喹啉盐与吡啶盐花青染料分子酸致变色行为的研究

花青染料结构上的特点是共轭链上带有吸电子和给电子基团,色泽大多呈红、橙红色且摩尔吸光度大。由于吸电子和给电子基团均含有氮原子,对质子很是敏感,具有很好的酸致变色特性。当外来物种的侵入改变吸、供电子基团的电子结构后,往往改变了这种吸收光能的性质从而达到光开关的作用。本文分别研究了吡啶盐花青染料与喹啉盐花青染料分子以及在βˉ环糊精包络后酸致变色行为的变化。结果表明这类分子经βˉ环糊精包络前、后均具有较好的酸致变色性能。     

纳米柱InGaN/GaN多量子阱的干法刻蚀制备技术

纳米柱GaN基多量子阱(MQW)拥有量子尺寸效应以及应变释放等特性,对于提高GaN基发光二极管(LED)的发光效率具有重要意义.采用快速热退火(RTA)形成的自组装Ni纳米颗粒作为刻蚀掩膜,利用电感耦合等离子体反应离子刻蚀(ICP-RIE)制备纳米柱InGaN/GaN MQW.通过改变RTA温度发现在800℃以上才能有效形成Ni纳米颗粒掩膜.不同的ICP和射频(RF)功率条件下制备的纳米柱MQW光致发光强度相比于相同结构的平面MQW会发生显著变化.通过优化ICP-RIE的刻蚀条件,可以获得发光强度显著提高的纳米柱MQW结构.同时,纳米柱MQW中压电极化场的减弱会形成光致发光峰位蓝移.     

铝铜合金对LED芯片电极可靠性的影响

发光二极管(LED)芯片反射电极中铝的稳定性对芯片的可靠性至关重要,少量铜的加入可改善铝的耐电流性.理论计算了电子柬蒸镀沉积时,镀源和镀膜中铜质量分数的对应关系.对纯铝和不同铜质量分数的铝铜合金进行了金属线耐电流测试和薄膜反射率测试,并对纯铝或铝铜合金电极的LED芯片进行了老化测试.结果表明,相对于纯铝电极结构,铜质量分数为2％的铝铜合金电极在几乎不影响反射率的前提下,可显著提高电极的耐电流性能.以铝铜合金为电极的LED芯片在老化过程中,可有效阻止铝的电迁移,从而显著提升了LED芯片的可靠性.     

三苯胺-PAMAM树枝分子的单／双光子荧光增强

合成了新的发光分子-4-N,N-二苯基氛基苯甲酸琉角酸亚胺(简称TBA-SCM ),利用其琉拍跳亚胺基与PAMAM所含的氛基之间高度反应活性,将三苯胺甲统基组装键合在树枝分子PAMAM (0～3G)表面,构筑新的树枝分子TBA-PAMAM.研究表明,在稀溶液(10-6)下未观测到TBA-PAMAM的荧光增强现象;当浓度...