高频氧等离子体制备氧化铝膜的微结构与光学常数

将真空蒸发沉积的Al膜 ,在一台高频等离子体辉光放电的装置中进行阳极氧化 ,得到了光学和电学性能稳定的Al2 O3 膜。Al膜表面氧化层结构是γ Al2 O3 ,在波长 30 0～ 70 0nm范围内折射率为 1 5 3～ 1 34。文章还对用不同方法制备的Al2 O3 膜的折射率的差异进行了讨论     

Ag-MgF2复合金属陶瓷薄膜的结构与光学特性研究

以真空烧结的Ag-MgF2粉体为蒸发材料,用真空蒸镀法制备了Ag-MgF2金属陶瓷薄膜,X射线衍射、红外以及紫外-可见光谱研究表明:薄膜为由纳米fcc-Ag晶粒镶嵌于主要为非晶态的MgF2基体中构成.在400～1600cm-1波数范围,Ag-MgF2金属陶瓷薄膜具有400～600cm-1的MgF2晶体特征吸收带和Ag-MgF2复合结构产生的730～1250cm-1的吸收谱带;在200～800nm波长范围,Ag-MgF2金属陶瓷薄膜对波长为220～800nm的光波均具有很低的反射率和很强的吸收,对波长为340～580nm的光波吸收率高达85%以上;而在紫外光区,Ag-MgF2薄膜则具有高反射率(＞51%).     

Ag—MgF2金属陶瓷体的烧结条件与微观结构

本文报道了Ag-MgF     

Zn0.85Co0.15O薄膜的制备及其结构分析

用电子束蒸镀方法在(100)单晶Si衬底上,生长Zn0.85Co0.15O薄膜,并研究了衬底温度对薄膜质量的影响,结果表明当衬底温度为400℃时,外延膜取向性最好,且其(002)衍射峰半高宽最窄(为0.4834°)。     

Ag-MgF_2金属陶瓷体的烧结条件与微观结构

本文报道了Ag -MgF2 金属陶瓷体的烧结条件与微观结构之间的关系。X射线衍射分析表明 ,当真空烧结炉中有氧气氛存在时 ( 3 0Pa的低真空 ) ,如烧结温度T≥ 60 0℃ ,Ag -MgF2 体系将转变为Ag -MgF2 -MgO ;当烧结温度达到 12 5 0℃时Ag -MgF2 体系转变成为Ag -MgO。在高真空中 ( <10 -3Pa)烧结时 ,Ag -MgF2 体系将保持不变。烧结后的Ag -MgF2金属陶瓷体的空隙率 ,在 3 0 %～ 5 5 % (质量分数 )Ag范围内出现极大值。     

基底温度对Ag-MgF2金属陶瓷薄膜内应力的影响

用电子薄膜应力分布测试仪测量了基底温度对Ag-MgF₂金属陶瓷薄膜内应力的影响。结果表明:基底温度在300℃~400℃范围内,φ20.4mm选区内的薄膜平均应力最小,应力分布比较均匀,应力为张应力。XRD分析表明:当基底温度在300℃~400℃范围内,Ag-MgF₂薄膜中的Ag和MgF₂组分的晶格常数接近块体值,说明通过改变基底温度可以降低薄膜内应力。      

Al-MgF_2金属陶瓷薄膜的微观结构与光学特性

本文首次报道了用真空蒸发制备的Ａｌ－ＭｇＦ２ 金属陶瓷薄膜微观结构与光学特性。在２００～８００ｎｍ 波段，薄膜的反射率很低，为１％ ～２．５％ ；透射率则呈抛物线上升，至８００ｎｍ处达７２％ ；吸光度随波长增大呈指数下降。Ａｌ－ＭｇＦ２ 金属陶瓷薄膜的这种光学性质与其微观结构有关。文章还对Ａｌ－ＭｇＦ２ 金属陶瓷薄膜的制备技术和氧化现象进行了讨论。     

MgF2在变温过程中的结构变化研究

采用X射线衍射仪高温附件测定了MgF2粉末从室温至1000℃的温度范围内的XRD谱，用Rietveld全谱拟合方法精化了各个温度下的相关参数。研究发现：置于大气中的纯MgF2高温易氧化．在700℃左右存在一个异常膨胀区，MgF2的两个F原子随温度升高有一种围绕Mg原子转动的趋势。     

薄膜厚度对Ag-MgF2金属陶瓷薄膜内应力的影响

用电子薄膜应力分布测试仪测量了薄膜厚度对 Ag- Mg F2 金属陶瓷薄膜内应力的影响 ,结果表明 :薄膜厚度在 130 nm、2 0 .4m m选区内的薄膜平均应力最小 ,应力分布比较均匀 ,应力为压应力。XRD分析表明 ,当薄膜厚度在 70～ 40 0 nm范围内 ,Ag- Mg F2 薄膜中的 Ag的晶格常数变化比较大 ,说明 Ag晶粒结构对薄膜结构的影响较大 ,从而对薄膜内应力的影响也较大