[Co／Ti],[Co／Cu（Ni）]多层膜的结构与磁性

用双对向靶溅射方法制备了具有非晶磁性的「Ｃｏ／Ｔｉ」３０，「Ｃｏ／Ｃｕ（Ｎｉ）３０」两组多层膜，分别用Ｘ射线衍射，透射电镜和振动样品磁强计做了结构和磁性测量，在以非晶Ｃｏ和Ｃｉｕ－Ｎｉ合金构成的「Ｃｏ／Ｃｕ（Ｎｉ）」多层膜中，发现饱和磁化强度Ｍｓ随非磁性层厚度ｄｓ的增国发生振荡变化；在以非晶Ｃｏ和Ｔｉ构成的「Ｃｏ／Ｔｉ」多层膜中，ＭＳ和则随ｄｓ的增加而减小。     

GaN基450nm波长LD在阈值处的反常电学特性

精确表征了GaN基450nm 波长LD的电学 特性,表观测量的电学参量在阈值附近都出现了明显的突变。器件的(IdV/dI-I)曲线在阈值处突 然上跳。与此对应,其他电学参量在阈值处的突变也与以往观察到的窄带隙780nm 波长LD在阈值处的突变完全反向。表观特性的反常必定造成反常的结特性,利 用 ac－IV方法精确表征了器件的结特性,在阈值区各结电学参 量的突变趋势与以往报道的 窄带隙780nm波长LD也完全相反。光学实验表明,在阈值区内(约3mA)光功率增加 近1个量级。光特性的突然增加必定与电学特性的突变存在必然联系。所有这些反常的电学 特性是传统的激光器理论难以解释的,将促使LD理论的进一步发展。     

半导体GaN基蓝光发光二极管的精确电学特性

对传统的电容-电压(C-V)、电流 -电压(I-V)测量方法和我们自建的表征方法测量得到的蓝光发光二极管(L ED)正向特性的结 果做了详细的对比分析,发现传统测量方法得到的电学参量是不够精确的。但是传统C-V方法得到的表观电容以及我们自建方法得到的结电容在大电压和低 频率下都表现出了明显的负值,该实验结果与经典肖克莱理论相冲突。此外,我们精确 地得到了负的结电容以及结电导随电压和频率变化的经验表达式。这将为半导体二极管的正 向电学特性的理论研究提供实验基础。     

Co／Ti非晶多层膜晶化过程中结构及磁性的变化

利用双对向靶溅射方法在室温下制备Ｃｏ／Ｔｉ非晶多层膜，并采用原位退火透射电镜和原位热重法，观测了Ｃｏ／Ｔｉ多层膜结构与磁性随温度的变化，结果表明：退火温度ｔａ为４００℃时，薄膜开始晶化，Ｃｏ，Ｔｉ颗粒析出并粗化；ｔａ＞６００℃时，具有铁磁性的Ｃｏ单质完全消失，全部转化为Ｃｏ２Ｔｉ相．热磁测量在３９０及５２０℃附近出现了两个明显的磁性转变峰，与薄膜结构变化对应．适当温度（４００—５２０℃）的退火可获得高饱和磁化强度的Ｃｏ－Ｔｉ颗粒膜．     

Co／C多层膜的结构稳定性

用Ｘ射线衍射、透射电镜、Ｒａｍａｎ光谱、Ｘ射线光电子谱等测量方法研究了用对向靶溅射法制备的Ｃｏ／Ｃ多层膜的结构热稳定性．退火Ｃｏ／Ｃ多层膜的结构变化包括周期膨胀、非晶Ｃｏ层结晶、掠入射反射率变化以及化合物的形成．４００℃退火，周期膨胀主要是由于非晶碳层的石墨化．Ｃｏ／Ｃ系统的相分离造成掠入射反射率增强，可解释为Ｃｏ／Ｃ系统的正的混合焓．５００℃退火，Ｃｏ层的结晶和集聚导致了周期的异常膨胀和反射率的降低．此时界面处形成了少量的碳化物．     

一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法

提出了一种基于串联模式精确地检测半导体二极管正向电特性的新方法.利用该方法,不仅可以得到二极管在不同电压下的串联电阻、结电容、结电压、理想化因子等值,还能判断一个实际的二极管有无界面层存在并得到其界面层阻抗值.用此方法对Ni/n-GaN肖特基二极管进行了检测,所有的实验结果与理论分析相符合.实验中确认了在GaN肖特基二极管中结的负电容和具有非线性电阻和电容的界面层的存在.     

激光二极管正向电特性的精确检测

采用正向交流特性结合I-V特性的方法,检测了激光二极管的串联电阻、理想因子、结电压和结电容与外加电压或电流的关系.首次发现,激光二极管的结电压、串联电阻、理想因子和结电容在阈值附近同时出现了明显的阶跃,之后结电压呈现饱和.此外还观察到,在较低的测试频率和较大的正向电压下,激光二极管的结电容具有负值.     

GaAs—Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器串联电阻的研究

一、引言GaAs-Al_xGa_(1-x)As双异质结激光器在国内、外光导纤维通讯系统试验段中已使用多年。实用化不仅要求它有稳定的模式特性和较长的寿命,而且还要求它有良好的电学性质和调制特性。对电学性质的要求包括了串联电阻。激光器的串联电阻大,会降低它的功率效率,要求信号系统输出较大的功率,增高工作时的结温,这加速了老化。目前国内研制的GaAs-Al_xGa_(1-x)As激光器的串联电阻一般都偏大。     

激光二极管正向电特性的精确检测

采用正向交流特性结合I-V特性的方法,检测了激光二极管的串联电阻、理想因子、结电压和结电容与外加电压或电流的关系.首次发现,激光二极管的结电压、串联电阻、理想因子和结电容在阈值附近同时出现了明显的阶跃,之后结电压呈现饱和.此外还观察到,在较低的测试频率和较大的正向电压下,激光二极管的结电容具有负值.     

一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法

提出了一种基于串联模式精确地检测半导体二极管正向电特性的新方法.利用该方法,不仅可以得到二极管在不同电压下的串联电阻、结电容、结电压、理想化因子等值,还能判断一个实际的二极管有无界面层存在并得到其界面层阻抗值.用此方法对Ni/ n- Ga N肖特基二极管进行了检测,所有的实验结果与理论分析相符合.实验中确认了在Ga N肖特基二极管中结的负电容和具有非线性电阻和电容的界面层的存在.