Zn_（0．65）Cd_（0．35）Se－ZnSe量子阱自电光效应器件的制备和

利用ＭＯＣＶＤ技术和光电子器件工艺成功地制备了Ｐ－ｉ－ｎ结构的Ｐ－ＺｎＳｅ－（Ｚｎ０．６５Ｃｄ０．３５Ｓｅ－ＺｎＳｅＭＱＷ）－ｎ－ＺｎＳｅ自电光效应器件（ＳＥＥＤ）。在这种自由光效应器件中，在反向偏置电压下实现了由量子限制斯塔克效应（ＱｕａｎｔｕｍＣｏｎｆｉｎｅｄＳｔａｒｋＥｆｆｅｃｔ）引起的电光调制。     

MOCVD生长的CdZnTe／ZnTe多量子附的激子光学特性

用常压ＭＯＣＶＤ方法在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长了ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱。在室温下，观测到了ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱的三个谱带发光。根据ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱的吸收光谱和不同激发光强下的发光光谱，分别归结ＣｄＺｎＴｅ／ＺｎＴｅ多量子阱中观测到的三个发光谱带于覆盖层发光、ｎ＝１的重空穴激子发光及杂质发光。     

ZnSe/ZnCdSe多量子阱激子光学非线性

本文采用泵浦－探测技术研究了ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多量子阱室温激子饱和吸收，并根据Ｋ－Ｋ关系计算得到５２１．６ｎｍ至５４４ｎｍ的光学非线性折射率的变化．观测到由折射率变化引起的ＺｎＳｅ／ＣｄＺｎＳｅ多量子阱光双稳器件的室温激子光双稳．根据ＺｎＳｅ／ＺｎＣｄＳｅ多量子阱的激子吸收谱及激子的非线性理论，归结其主要非线性机制为激子态的相空间填充和激子带展宽．     

ZnTexSe1—x外延层的室温发光特性

用低压－金属有机化学气相沉积方法在ＧａＡｓ衬底上生长了ＺｎＴｅｘＳｅ１－ｘ单晶薄膜。在Ｎ２分子激光器激发下，首镒在室温，ＺｎＴｅ０．００５Ｓｅ０．９９５单晶层中观测到它的蓝带发光。随Ｘ值增加，ＺｎＴｅｘＳｅ１－ｘ中Ｓ１带消失，发光主要由一个绿     

量子点量子阱ZnS/HgS/ZnS/CdS的制备与光学特性

运用湿化学与表面化学方法制备了ＺｎＳ／ＨｇＳ／ＺｎＳ／Ｃｄｓ量子点量子阱（ＱＤＱＷ）结构,以吸收光谱、光致发光及激光谱表征该结构,并研究了外层ＣｄＳ对材料发光特性的影响,首次观测到ＣｄＳ对中间ＨｇＳ阱层发光的增强作用,并归因子隧道效应的存在。     

组合多量子阱的发光特性研究

通过在７７Ｋ时对ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅ组合多量子阱结构的发光特性的测量,我们观测到了分别来自两组量子阱的激子发光,其跃迁能量与采用包络函数法计算的结果相符。由于两组量子阱之间注入效应的存在,使得两组量子阱在变密度激发和时间分辨光谱中表现出不同的发光特性。     

电脉冲下ZnSe LD受激发射

用光助,低压MOCVD方法获得p-ZnSe,p-ZnSSe受主浓度为3×10     

CdS单晶的激子发射与激光

本文报导材料中的杂质与缺陷对 CdS 单晶的光致发光(PL)中激子光谱的影响。发现自由激子 Ex 及其声子伴线Ex—LO,Ex—2LO 的发射强度随 CdS 的纯度提高而增加。在 N_2激光器337.1nm 线激发下 CdS 单晶的受激发射和激光起源于 P 带。用天然解理面作谐振腔制成激光器,在337.1nm 光的泵浦下可以获得波长为495.4nm 的激光输出,其半高宽(FWHM)1.3nm,阈值激发密度0.8MW/cm~2。     

ZnCdTe-ZnTe多量子阱的谱线增宽

通过对Ｚｎ ｘＣｄ１ － ｘＴｅ－ ＺｎＴｅ 多量子阱的光致发光研究,讨论了该材料的谱线增宽效应。指出材料阱层的组分涨落是激子谱线非均匀增宽的主要来源,而由流体力学性质决定的涨落,在组分张落中起着非常重要的作用。     

ZnSe基量子阱的低压MOCVD生长及性能表征

用低压－金属有机化学气相沉积（ＬＰＭＯＣＶＤ）方法生长了ＺｎＣｄＳｅＺｎＳｅ和ＺｎＴｅＳｅＺｎＳｅ多量子阱（ＭＱＷｓ）。在生长室压力３８ｔｏｒ（５×１０３Ｐａ），衬底面积１９×２０ｍｍ２的ＧａＡｓ衬底上，生长１００周期的ＺｎＣｄＳｅＺｎＳｅＭＱＷｓ，经扫描电镜测量，生长不均匀性仅小于１０％。随生长压强增大，生长不均匀性也增大。在相同条件下生长１０周期的ＺｎＣｄＳｅＺｎＳｅ和ＺｎＴｅＳｅＺｎＳｅＭＱＷＳ，在Ｘ射线衍射谱上分别可观测到０，１级和０，１，２级卫星峰，随生长周期增加，其特性越明显。在生长５０周期的ＺｎＴｅＳｅＺｎＳｅＭＱＷＳｓ中可观测到０，１，２，３级卫星峰。在７７Ｋ，脉冲Ｎ２激光器激发的ＺｎＴｅＳＥＺｎＳｅＭＱＷｓ中观测到了起因于激子的受激发射。