红外除湿机的机理,性能及其应用

本文介绍一种新型的具有红外辐射作用的除湿机，叙述了其机理，性能及应用，这种红外除湿机具有除湿能力强、运行可靠、造价低、使用寿命长的优点，而且可实现无噪声运转和不产生尘埃，并可节省能源、维护方便及具有先进的控制系统，适于在地下建筑及南方潮湿地区使用。     

东昆仑南部带磷灰石裂变径迹分析的地质意义

通过东昆仑南部带出露的上二叠统地层磷灰石裂变径迹分析,研究区内的构造演化特征。南北向剖面中4个砂岩样品的年龄为(48±3)—(89±8)Ma,径迹长度为(10.7±2.3)—(10.8±2.2)μm。裂变径迹年龄是区内逆冲演化的反映,长度分布体现了在退火带持续较长以及受隆升控制的特点。总体上具有3阶段热演化历史,约107Ma前后发生一次较为快速的冷却隆升作用,继之于约80Ma开始出现相对平静期,然后在6—12Ma进入快速冷却期,冷却速率为5.3—9.8℃/Ma或者106—196m/Ma。     

内蒙古新城子火山盆地遥感解译及铀成矿预测

内蒙古新城子火山盆地位于大兴安岭南端及扎兰屯火山岩型铀成矿远景带南端,盆地内中生代火山活动频繁且强烈,主要发育火山岩型铀矿。笔者利用Landsat ETM及高分一号遥感数据,对研究区进行了系统构造解译及蚀变信息提取,结合已有地质资料,初步确定了研究区以NE、NW、近EW、近NS向4组线性构造为构造格架。最终根据构造、铀矿化、遥感蚀变等信息圈定3处找矿远景区,期望为该区下一步铀矿地质找矿工作提供依据。     

硝酸纤维素固体径迹探测器的蚀刻行为

用径迹直径法测定富士膜的灵敏度,测定5.15MeV α粒子径迹蚀刻曲线起始部分的斜率d_5和1MeV α粒子径迹蚀刻曲线的斜率d_1,按下式计算V_t/V_g:V_t/V_g=[1 (d_5/d_1)~2]/[1-(d_5/d_1)~2]。用目镜测微计测量α粒子径迹直径,用最小二乘法计算蚀刻曲线斜率。实验结果如下。     

基于PIND声音脉冲分类的航天继电器多余物特征识别方法的研究

多余物的存在导致继电器可靠性下降,是困扰航天继电器发展的关键问题。传统多余物PIND(微粒碰撞噪声检测)方法主要依靠人的肉眼观察和耳听判断多余物的有无,无法对多余物微粒的材质信息作出分析判断,而获得多余物微粒材料特征对继电器设计人员和生产人员控制多余物的产生有很大的帮助。本文对PIND试验输出声音脉冲的包络进行分析,使用径向基函数(RBF)神经网络对脉冲自动分类,实现将多余物分为金属、非金属两类,并通过实际继电器检测验证了该方法的有效性。     

河北下营坊金矿成矿时代的裂变径迹研究有

矿物的裂变径迹年年龄分析可有效用扫热液矿床成矿时代的研究，河北下营坊金矿区成矿温度为：早期矿化３７０－２９０℃，主要成矿期２３０－１７０℃，成矿晚期１５０－８０℃，石英－绢云母化带锆石和磷灰石的裂变径亦年龄分别为１５３．９Ｍａ和１０３．３Ｍａ。由于锆石和磷灰石裂变径迹封闭温度通常分别为２５０℃和１１０℃，所以这是主要成矿时代的体现，成矿时间持续５０Ｍａ以上。     

树立科学发展观推进轻工企业信息化--在中国轻工业企业信息化发展大会上的工作报告

对轻工企业信息化的现状和推进情况进行了分析和总结,提出了总体发展思路和近期工作任务.     

介绍FD－1000W风力发电机的结构特点

文章详细介绍了ＦＤ－１０００Ｗ风力发电机的结构特点。风力机的转速控制，采取可调整偏心距的侧偏式结构瓜轮采用定桨距固定桨叶形式；折尾式的尾舵与尾舵杆之间采用铰链和扭簧连接方式。该风力机具有制造成本低、使用寿命长、维护负担少、运行安全可靠等特点。     

福建漳州复式岩体中晶洞石榴子石的裂变径迹研究

对福建漳州复式岩体中晶洞石榴子石的裂变径迹定年进行了可行性研究，经测定确认其为含锰量甚高的锰铝榴石，铀浓度变化范围为０．２－１．８μｇ／ｇ，裂变径迹年龄为７３．４±２．１Ｍａ，诱发裂变径迹和自发理解变径变迹的长度分别为１１．５±０．７μｍ和１１．０±０．８μｍ。     

粉末法制备太阳能电池Cu2ZSnS4薄膜吸收层

使用感应熔炼法制备Cu-Zn-Sn合金,并利用单辊甩带制备连续均匀的Cu-Zn-Sn合金薄带.球磨Cu-Zn-Sn合金薄带后和硫粉混合制成粉末前驱体,再将粉末前驱体涂敷在钠钙玻璃基体上在H2 S(g)和N2 S(g)气氛中退火,得到太阳能电池薄膜吸收层用材Cu2ZnSnS4.利用X.射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDS)对Cu-Zn-Sn合金薄带及Cu2ZnSnS4薄膜进行分析和表征,并利用可见光.紫外分光光度计测量Cu2ZnSnS4薄膜的吸收率和透光率.结果表明:使用单辊甩带法可以制备出成分均匀的脆性合金薄带,薄带厚度为6～10 μm.在N2 S(g)气氛下400℃退火后可制成比较纯净的具有锌黄锡矿结构的Cu2ZnSnS4薄膜,其禁带宽度为1.61 eV.