GaAs-Al_2Ga_(1-x)As双异质结激光器的伏安特性

测量了77～300K 范围内 GaAs-Al_xGa_(1-x)As DH 激光器的伏安特性。典型的正向特性曲线可用下式描写:I=I_1 I_2=I_(s_1)exp(AV) I_(s_1)exp(q/nkT V)A 和 n 是只与温度有微弱关系的参数。     

Ga_xIn_(1-x)P/GaAs(100)液相外延界面缺陷的透射电镜观察

用超高压电镜观察和分析了平面、剖面及磨角的Ga_xIn_(1-x)P/GaAs样品,界面附近位错线的柏氏矢量大多是 b=1/2<100>,平面样品中位错线弯曲且相互交织形成网络,剖面样品中位错线较直且是分立的,不形成网络.认为衬底表面及母液中的夹杂物是外延层中位错的主要来源.另外,在磨角样品中看到衬底位错通过弯曲和表面产生机制向外延层扩展.     

光电导及光反射法测量AlGaN薄膜的Al组分

ＡｌＧａＮ／ＧａＮ异质结兰光激光器和发光管近年来得到很大的发展．高速和高功率的ＡｌＧａＮ／ＧａＮ异质结场效应管（ＨＦＥＴ）的研究也得到很大的重视．ＡｌＧａＮ 薄层中的Ａｌ组分是决定此类器件的设计和性能的一个重要参量． 传统的测量组分的方法如ＸＰＳ和Ａｕｇｅｒ等方法需要大型的仪器,而且大多数方法是破坏性的,注意到ＡｌＧａＮ的禁带宽度Ｅｇ和Ａｌ组分有直接的关系,可以通过光学方法先测出Ｅｇ,用下式推算出Ａｌ的组分： Ｅｇ（ＡｌＧａＮ）＝ Ｅｇ（ＧａＮ）（１－ｘ）＋Ｅｇ（ＡｌＮ）ｘ－ｂｘ（１－ｘ）．其中ｘ是…     

GaAs—Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器串联电阻的研究

一、引言GaAs-Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器在国内、外光导纤维通讯系统试验段中已使用多年。实用化不仅要求它有稳定的模式特性和较长的寿命,而且还要求它有良好的电学性质和调制特性。对电学性质的要求包括了串联电阻。激光器的串联电阻大,会降低它的功率效率,要求信号系统输出较大的功率,增高工作时的结温,这加速了老化。目前国内研制的GaAs-Al_xGa_(1-x)As激光器的串联电阻一般都偏大。     

GaAs-AlxGa1-xAs双异质结激光器的伏安特性

测量了77～300K 范围内 GaAs-AlxGa1-xAs DH 激光器的伏安特性。典型的正向特性曲线可用下式描写:I=I1+I2=Is1exp（AV）+Is1exp（q/nkT V）A 和 n 是只与温度有微弱关系的参数。     

稀土Er离子注入InP的退火及发光特性

利用离子注入法，以７e１４／ｃｍ２和１e１５／ｃｍ２的剂量对ＩｎＰ进行稀土元素Ｅｒ的掺杂，采用了两种未加淀积膜覆盖的退火方式，在１０Ｋ下均观测到ＩｎＰ中Ｅｒ３＋１．５４μｍ特征光致发光峰．光致发光（ＰＬ）和反射式高能电子衍射给出发光强度和晶格恢复程度与退火条件的依赖关系，结果表明Ｅｒ３＋在ＩｎＰ中的光激活性在很大程度上取决于ＩｎＰ晶格的恢复．     

GaAs-Al_xGa_(1-x)As n-N异质结的光伏特性

测量了液相外延生长的GaAs-Al_xGa_(1-x)As n -N异质结 300K和 77K下的光伏响应的光谱分布,证明异质结界面上存在着较多的界面能级.能带形状在界面上有两个背对背的势垒.在禁带中离AlxGa_(1-x)As导带边 0.7-0.8eV处有一个类受主界面能级.在某些特定条件下,这种n-N异质结在光照和温度作用下可具有多态变化,它和界面态上电子的捕获和释放有关.     

在700℃下液相外延生长的GaAs、Al_xGa_(1-x)As中镁的掺杂特性

本文报告在700℃下液相外延生长的GaAs,Al_xGa_(1-x)As的镁掺杂特性.测量了母液中不同镁的原子比与外延生长的CaAs,Al_(0.53)Ga_(0.47)As的空穴浓度的关系,掺镁GaAs的空穴浓度与其迁移率的关系以及在77—300K温度范围内空穴浓度、迁移率与温度的关系.估算了700℃下镁在GaAs中的分配系数.     

用LPE生长1.35μm InGaAsP/InP量子阱结构的研究

在国内首次利用LPE生长技术在n-InP(100)衬底上成功地生长1.35μm InGaAsP分别限制单量子阱结构。通过对样品的横截面进行的TEM观测,量子阱的阱宽和过渡层的厚度分别为160A和30A。在10K和77K光致发光谱测量中,我们观察到n=1的子能级上电子到重、轻空穴带很强的自由激子跃迁峰,两峰间隔为8.3meV,在低温条件下光致发光谱的半高宽度为20meV。