关于金属XPS的Gadzuk-unji线型

本文用数值计算分析了金属X射线光电子谱的Gadzuk-Sunjic线型,将它同Doniach-Sunjic线型作了比较,指出了它的若干不合理之处。     

氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化

研究了直拉硅单晶片在氮气氛下热处理时的表面氮化,利用了XPS(X射线光电子谱)、SEM(扫描电子显微镜)、金相显微镜、XRD(X射线衍射仪)等手段研究了在高纯氮和非高纯氮保护条件下不同温度热处理后的样品表面,结果发现只有用高纯氮保护和温度高于1100℃的条件下,氮气才能与硅表面发生反应,生成氮化硅(Si3N4)薄膜,否则氮保护中微量的氧气会和硅表面发生反应,生成二氧化硅(SiO2)薄膜.     

钒(100)面硫、氧偏析的角分辨AES研究

利用角分辨电子谱仪测量了偏析O存在的V(100)-(8×1)和编析S、O同时存在的V(100)-(2×2)表面中O(KVV)、S(152.5eV)与V(L_3M_ 2,_3V)的极分辨谱。O(KVV)和S(152.5eV)极分辨曲线拟合分析及(2×2)中O(KVV)/S(152.5eV)随极角θ增大而增大,得出偏析S在偏析O层之下。V(L_3M_2,_3V)Auger电子衍射分布表明该电子前向散射起主导作用。并进而讨论了偏析S、O的结构。     

V(100)面硫、氧偏析特性

一、引言钒氧化物可作为多相催化剂,钒氢化物有贮氢功能。钒金属表面物理、化学特性的研究有很重要的意义。但由于钒具有强的化学活性及体硫、氧杂质的偏析,给表面清洁带来很大困难,以至于关于钒表面物理、化学特性的研究相对较少。     

半金属铋薄膜导电特性和粗糙度的研究

本论文利用真空镀膜方法在云母片上生长半金属Bi薄膜,测量了薄膜生长厚度与电阻之间的关系,并用原子力显微镜(AFM)研究了云母表面半金属薄膜电阻变化与薄膜粗糙度间的关系.生长初始阶段,薄膜先形成孤立的三维小岛(典型高度1 nm,直径10 nm,间距10 nm),随后互相聚结形成网状结构,薄膜不导通(R≥20 MΩ),粗糙度随膜厚增加而减小.当等效厚度d=1.74 nm时,薄膜导通(R≤13 MΩ),薄膜的形貌变为有小孔洞的连续状结构,粗糙度在此厚度附近达到最小值然后又增大.随着薄膜继续生长,连续状结构的厚度增加,薄膜电阻随之迅速减小,当d≥2.4 nm时薄膜电阻趋近于稳定值2kΩ.     

纳米碳管-(Ni-P)复合材料制备及性能

采用化学复合镀的方法,在45#钢衬底上制备纳米碳管(CNTs)-(Ni-P)复合材料。探讨了该复合材料的制备技术及工艺条件,通过对实验结果的观察和分析,确定了制备CNTs-(Ni-P)复合材料的最佳工艺条件。利用透射电镜(TEM)观察纳米碳管的结构;用扫描电镜(SEM)观察纳米碳管形貌及其在复合材料中的分布;利用原子力显微镜(AFM)观察复合材料表面的粗糙度。同时还对纳米碳管复合材料的耐磨性进行了初步的测试。实验结果表明,该复合材料的耐磨性明显好于未镀及单纯镀镍材料。     

氮气氛中高温热处理硅片表面的直接氮化

研究了直拉硅单晶片在氮气氛下热处理时的表面氮化,利用了XPS(X射线光电子谱)、SEM(扫描电子显微镜)、金相显微镜、XRD(X射线衍射仪)等手段研究了在高纯氮和非高纯氮保护条件下不同温度热处理后的样品表面,结果发现只有用高纯氮保护和温度高于110 0℃的条件下,氮气才能与硅表面发生反应,生成氮化硅(Si3 N4 )薄膜,否则氮保护中微量的氧气会和硅表面发生反应,生成二氧化硅(SiO2 )薄膜.     

Au-GaAs(īīī)界面特性的研究

我们对Au—GaAs(īīī)界面进行了角分辨AES和UPS研究。分析了Au、Ga和As原子在热退火前后的界面行为,同时由功函数变化定性地讨论了界面势垒的形成。     

有机半导体二萘嵌苯在Ru(0001)表面上有序结构的电子态

在Ru(0001)表面上,四个与有机半导体二萘嵌苯(Perylene)分子轨道相关的谱峰分别位于费米能级以下4.5、6.3、7.2、9.9 eV处.在界面处它们的结合能相对较低,反映了界面处有机吸附层与衬底之间的相互作用,衬底中的电子部分地转移到了有机分子的一个或几个轨道上了.低能电子衍射的结果表明:当沉积厚度接近一个单层时,Perylene分子在Ru(0001)表面上形成一种类似(4×4)的有序结构.角分辨紫外光电子能谱的结果表明:Perylene分子平面平行于Ru(0001)表面,而分子的长轴沿[1000]方向取向.随着衬底温度的上升,有机半导体材料在Ru(0001)表面以脱附的形式逐渐减少,在150 ℃以下没有分解发生.