一种改进的辐射传输计算方法

精确、快速计算辐射传输一直是大气辐射学中的一个重要研究课题。我们在Knut Stamnes的离散纵标法（1988）[1]的基础之上,提出了一种辐射传输四流近似计算方法。该算法可以得到一个解析解,并且通过作数值计算,可以看到本算法的计算精度是令人满意的。     

汽车主动防撞系统的中频信号处理模块

为对汽车主动防撞系统的核心硬件进行设计,需首先构建中频信号处理模块。在计算得到滤波及放大电路的关键参数后,基于双运放MC33078,设计实现了包含高通和低通两个单元的滤波电路。利用可调增益放大器AD603和静电计级运算放大器OPA128等设计实现了AGC环路,该环路同时包含可调增益放大器、峰值检波电路和AD/DA转换电路。对所设计的关键电路进行了模拟验证,并通过对静态目标的测距实验,验证了本中频信号处理模块对雷达测距的适用性和测试值相对于计算值的准确性。     

基于变化电子流向的一种高压VDMOS静态物理模型

研究了高压VDMOS内部电子流向的变化,提出了其近似解析表达式,在此基础之上,求得了电子密度分布变化的解析表达式,从而建立了高压VDMOS的一种改进静态物理模型。计算结果表明,由于这一模型是基于更为合理的电子流向变化和电子密度分布变化的解析表达式而建立的,所以与Yeong-seuk Kim等人模型和参考文献[2]的模型相比,在较大的工作电压范围内,其计算精度的提高都是非常显著的。     

考虑准饱和效应的一种改进VDMOS物理模型

在考虑准饱和效应的情况下,给出了能够精确描述漂移区纵向电场对电子迁移率影响的微分方程,建立了包括用解析方法求解该方程、漂移区电压降求解方法等在内的一整套处理方法,并由此提出了VDMOS的一种改进物理模型.计算结果表明,与Kim Yeong-Seuk等人提出的模型相比,该改进模型在更大的工作电压范围内都具有较高的计算精度,特别是在VDMOS发生准饱和效应时,计算精度有较大程度的提高,更加符合MEDICI的模拟结果.     

一种基于升压DC-DC变换器的白光LED驱动芯片

设计了一种升压型恒流LED驱动芯片,驱动电流可由外接电阻从15～300 mA任意调整,输入电压为2.8～5.5 V,输出电压最高可达38 V.设计固定开关频率为1 MHz,应用时只需很小的外接电感即可.相对于其他驱动器电路,该驱动器增加了过压保护电路,无需外接稳压二极管,降低了应用成本.采用上华0.5μm BCD工艺完成芯片的设计,传输效率高达94％.     

基于Saber的一种简化LDMOS静态物理模型

通过深入研究高压LDMOS器件内部的物理特性,给出了一个简化LDMOS物理模型。在漂移区,采用解析方法求解漂移区电场微分方程,经过合理假设,利用一种改进算法得到漂移区的电压降,在保证模型一定精度的前提下,简化了模型计算过程。特别是,根据Saber软件建模要求,将其改造成为适用于Saber的一个LDMOS模型,该模型能够嵌入到Saber进行电路仿真。     

高压VDMOS器件的SPICE模型研究

基于高压VDM O S器件的物理机理和特殊结构,对非均匀掺杂沟道、漂移区非线性电阻及非线性寄生电容效应进行分析,用多维非线性方程组描述了器件特性与各参数之间的关系,建立了精确的高压六角型元胞VDM O S器件三维物理模型,并用数值方法求解。基于该物理模型提出的等效电路,在SP ICE中准确地模拟了高压VDM O S的特性,包括准饱和特性和瞬态特性。在全电压范围内(0~100 V),直流特性与测试结果、瞬态特性(频率≤5 MH z)与M ED IC I模拟结果相差均在5%以内,能够满足HV IC CAD设计的需要。     

微电子实践教学与学科竞赛互动研究——以《集成电路版图设计》为例

微电子专业实践教学和学科竞赛相互融合、互动发展,是新世纪微电子专业教育理念和人才培养模式新的探索,对于学生实际动手能力的培养和实践教学内容、方式的改进具有重要的理论和现实意义。     

高压VDMOS物理模型的发展与比较

本文研究了高压VDMOS物理模型的发展过程,详细比较了不同高压VD-MOS物理模型的优缺点.可以看出,在高压VDMOS物理模型中,对于半导体基本物理方程,通常是在合理近似的条件下用解析方法求解,不同的模型有着不同的近似方法和近似条件.建立高压VDMOS物理模型的一个重要目的是以此为基础建立高压VDMOS等效电路模型,所...     

高共模输入电平的迟滞比较器设计

提出了一种新颖的基于双极工艺的迟滞比较器,该电路在保持了传统电路的高共模输入电平和低功耗的优点的同时,在电路结构上比传统的电路节省了一级射随器。此外,为了保证该迟滞比较器中两级运算放大器的稳定性还进行了频率补偿的研究,并对该电路的稳定性进行了仿真,其仿真结果保证了60°的相位裕度。该迟滞比较器的电路使用华润上华1μm双极晶体管工艺实现,芯片测试结果表明,其上阈值点为7.4 V,下阈值点为6.92 V,迟滞电压约为0.48 V,输出高电平约为0.76 V,电路工作稳定。