p型含氮CZ—Si单晶的退火性质

本文报道了在不同热处理条件下P型含氮CZ-Si单晶材料的退火性质。实验表明:400℃及1100℃温度的退火处理都会在含氮CZ-Si单晶中产生新的施主态。400℃退火时产生的施主态会在高温(T>600℃)退火时迅速消灭,它与单晶中N-O复合体的生成和生长机制有关;1100℃退火时产生的施主态则与材料中的氮沉淀有关。     

发射结磷扩散方法的改进

分析了高温高浓度磷扩散工艺生产中的种种弊病，提出了类似于硼扩散的磷扩散方法，详细分析了新方法的可行性及优点，实验结果和理论分析一致。     

基于单片机的颜色识别系统

介绍了硅双结型色敏器件的工作原理,给出了一种基于89C52单片机为运算、控制核心的颜色识别系统的硬件、软件设计.结果表明,系统设计合理,完全达到技术要求.     

GaN蓝光LED电极接触电阻的优化

通过分析LED的工作电压和晶圆上两相邻N电极间电阻来讨论快速退火(RTA)和表面处理对GaN基蓝光LED接触电极的影响.研究了p-GaN表面处理对Ni/Au与p-GaN接触电阻的影响.结果表明,用KOH清洗p-GaN表面比用HCl清洗更能有效地改善Ni/Au与p-GaN的接触电阻.讨论了在氧和氮混合气氛下两种退火温度对P电极接触电阻的影响,当退火温度从570 ℃升到620 ℃时接触电阻升高.研究了氮气氛下不同退火温度和时间对LED电极接触的影响,发现在480 ℃下连续退火对N接触有利,但却使P接触变差,而450 ℃、10 min的氮气氛退火能同时得到较好P接触和N接触.     

颜色探测的研究与进展

介绍了基于光吸收系数强烈依赖于波长的硅色敏器件的结构、颜色探测的信号处理电路以及颜色探测应用的研究与进展。利用双结色敏器件和合适的信号处理电路,已使单色光的分辨能力达到了纳米量级．     

注入光敏三极管的基本特性和分析

本文介绍了注入光敏器件的物理基础、注入光敏三极管的基本结构和特性。通过与普通光敏三极管的比较，可以看出注入光敏器件的特征所在．最后，用我们提出的理论对注入光敏三极管的特性进行了合理的解释．     

光敏三极管响应速度与器件结构参数的关系

对影响光敏三极管光电响应速度的器件结构进行了理论和计算机数值分析。结果表明 ,与基极电阻和电流增益相关的基区宽度是器件优化设计的重点之一。实验结果与分析结果较好一致。选用合适的基区宽度并采取其他措施 ,可使光敏三极管的响应时间降至 0 .6 μs以下。     

硅双结型颜色传感器的研究

硅双结型色敏器件的短路电流比与入射光波长存在线性关系,双结型色敏器件与合理设计的信号处理电路组成的颜色传感器对单色光波长以及颜色差别有良好的分辨能力。     

全色波段硅双结型色敏器件的研制

通过理论分析得出硅双结型色敏器件中掺杂浓度和两个结的结深是影响光谱响应范围的主要因素。通过选择不同的器件结构和工艺条件，得到了色敏器件对蓝紫光的响应，完成了金色波段硅双结型色敏器件的研制。     

有机薄膜晶体管研究进展

有机薄膜晶体管是一种受到日益重视和正被广泛研究的新型电子器件。本文论述了有机薄膜晶体管的优点、基本结构、材料以及近几年来国外在该领域的最新研究进展。并对有机薄膜晶体管的应用前景做了展望。