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用射频等离子体化学气相沉积法(RFCVD)和CH4、N2与Ar组成的混合气体制备掺氮类金刚石薄膜(a-C:H:N)。用原子力显微镜(AFM),俄歇电子能谱(AES),红外光谱(IR)以及显微拉曼谱(Micro-Raman)对a-C:H:N薄膜的表面形貌、组分和微观结构进行了表征。实验结果表明,薄膜中有纳米量级的颗粒存在,而且随反应气体中N2与CH4比值的增大,薄膜中氮元素的含量也随之增大,并主要以C-N键和N-H键形式存在,少量以C≡N键形式存在,还研究了热退火对a-C:H:N薄膜的电导率的影响。 相似文献
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由 C_(60)和类金刚石碳膜( DLC)组成的多层复合膜可在 Si、 玻璃和其它衬底上通过真空升华 沉积和随后以 CH4和 H2作为反应剂用射频化学气相沉积( RFCVD) 的方法制备。这种膜的若干 特征可由拉曼谱( Raman)表征。复合膜电阻与介电常数由低频( LF)阻抗分析仪进行研究从而得 到膜电阻、介电常数和频率间的关系。这些结果表明:在各种频率下的此类复合膜的电阻与纯 C_(60) 膜基本一致,但是纯 C_(60)膜随频率变化的电容率与复合膜明显不同。这些现象与结果可通过电 介质的德拜模型和介质松弛理论进行分析与讨论。根据相应的 Debye模型方程式,实验测得的 介电常数和频率间的关系经计算机拟合,得到了复合膜的松弛时间,介电常数等。拟合结果基本 上与实验数据一致。 相似文献
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采用等离子增强化学气相法 (PECVD)在碲镉汞 (MCT)衬底上沉积纳米颗粒的类金刚石薄膜 (DLC) ,对DLC MCT界面进行了俄歇电子能谱 (AES)分析 ,并与离子溅射法 (IS)沉积的ZnS MCT界面比较 ,结果表明DLC和ZnS薄膜都能较好地抑制MCT中HgTe的分解 ,在一定程度上阻挡了MCT中Hg的外扩散 .相对于ZnS中的S而言 ,DLC的C在MCT中的内扩散深度较小 (前者为 4 0 0 ,而后者仅为 2 0 0 ) .红外透射光谱结果表明DLC膜比ZnS膜具有更好的抗反射效果 相似文献
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采用微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)法成功地在多孔硅上沉积出均匀、致密的金刚石膜。光致发光测量表明,金刚石膜可以有效稳定多孔硅的发光波长和发光强度,具有明显的钝化效应。金刚石膜的这个特点再加上高硬度特性使金刚石膜成为多孔硅的一种潜在的钝化膜。 相似文献
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由C60和类金刚石碳膜(DLC)组成的多层复合膜可在Si、玻璃和其它衬底上通过真空升华沉积和随后以CH4和H2作为反应剂用射频化学气相沉积(RFCVD)的方法制备,这种膜的若干特征可由拉曼谱(Raman)表征。复合膜电阻与介电常数由低频(LF)阻抗分析仪进行研究从而得到膜电阻、介电常数和频率间的关系。这些结果表明:在各种频率下的此类复合膜的电阻怀纯C60膜基本一致。但是纯C60膜随频率变化的电容率与复合膜明显不同,这些现象与结果可通过电介质的德拜模型和介质松弛理论进行分析与讨论。根据相应的Debye模型方程式,实验测得的介电常数和频率间的关系经计算机拟合,得到了复合膜的松弛时间,介电常数等。拟合结果基本上与实验数据一致。 相似文献
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