一种铁氧体移相驱动器专用集成电路

介绍了ＳＡ０１８铁氧体移相驱动器专用集成电路的工作原理，电路设计和实验结果。该电路的内部电路设计有双路激励驱动器，放大器，积分器和双路高速比较器等功能单元。将铁氧体移相器的激励驱动器和相位控制器融于一体，大大减少了铁氧体移相器的外围设计。     

一种双路移相脉冲驱动器的研制

介绍了一种模拟ＡＳＩＣ电路ＳＢ５０３双路移相脉冲驱动器的工作原理，线路设计，版图设计及研制结果。该电路内部设计朋峰值比较器，锁存器，输入过频保护及电源低压保护电路，驱动级等功能单元，可广泛应用行相控阵雷达铁氧体饱和型移相器中。     

一种超高速PIN开关驱动器的研究

介绍了一种超高速PIN开关驱动器电路的设计。该电路采用高速互补工艺技术(CBIP)制造，具有速度快、功耗低、体积小、工作环境温度范围宽等特点，并且通过改变连接方式，可以很容易地实现四路独立驱动单元输出信号与输入信号同相或反相的功能。该电路广泛应用于数字通讯和相控阵雷达天线系统中。     

SW4391微功耗反相型开关电源

详细介绍了ＳＷ４３９１微功耗反相型开关电源的工作原理，线路设计，版图设计及研制结果，说明了其使用注意事项，并讨论了几种典型应用。     

一种内含D/A转换器的铁氧体驱动器的正向设计

介绍了一种用于相控阵雷达的低功耗铁氧体驱动器和功率MOS管的电路设计，工作在9V时，其功耗小于18mW。该电路内含D／A转换器、双路比较器、触发器和组合逻辑电路。     

一种SOI CMOS/LDMOS单片智能功率集成电路

介绍了一种单片智能功率硅集成电路的设计和制造工艺，该电路包括工作于9V低压的常规CMOS管和两个最高耐压为80V、电流通过能力大于3A的LDMOS管。电路采用SOI介质隔离CMOS／LDMOS工艺，芯片面积约50mm^2。基于一种简单的二维模型，认为，在功率集成中，纵向导电的VDMOS管由于其导通电阻有一个自限制特点，因此并不特别适合智能功率集成。     

一种低压差+5 V三端电源的研制

介绍了一种CMOS低压差 5 V三端稳压源.在电路设计上,将PMOS管作为调整管,采用带隙基准和NMOS基准两种结构,重点讨论了影响低压差电源的几个因素;在工艺上,采用硅栅自对准CMOS工艺,做出了100 mA时压差为0.3 V的 5 V三端电源.采用NMOS基准的三端稳压源,其静态电流和电源抑制比等参数优于采用带隙基准的三端稳压源.     

铁氧体驱动与双路功率MOS单片集成电路研究

介绍了一种集成低压铁氧体驱动器和功率MOS管的单片集成电路。其内建驱动器工作电压9 V,功率MOS管极限电压大于80 V,工作电流3 A。该电路内含D/A转换器、双路比较器、触发器和组合逻辑电路,以及过频过压保护等功能,采用键合SOI深槽的CMOS/LDMOS工艺制作。