氧化锡基ZnO／SnO2UPF复合工艺对其微观结构的影响

着重讨论了用直流气体放电活化反应蒸发沉积法制备的氧化锡基ＺｎＯ／ＳｎＯ２超微粒子薄膜（ＵＰＦ）的制备工艺对其物相结合及表面形貌等影响。结果表明：复合型薄膜上层的ＺｎＯＵＰＦ比单层薄膜的ＺｎＯＦＵＰＦ致密；主要晶相成分为ＳｎＯ２相，并沿（００２）、（１１０）、（１０１）等晶面择优生长；ＺｎＯ相呈非晶态结构。     

拖动条件下气体分子动力学的微观理论

本文从微观的角度研究了分子流下稀薄气体动力学的新理论。在这一理论中,用传输矩阵法来计算传输几率,建立了一个理论上能满足任何复杂边界条件的三维动力学模型,最后,从理论上解释了为什么随着拖动速度的无限提高气体分子通过一个运动沟槽的传输几率趋于某一常数(该值小于1)而不是趋于1的原因。     

H_2O在Cu(110)清洁表面上吸附的TDS研究

一、前言H_2O与金属表面的相互作用愈来愈受到人们的重视,因为它在许多领域,诸如催化、腐蚀和电化学等方面皆有极强的应用背景。目前,人们把主要兴趣集中在研究H_2O在清洁金属表面吸附的结构及其动力学等。已被研究的金属有:Ru、Pt、Ni、Rh、Ag及Cu。在这些金属的清洁表面,H_2O吸附的主要模式为分子吸附,但偶而也有离解吸附现象发生。     

聚丙烯腈基炭纤维的扫描隧道显微镜研究

用扫描隧道显微镜研究聚丙烯腈基炭纤维的表面结构以及经过电化学腐蚀、拉伸试验和高温处理后的表面变化。未处理的纤维表面由沿纤维轴向排列的宽度不等的带状细纤维组成。随着放大倍数增加，表面显得粗糙，细纤维上分布着许多小晶粒，另外，还发现了构面炭纤维的细纤维呈螺旋结构环绕、沿轴向伸长，经电化学腐蚀后，纤维内部仍存在螺旋结构，经过拉伸的炭纤维。在其临近裂的区域里，观察到扩展的孔洞及周围不均匀区。     

STM研究Si(111)7×7表面畴界结构

根据对Ｓｉ（１１１）表面各种不同畴界的研究，我们发现并提出了在畴界形成过程中决定这些畴界结构的三个重要因素：二聚体（ｄｉｍｅｒ）和顶戴原子（ａｄａｔｏｍ，亦称吸附原子）之间的相互作用；７×７单胞中层错半单元（ｆａｕｌｔｅｄｈａｌｆ）和非层错半单元（ｕｎｆａｕｌｔｅｄｈａｌｆ）的差异；亚稳态的（２ｎ＋１）×（２ｎ＋１）结构的影响。     

离子注入条件下单晶银薄膜形成的理论探讨

在室温环境下，用不同的注入剂量将２４ｋｅＶ的Ｎ＋离子和３５０ｋｅＶ的Ｘｅ＋离子注入进多晶银薄膜中。对实验结果进行分析后发现，经离子注入后在银薄膜中出现了再结晶和晶粒长大现象。当注入的离子达到一定剂量时，多晶银薄膜转变成单晶银薄膜．本文对单晶银薄膜的形成机理作了探讨，认为与晶粒生长有关的主要因素是：（１）离子注入．过程中在薄膜内部产生的高密度的缺陷和位错促进了晶粒再结晶和晶粒生长。（２）由于晶格畸变而产生的界面张力为在晶粒初始再结晶以后的进一步长大提供了驱动力。（３）晶粒之间的取向差有助于晶粒的生长。（４）离子注入过程中产生的晶格弛豫效应促使薄膜中的应变能不断恢复和产生，使晶粒持续不断地再结晶而逐渐长大。（５）薄膜的基底对单晶薄膜的形成有一定影响。     

N~ 、Xe~ 离子注入银薄膜的实验分析

实验研究了离子注入对多晶银薄膜晶体结构及表面成份的影响。在室温环境下,将能量为24keV的N~ 离子和350keV的Xe~ 离子以不同的注入剂量注入到多晶银薄膜中。对离子注入前后的银薄膜样品进行了透射电子显微镜(TEM)观察和X射线光电子能谱(XPS)及俄歇电子能谱(AES)分析。经分析发现,离子注入后在银薄膜中出现了再结晶和晶粒长大现象,而且晶粒尺寸随注入离子的剂量增加而增加。当注入的N~ 离子剂量≥1.3×10~(17)Ions/cm~2及注入的Xe~ 离子剂量达到3×10~(16)Ions/cm~2时,多晶银膜转变成单晶银薄膜。本文对实验结果进行了讨论。     

用扫描隧道显微镜对材料进行表面修饰的研究

扫描隧道显微镜(STM)是对材料表面进行表面修饰(surface modification)和表面原子操纵(atomcraft)的重要工具。为了了解其机理,选择了场蒸发阈值从大到小有代表性的钨、铂、金、铜做针尖,扫描过程中在针尖与石墨表面之间施加针尖为正的脉冲电压,获得了一些新现象,并对实验结果作了比较,从而在一定程度上确定了脉冲制STM表面修饰实验中针尖与样品之间电场的重要作用。     

p-nitrobenzonitrile纳米有机薄膜的超高密度信息存储研究

采用扫描隧道显微镜（STM）在p-nitrobenzonitrile(PNBN)单体有机薄膜上进行信息记录点的写入研究。通过在STM针尖和高定向裂解石墨（HOPG）衬底之间施加一系列的电压脉冲进行信息记录点的写入,得到了一个信息点点径小于1nm,对应存储密度高达10^13 bit/cm^2的信息存储点阵,电流－电压（I－V）曲线表明,薄膜上非信息点存储区域是高电阻区,而信息点存储区域是导电区,具有0－1信息存储特性,PNBN单体有机薄膜的存储机制可能是规则排列的PNBN分子在强电场作用下由有序向无序的转变,使得薄膜的电阻由高阻态向低阻态转变,从而实现信息点的写入。     

神经丝的体外组装与结构分析

神经丝的体外组装与结构分析佟向军１陈建国１刘洁２庞世瑾２翟中和１（１．北京大学生命科学院，２．中国科学院高真空物理国家实验室）神经丝是第Ⅳ类中间纤维，特异地在神经细胞内表达，在神经轴突中相互平行排列成束，是神经细胞骨架的主要成分，占蛋白总量的８０％以...