但二者的作用特点不同。B含量对宏观组织和晶粒尺寸的影响是渐进的，而C对其影响存在一个临界含量。显微观察表明，微量的B就能使合金析出TiB2，随着合金中B含量的增加，硼化物颗粒呈不同的形貌。对于含C合金，当C含量低于临界含量时，在光学尺度上观察不到碳化物相，而当C含量高于临界含量时，合金中生成大量的Ti2AlC碳化物颗粒。讨论了B和C细化TiAl基合金的机制。     

超高频功率晶体管金属栅格电极结构的研究

本文提出一种提高晶体管发射区条长有效率的简单而有效的技术——自对准铂硅栅格电极结构。其特点是制造简单、通用性强、在不增加生产工艺难度的情况下就能够显著地提高晶体管的最大输出功率和功率增益。经在3DA200系列超高频中功率晶体管制造中进行试验,在不改变原生产用的版图和工艺的情况下,只在制造过程的中间加入制造铂硅栅格电极这步工艺就能把最大输出功率和额定功率下的功率增益提高为原来的1.5～2倍。同时本文也给出了发射区条长有效率的简明理论分析,所得公式和图表可以用来简单直接地计算出发射区条长有效率,从而根据有效率的改善来决定应取的铂硅栅格的薄层电阻率。     

乳化交联法制备壳聚糖微球粘连原因分析

乳化交联法是制备壳聚糖微球常用的工艺，但在制备过程中，常出现微球产物粘连的现象。分析了搅拌速度、油水体积比、表面活性剂添加量和交联剂用量等影响微球粘连的因素，优化出了分散性好，粒度均匀的壳聚糖微球制备工艺参数。结果表明，搅拌速度〉350r／min，油水体积比〉2．5，表面活性剂span80用量为水相的20％时，可获得分散性好的壳聚糖微球，微球的粒径可以控制在1～5μm之间。     

无创双水平气道正压通气治疗重症支气管哮喘的研究

目的探讨无创双水平正压通气（NIPPV）对重症支气管哮喘患者的治疗价值。方法将40例重症支气管哮喘患者按随机数字表法分成2组。对照组（n=20）予以氧疗、常规药物治疗;试验组（n=20）在氧疗、常规药物治疗的基础上予以NIPPV支持,应用美国STAR330型无创呼吸机,经面罩或鼻罩无创通气,采用S/T（自主呼吸/时间切换）,压力支持（PSV）＋呼吸末正压（PEEP）。比较2组治疗前和治疗后1、3h,第4天的血气分析指标（pH、PaCO2、PaO2、SaO2）的变化,治疗前后的最高峰流速（PEF）的改变及2组住院时间。结果治疗后,试验组血气分析指标以及PEF值的改善均较对照组明显（P〈0.05）;试验组住院时间较对照组明显缩短（P〈0.05）。结论对重症支气管哮喘患者早期应用NIPPV是有效的,但还需要大样本及更多的观察指标来监测患者的病情变化;对无创通气1～3h后病情无好转并呈进行性加重的患者应尽早改用有创机械通气,以免耽误治疗时机。     

基于ARM的便携式晶体管参数测量平台研制

介绍一种晶体管参数测量平台的方案．给出硬件组成和软件流程。使用ARM处理器及WinCE系统作为软硬件基础,以S3C2410为核心控制电路,利用12位D／A模块TLV5618产生稳定的控制电压、10位A／D模块TLC1543完成电压测量。将晶体管参数测量平台与单片机及传统示波器测量平台做了比较,其测量精度高于示波器,并且在对数据的分析处理能力及速度上ARM优于单片机,结果表明该系统性能可靠、速度快、精度高且便携。     

基于AHB总线的SD/SDHC/MMC控制器设计

在分析了SD卡传输协议的基础上,给出了一种SD卡控制器设计方案.其特点是采用了高速的AHB接口和特殊的DMA传输方式,因此可应用于高速实时数据流的处理.该设计已通过FPGA验证并达到了设计目标.     

WT3DG系列宽温区晶体管：一种BSIT的改进型器件

利用BSIT电流放大系数具有负温度系数的特点,结合目前我国半导体工艺水平研制的改进型BSIT——WT3DG系列宽温区硅高频小功率晶体管,具有良好的电性能和温度特性。是工作在-65～200℃温度范围内电子仪器的理想器件。     

沟道基区晶体管

本文报导了一类新的晶体管-沟道基区晶体管(CBT)的实验研究和初步理论分析结果。这种晶体管在原理上同时含有双极晶体管和常闭型结型场效应晶体管的成份,其突出优点是电流增益随温度的变化和小电流区电流增益随电流的变化都远比双极晶体管小。