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多晶材料晶粒生长的Monte Carlo计算机模拟方法:I模拟正常晶粒生长 总被引:7,自引:1,他引:6
多晶固体材料的显微结构的演化与诸多因素密切相关,是一复杂的过程,运用适当的计算机方法进行模拟完成对晶粒生长的完全预测,具有重要意义,且可为材料研究提供新的重要的依据,近年来,一些材料科学研究者运用蒙特卡罗(MonteCarlo)方法模拟二维晶粒生长,以取得了较大进展,本文对他们在模拟正常晶粒生长方面采用的基本方法进行综述。关于模拟异常晶粒生长的情况将在一篇文章中介绍。 相似文献
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多晶材料晶粒生长的MonteCarlo计算机模拟方法:II.模拟异常晶粒生长 总被引:3,自引:3,他引:0
晶粒生长的显微结构的演化是一种受诸多因素影响的复杂过程,前文已简述模拟二维正常晶粒生长所采用的基本蒙特卡罗(MonteCarlo)方法,异常晶粒生长的最直接原因是总体系能的改变。而导致体系能变化的因素很多,本文在重点分析由于晶界能和迁称率的各向异性引起体系能量变化的基础上,介绍模拟异常晶粒生长的基本方法,为解决如何实际一长环境复杂性引入生长模型中及如何进一步模拟生长的问题提供重要思路。 相似文献
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