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采用提拉法快速(6mm/h)生长了透明、φ45mm×50mm完整的铝酸锂晶体,但晶体中下部出现了一个树状、乳白色的核芯.分别从透明和乳白色核芯部位取样,研磨作粉末X射线衍射测试,发现两个样品所有的衍射峰均可以用γ-LiAlO2指标化.双晶摇摆曲线显示晶体透明和乳白色部位的半高宽分别为116.9arcsec和132.0arcsec,结晶质量较差.通过三步气相传输平衡法(简称VTE)处理后,透明部位半高宽值(FWHM)降至44.2arcsec,乳白色部位FWHM值降至53.3arcsec.结合快速生长和VTE技术,可以得到40mm×40mm高质量的铝酸锂晶片. 相似文献
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对提拉法生长的Ce;YAIO3(简称为Ce:YAP)晶体的开裂现象进行了研究,认为引起开裂的主要内在因素是YAP晶体热膨胀系数的各向异性。研究了Ce:YAP晶体的[010],[101],[121]等几个主要方向在30~800℃范围内的热膨胀系数曲线。结果表明:沿[010]和[101]方向的膨胀系数相差最大。通过对晶体中热应力分布的计算,得出晶棱显露处为应力集中点,指出晶体容易产生开裂的方向是[010]和[101]。通过对晶体的显微形貌观察发现,晶体中存在微裂纹。晶体的各向异性热膨胀系数,晶体生长过程中大的温度梯度以及快的降温速率等是Ce:YAP晶体产生开裂的主要原因。 相似文献
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Ce: YAG荧光陶瓷具有突出的导热性及化学稳定性, 相比有机硅胶封装法在高功率白光LED的应用上具有更广阔的应用前景。本研究采用真空固相烧结法制备了不同Gd掺杂浓度的(Gd, Y)3Al5O12:Ce样品, 通过XRD, SEM及荧光光谱等表征手段, 研究了Gd掺杂对Ce:YAG荧光陶瓷的晶体结构及其用于白光LED时对发光性能的影响。实验表明, 随着Gd掺杂浓度的提高, Gd3+取代Y3+ 的位置进入晶格, 使得样品的晶格常数增加。Gd3+还影响了Ce3+对蓝光的吸收, 同时Ce3+将蓝光转换成黄光的效率也下降, 导致光效从81.45 lm/W降低至63.70 lm/W。Gd的掺 杂使Ce3+的光致发光谱峰位从534 nm向564 nm红移, 显色指数从61.3提升至70.2。Gd的掺杂虽然降低了发光 效率, 但显著提高了(Gd, Y)3Al5O12:Ce样品的显色指数, 使得黄色YAG荧光陶瓷应用于白光LED的性能得到了 提高。 相似文献
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InN和GaN系衬底材料的研究和发展 总被引:1,自引:0,他引:1
InN和GaN是宽禁带半导体中最重要的光电子材料,但现在还存在一些技术上的困难阻碍了它们的研究进展,其中一个重要的问题就是缺少合适的衬底材料.虽然现在对衬底材料的要求相对降低了,但为了生长出高质量的外延薄膜,选择合适的衬底材料还是非常必要.本文针对目前使用的InN外延衬底材料分别进行了讨论,评价了它们的优缺点,指出目前实用的InN衬底材料是有限的,应用最多的还是蓝宝石衬底和MgAl2O4晶体,且MgAl2O4晶体比蓝宝石晶体更有前景. 相似文献
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磁光材料作为激光隔离器中的核心部分,在激光系统尤其是高功率激光器中起到确保激光单向传输、保护种子源及前端系统、稳定激光输出的重要作用。介绍了目前近红外波段高功率隔离器中磁光材料的国内外研究现状,阐述了磁光材料在高功率条件下的关键磁光特性及其对器件性能的影响。对比了常用的TGG单晶、铽玻璃与数种新型高功率磁光材料如TSAG单晶、TAG陶瓷和TGG陶瓷的高功率性能,重点讨论了掺杂离子和制备工艺对TAG陶瓷高功率磁光性能、热光性能的影响以及最近TAG陶瓷研究的新进展,及其重要应用需求,探讨了仍处于起步阶段的3~5 μm“大气窗口”中红外波段磁光材料的发展方向及前景。 相似文献
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用电子束蒸镀方法在(100)单晶Si衬底上,生长Zn0.85Co0.15O薄膜,并研究了衬底温度对薄膜质量的影响,结果表明当衬底温度为400℃时,外延膜取向性最好,且其(002)衍射峰半高宽最窄(为0.4834°)。 相似文献