AlGaN/GaN HEMT结构热时间常数谱提取方法的研究

利用电学法对AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMTs)有源区瞬态温升进行测量.利用非参数拟合算法—局部加权回归散点平滑法(LOWESS)对原始测量数据进行平滑去噪处理,进而得到热时间常数谱,分析AlGaN/GaN HEMTs热传导路径物理结构。与传统平滑去噪方法—多阶指数拟合相比,通过LOWESS算法得到的热时间常数谱更丰富,得到RC网络更多,进而热传导路径结构分析更精细。结果表明,LOWESS非参数拟合算法能够更好的去除测量数据噪声,保留原始离散数据细微的变化趋势。通过该方法所提取的热时间常数谱能描述AlGaN/GaN HEMTs有源区温度细微变化,帮助研究人员精确分析热传导路径层次构成。     

铝电解工业中全氟碳化物排放

近年来,铝电解技术与设备取得很大进步,目前环保节能成为铝电解技术发展的主题。铝电解过程中发生阳极效应不但耗费电能,而且排放大量高温室潜势气体CF4、C2F6。面对这一现实,全球各电解铝企业都在不断做出努力,从1990年到2008年每吨铝的PFCs排放物减少量超过86%。本文主要概述了铝电解过程中PFCs的排放现状以及估算方法,并综述了近年来世界上关于CF4和C2F6产生机理的研究。     

FPGA工作温升与运行程序的关系

现场可编程门阵列(FPGA)的低成本和高度灵活性,使其在嵌入式系统中占据了重要的地位。FPGA的工作温升与运行程序有很强的依赖关系。主要研究了时钟频率和资源利用率两个方面对FPGA工作温升的影响,分别利用红外热像仪和K型热电偶测量了FPGA在真空和大气中的工作温升。采用锁相环(PLL)进行倍频产生8组输出频率进行时钟测量。资源利用率主要通过控制逻辑单元的数目来实现。最后采用阿尔特拉(Altera)公司的Power Play EPE软件对FPGA在不同情况下的功耗进行了估算。通过对实验结果的分析和比较,发现随着时钟频率增加,FPGA表面温度不断增大;随着资源利用率(逻辑单元数目)的增加,温度也随之增长。通过EPE软件估算出功耗与时钟频率、逻辑单元的数目均成正比例关系。     

铝电解槽极间电压组成及实时测量

探讨了电解槽电压的组成及降低槽电压的途径,同时开发了一种实时测量方法及设备来测量铝电解槽槽电压组成,为降低槽电压和控制电解槽热平衡提供重要的数据基础．实验室和工业现场测试表明,该设备可准确地测量出电解槽的各部分电压组成和极距,为电解槽精确化控制和操作提供了可靠的技术支持．     

铝电解槽极间电压组成及实时测量

探讨了电解槽电压的组成及降低槽电压的途径,同时开发了一种实时测量方法及设备来测量铝电解槽槽电压组成,为降低槽电压和控制电解槽热平衡提供重要的数据基础.实验室和工业现场测试表明,该设备可准确地测量出电解槽的各部分电压组成和极距,为电解槽精确化控制和操作提供了可靠的技术支持.