评价IC芯片质量与可靠性的关键技术研究

对CPK、SPC和PPM三项评价IC芯片质量和可靠性的关键技术进行了研究.使用这三项技术,实际评价了芯片制造工艺中的氧化工艺.实践证明,这三项技术在工艺生产能力评估、工艺过程控制和失效分析等方面具有广阔的应用前景,特别是在工艺过程中对特殊工艺的评估.     

不同糯性谷物淀粉性质的比较研究

本研究选取圆糯米、血糯米、糯小麦、糯玉米、糯小米(糜子)、糯高梁和糯薏米为原料提取淀粉,比较研究了7种糯性谷物淀粉的性质,为其应用提供一定的参考。结果表明:透光率以糯玉米和糯高粱淀粉最大,为20%左右;糯薏米和糯小麦淀粉较易凝沉;50℃下圆糯米、血糯米和糯玉米淀粉的膨胀势较大;圆糯米淀粉的冻融稳定性最差,而糯小麦、糯玉米、糯小米(糜子)和糯高粱淀粉的较好;糊化温度以糯小米(糜子)淀粉最大,为67.8℃,而圆糯米、血糯米和糯玉米淀粉的糊化温度最小,均为60℃;7种糯性谷物淀粉的峰值粘度、保持粘度和最终粘度以糯小麦、糯高粱和糯薏米淀粉的最大,糯玉米淀粉的最小;由回升值/峰值粘度的大小可知,糯玉米淀粉最不易老化,糯薏米淀粉最易老化;糯高粱、糯小麦和糯薏米淀粉的抗剪切作用较弱,而血糯米和糯玉米淀粉在剪切过后有变稠的趋势。     

白酒生产企业质检队伍建设

产品质量是白酒企业的生产命脉,质检部门在白酒生产企业质量管理工作中作为原辅材料进厂检验、生产过程控制、产品出厂把关和报告的机构,在保持和稳定产品质量的工作中起着重要的作用.加强质检队伍建设是确保质检工作顺利开展、发挥作用的关键.     

机械活化玉米淀粉的辛烯基琥珀酸酐酯化改性

采用行星式球磨机对玉米淀粉进行机械活化,再与辛烯基琥珀酸酐（octenyl succinic anhydride,OSA）发生酯化反应制备OSA淀粉酯。研究机械活化时间、反应温度、反应体系pH值、淀粉乳质量分数、反应时间因素对玉米淀粉酯化反应的影响,并采用二次回归正交旋转组合设计方法和响应面分析对制备条件进行优化。结果表明,机械活化对玉米淀粉OSA酯化反应有明显的增强作用,且反应不受pH值的影响;得到最优工艺条件为机械活化10 h、反应温度33.1 ℃、pH 8.45、淀粉乳质量分数12.2%、反应时间3 h,在此条件下制得机械活化辛烯基琥珀酸淀粉酯的平均取代度为0.020 3。     

湖北利川山药零余子皂苷的提取工艺研究

湖北利川山药零余子含有丰富的皂苷,研究其皂苷的提取工艺对指导其开发利用具有很强的现实意义。本文应用单因素试验和正交试验的方法研究浸提温度、乙醇体积分数、料液比、浸提时间等四个因素对皂苷提取率的影响。用薯蓣皂苷为标准对照品,使用香草醛-高氯酸显色法,在544nm的波长下测定吸光度确定样品皂苷含量。结果表明:主要的四个影响因素的主次顺序为:乙醇体积分数浸提温度料液比浸提时间。通过对正交试验结果的分析得到零余子皂苷的最佳提取工艺条件为:浸提时间7h、浸提温度70℃、乙醇体积分数70%、料液比1∶9。验证试验表明,在最佳提取工艺条件下得到的湖北利川山药零余子皂苷提取率最大,达到0.054%。     

具有埋层的大功率集成器件二维简化模型分析

对具有埋层结构的集成大功率器件提出了导通电阻自限制二维模型.在假定条件成立时,推导出器件二维模型导通电阻自限制公式,得出了具有埋层结构的集成大功率器件结构其比导通电阻是随着面积不断增大的结论.通过实验,证实了该结论预测趋势的正确性.该结论对类似集成化大功率器件结构设计具有一定的指导作用.     

一种可集成高密度氮氧化硅介质工艺

针对传统二氧化硅、氮化硅等介质材料在制作MOS电容时存在电容密度低、界面特性差的问题,通过对氮离子注入、氮硅氧化实验的分析,成功开发出一种采用注入氮并氧化制作氮氧化硅介质材料的工艺;并使用该工艺研制出与36 V双极工艺兼容、介质的相对介电常数为5.51、击穿电压达81 V、电容密度为0.394 fF/μm²的高密度MOS电容,较传统可集成二氧化硅/氮化硅复合介质电容的电容密度提高了35.86%。该工艺还可用于制作大功率MOSFET的栅介质,可提高器件的可靠性。     

多晶硅发射极晶体管电流增益工艺稳定性研究

针对多晶硅发射极晶体管实际工艺中出现的电流增益异常波动问题,首先从原理上进行了分析,其次通过与正常批次PCM数据进行对比,发现基极电流I_b存在一个量级的差异。设计了较为完整的DOE工艺试验,进行了对比和验证。结果表明,多晶硅/硅界面氧化层厚度一致性差、波动大是电流增益异常波动的主要原因。该研究结果为解决类似问题提供了有价值的参考。     

一种超βNPN晶体管的研制

阐述了一种超β NPN型晶体管的研制及实现批量生产的过程。该晶体管在VCE=5V、Ic=500mA大电流下工作时，电流增益可达到900-1800，且器件的BV CEO、BV CBO耐压比较高，其中，BV EBD达15V以上，完全满足低频大电流超高增益晶体管的实用要求。     

双极电路欧姆接触问题的工艺分析与解决方案

为解决一种双极集成电路在生产中欧姆接触电阻过大的问题,针对关键工艺进行了统计分析和专项实验,找到了问题的原因和解决方法,对提高大规模集成电路的工艺制造稳定性具有非常重要的意义。