高激发密度下ZnCdTe—ZnTe多量子阱的受激发射性质

本文报导了ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱的受激发射性质，通过改变激光发光强度，并在不同的方向接收样品的光发射，将所得的样品的光发射谱进行了分析得出结论，认为该材料的受激发射过程就是ｎ＝１重空穴激子参与的一系列过程。     

II-VI多量子阱中局域化激子的受激发射

通过对ＺｎｘＣｄ１－ｘＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱样品的光泵受激发射研究讨论了材料中激子局域态对受激发射激子过程以及受激发射特性的影响。两块不同组份和不同局域态密度的ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱样品受激发射过程都是ｎ＝１重空穴激子参与的一系列过程，但在Ｚｎ０．６７Ｃｄ０．３３Ｔｅ－ＺｎＴｅ中发现了激子－激子散射的受激发射过程，而在Ｚｎ０．７８Ｃｄ０．２２Ｔｅ－ＺｎＴｅ中没有发现这一受激发射的激子过程。ｘ＝０．６７的样品中具有较高的局域化激子密度，其受激发射具有较高的阈值。     

平流层飞艇轨迹跟踪控制设计

基于轨迹线性化控制（TLC）理论提出了一种全驱动平流层飞艇轨迹跟踪控制设计的新方法.该方法由期望姿态生成、运动学控制和动力学控制3部分组成.首先利用期望轨迹的Frenet标架构造期望的艇体坐标系,导出期望姿态的计算公式;然后将系统运动学部分按照移动和转动分解,动力学部分按纵向与横向分解,将整个系统划分为4个回路,并分别用TLC理论进行控制设计,避免了设计时对全系统求逆的困难;最后给出了控制方法的计算步骤和平流层飞艇跟踪典型轨迹的仿真结果,结果验证了所提出方法的可行性.     

AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结能带分裂特性

通过低温强磁场下的磁输运实验，研究了AlxGa1-xN／GaN调制掺杂异质结构二维电子气(2DEG)的能带分裂性质。1．4K温度下测量的磁阻曲线当磁场强度大于5．4T时观察到的明显对应于第一子带的自旋分裂现象。用Dingle作图法得到本样品rq的大小为0．17ps。结果表明，本实验所用的调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构具有较大的有效g因子g‘‘。用高2DEG浓度导致的交换相互作用加强解释了g‘‘增强效应。在磁阻测量中改变磁场方向，自旋分裂现象表现出各向异性。用异质结构界面处强的极化电场解释了自旋分裂的各向异性。     

BIM技术在钢筋工程方面的应用

针对BIM技术在全生命周期的应用,结合施工方面的重难点,系统的分析现场钢筋在施工、深化、算量、碰撞等方面的应用。对现场架体、模板、机电和钢筋之间的交叉施工节点可视化交接。通过节点碰撞,调整钢筋、模板和钢结构等使钢筋能有序穿插施工。并且能自动生成翻样表,重量统计表,套筒明细表。如此不仅可为每道工序留出大量的工作面,保证现场有序进行,还能保证限额领料,从而控制成本。     

金属/n型AlGaN欧姆接触

用传输线模型对n型AlGaN(n-AlGaN)上Au/Pt/Al/Ti多金属层欧姆接触进行了接触电阻率的测量.在850℃退火5min后,测得欧姆接触电阻率达1.6×10-4Ω·cm2.经X射线衍射分析,Au/Pt/Al/Ti/n-AlGaN界面固相反应得出在500℃以上退火过程中,AlGaN层中N原子向外扩散,在AlGaN表面附近形成n型重掺杂层,导致欧姆接触电阻率下降;随退火温度的升高,N原子外扩散加剧,到800℃以上退火在Au/Pt/Al/Ti/n-AlGaN界面形成Ti2N相,导致欧姆接触电阻率进一步下降.     

非完整移动机器人全局路径跟踪控制

根据制导路径跟踪理论,提出了一种非完整移动机器人全局路径跟踪控制方法.这一方法首先在路径坐标系上计算实际位置与期望位置的误差,利用制导的路径跟踪理论,导出消除该误差所需的姿态角和路径参数更新律,然后据此求解角速度及实际控制.文中还给出了初始路径参考点的计算方法,分析了路径跟踪方向和反转方法.稳定性分析证明该方法没有控制奇异点,受控闭环系统全局一致渐近稳定.最后通过移动机器人典型路径跟踪实验验证了所提出方法的可行性.     

调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中AlxGa1-xN势垒层表面态及其他局域态性质研究

通过测量调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结样品的变频电容-电压(C-V)特性,对Al0.22Ga0.78N势垒层表面态的性质进行了研究.结果发现在小偏压下,样品的电容随着测量信号频率的增加而下降,说明势垒层中存在表面态.实验数据分析表明:表面态密度约为1013cm-2量级,表面态的时间常数比势垒层中其他局域态大.随着空间隔离层厚度的增加,势垒层中其他局域态密度随之增加.在金属电极和Al0.22Ga0.78N势垒层之间加入Si3N4绝缘层可以对表面态起到显著的钝化作用,使表面态密度降为～1012cm-2量级.     

调制掺杂AlxGa1-xN/GaN异质结中AlxGa1-xN势垒层表面态及其他局域态性质研究

通过测量调制掺杂Al0.22Ga0.78N／GaN异质结样品的变频电容-电压(C-V)特性，对Al0.22Ga0.78N势垒层表面态的性质进行了研究．结果发现在小偏压下，样品的电容随着测量信号频率的增加而下降，说明势垒层中存在表面态．实验数据分析表明：表面态密度约为10^13cm^-2量级，表面态的时间常数比势垒层中其他局域态大．随着空间隔离层厚度的增加，势垒层中其他局域态密度随之增加．在金属电极和Al0.22Ga0.78N势垒层之间加入Si3N4绝缘层可以对表面态起到显的钝化作用，使表面态密度降为～10^12cm^-2量级．     

调制掺杂AlGaN/GaN异质结上的Pt肖特基接触

研究了调制掺杂 Alx Ga1 - x N/Ga N表面 Pt肖特基接触的制备工艺 ,并对其进行了 I-V测量。通过改变对样品表面的处理工艺 ,研究了表面处理对调制掺杂 Alx Ga1 - x N/Ga N表面 Pt肖特基结接触特性的影响 ,在 n型掺杂浓度为 7.5× 1 0 1 7cm- 3的 Al0 .2 2 Ga0 .78N样品表面 ,制备得到了势垒高度为 0 .94e V、理想因子为 1 .4的 Pt肖特基接触。这与国外报道的结果接近 (=1 .2 e V,n=1 .1 1 [1 ] )