固相法合成Ag(Nb0.8Ta0.2)O3的研究

以不同固相合成工艺制备了Ag（Nb0．8Ta0．2）O3粉末，并对其压片烧结后样品的XRD和SEM图进行了分析，对成瓷性较好的样品的介电性能进行了测试．结果表明：不同工艺均可合成具有钙钛矿结构的Ag（Nb0.8Ta0．2）O3（ANT）样品，但对样品成瓷性影响很大．通过先将Nb2O5、Ta2O5在1200℃煅烧，然后再同Ag2O反应生成Ag（Nb0．8Ta0．2）O3的合成工艺，在较低的烧结温度下，就可烧制成粒径均匀、致密的陶瓷，相比其他工艺合成的样品，其介电常数（ε）得到了提高，介电损耗（tanδ）变小，为最佳合成工艺．     

一种超低功耗、容错的静态随机存储器设计

为了减轻辐射环境中静态随机存储器（SRAM）受单粒子翻转（SEU）的影响以及解决低功耗和稳定性的问题,采用TSMC 90nm工艺,设计了一款可应用于辐射环境中的超低功耗容错静态随机存储器。该SRAM基于双互锁存储单元（DICE）结构,以同步逻辑实现并具有1KB（1K×8b）的容量,每根位线上有128个标准存储单元,同时具有抗SEU特性,提高并保持了SRAM在亚阈值状态下的低功耗以及工作的稳定性。介绍了这种SRAM存储单元的电路设计及其功能仿真,当电源电压VDD为0.3V时,该SRAM工作频率最大可达到2.7MHz,此时功耗仅为0.35μW;而当VDD为1V时,最大工作频率为58.2MHz,功耗为83.22μW。     

高精度高比容独石电容器用瓷料研究及其介电常数的计算

首先利用蒙特卡罗有限元法在分析陶瓷材料内电场分布的基础上 ,对微粒混合陶瓷材料的介电常数与各成分含量及其介电常数之间的关系进行了探讨。研究表明 ,由于介质极化的原因 ,在陶瓷材料内部 ,等势线的分布将主要集中于低介电常数成分所占的区域 ,并且 ,微粒混合陶瓷材料各成分的含量及其介电常数都会对陶瓷材料内电场的分布产生重要影响 ,并使陶瓷材料的宏观介电常数发生变化。当陶瓷材料中含有与其他成分介电常数差别相当大的成分时 ,利用蒙特卡罗有限元法可获得较其他传统方法更为准确的结果系统地研究了钡钛钕系统陶瓷的介电性能。研究结果表明 ,Ba Ti O3中掺入极少量的 Nd2 O3(例如摩尔分数 x为 0 .1% )时 ,材料呈半导性 ,电阻率呈明显的 PTCR效应。Ba Ti O3中掺入少量的 Nd2 O3(x≥ 0 .2 % )时 ,材料呈绝缘性 ,且随着 Nd2 O3掺入量的增加 ,材料的平均晶粒尺寸不断减小 ,居里峰向负温方向移动 ,居里峰不断降低。Ba Ti O3中掺入少量 Nd2 O3· 2 Ti O2时 ,随着掺入量的增加 ,居里峰向负温方向移动 ,晶粒尺寸不断增大 ;Ba Ti O3中掺入较多的 Nd2 O3· 2 Ti O2 时 ,随着掺入量的增加 ,介电常数不断减小 ,介电常数的温度特性曲线的非线性程度不断减小 ,并且 ,当 Ba Ti O3与 Nd2 O3· 2 Ti O2 的摩尔比?     

The microstructure and properties of Ag(Nb0.8Ta0.2)1−x (Mn0.5W0.5) x O3 ceramic system

The microstructure and dielectric properties of Ag(Nb0.8Ta0.2)1-x(Mn0.5W0.5)xO3(x=0,0.04,0.08,0.12,0.16) ceramic system were investigated.The Ag(Nb0.8Ta0.2)1-x(Mn0.5W0.5)xO3 ceramics were prepared by the traditional solid-state reaction method and were characterized by X-ray diffraction(XRD),scanning electron microscopy(SEM) and Raman spectrometer.The sintering ability and dielectric properties of Ag(Nb0.8Ta0.2)1-x(Mn0.5W0.5)xO3 were found to be improved with the doping of Mn4+ and W6+ ions.The densification temperature of Ag(Nb0.8Ta0.2)1-x(Mn0.5W0.5)xO3 ceramics decreased from 1 080 ℃ to 1 000 ℃ when x increased from 0 to 0.16.Ag(Nb0.8Ta0.2)1-x(Mn0.5W0.5)xO3 ceramic was found to have the best dielectric properties when x=0.08,larger permittivity(■=547) and smaller dielectric loss(tan■=0.00156).     

应用于无源RFID标签的BICMOS温度传感器

基于IBM 0.18μm SiGe BICMOS工艺,采用温度脉冲转换方式设计了一种应用于无源RFID标签的温度传感器。与绝对温度呈正比(PTAT)的电流源和电流饥饿环型振荡器产生频率与温度呈正相关的振荡信号,作为计数器的时钟信号;用数字模块对接收的帧头代码进行处理得到一个宽度为200μs的脉冲信号,作为计数器的使能信号;利用时域数字量化方式就可以得到不同温度下的数字信号。温度传感器总面积为0.03 mm2,温度在-100~120℃范围内变化时,振荡器输出频率范围由800 kHz~1.8 MHz。在1.8 V电源电压下,温度传感器平均输出电流约为13μA,芯片测试结果的有效分辨率可以达到0.864 LSB/℃。     

复合钙钛矿型介质陶瓷材料的研究进展

将复合钙钛矿型介质陶瓷材料分成铅系和无铅系两大类,分别讨论了它们的研究进展,结果表明:采用高活性原料及两步固相合成法、湿化学等方法制备铅系复合钙钛矿材料,可以有效抑制铅挥发及杂相的出现,得到单相钙钛矿相;无铅型复合钙钛矿材料性能主要由不同的A或B位离子复合决定,并通过采用湿化学方法得到改善。目前,纳米级钙钛矿陶瓷材料的制备和研究正引起越来越多人的兴趣。     

钽铌酸银钠陶瓷粉体的液相合成

对液相法合成钽铌酸银钠的纳米粉体进行了研究。实验表明 ,利用自制 Nb5+和 Ta5+柠檬酸盐溶液 ,在一定条件下成功地制备出具有单一物相的钽铌酸银钠粉体。该粉体颗粒细小均匀 ,颗粒尺寸为在 30～ 4 0 nm。以此粉体制备的陶瓷介质具有优良的介电性能 ,1MHz下介电常数高达 5 2 0 ,介电损耗约为 9.0× 10 - 4。     

纳米ZnFe2O4的制备及研究

以Fe2(SO4)3、ZnSO4·7H2O为主要原料通过水热合成法制得了纳米ZnFe2O4超细粉末,利用X-射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、红外光谱(IR)和VBH-55样品磁强计(VSM)等手段对样品进行了表征,结果表明水热法制备的纳米ZnFe2O4颗粒,大小均匀(7～10 nm),无团聚;磁性能测试表明该纳米ZnFe2O4具有亚铁磁性,并对其机理进行了探讨.     

ALA-PDT破坏K562和HL60白血病细胞实验条件选择的研究

目的研究在5 -氨基乙酰丙酸( 5 -aminolaevulinicacid ,ALA)介导的光动力疗法(PDT)灭活K5 62和HL60白血病细胞株的实验中,光敏剂的浓度、暗室孵育时间、光源波长及ALA -PDT后继续培养对细胞存活率的影响。方法用不同浓度( 0 .5、1、1.5、2mmol/L)的ALA避光孵育细胞不同时间( 1、2、4、6、12h) ,给予不同波长( 4 10、5 77nm)光源照射后,即刻处理或继续培养,采用MTT法检测细胞存活率。结果ALA 光照能对白血病细胞产生灭活作用。细胞存活率随ALA浓度的增加而降低,在细胞密度为2×10 5个/ml,ALA浓度2mmol/L ,暗室孵育4h细胞存活率最低,光源波长为410nm时细胞存活率低于偏离此波长时的存活率。PDT后2 4hK5 62细胞的存活率较PDT后即刻的升高,而HL60则进一步降低,ALA -PDT对正常外周血单个核细胞及外周血干细胞存活率影响不大。结论ALA -PDT能够灭活K5 62和HL60白血病细胞。较理想的实验条件是2mmol/LALA避光孵育2×10 5/ml细胞,4h、光源波长410nm ,PDT后2 4h。在此条件下,K5 62细胞对PDT的反应不如HL60细胞敏感,对PBMC无灭活作用,对外周血造血干细胞影响较小。     

Nd2Ti2O7-BaTiO3-TiO2系陶瓷的相结构和介电性能研究

对Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７－ＢａＴｉＯ３－ＴｉＯ２系陶瓷的相结构和介电性能进行了研究。研究结果表明：少量Ｎｄ２Ｔｉ２Ｏ７（ＮＴ）掺杂到,ＢａＴｉＯ３（ＢＴ）中后形成铁电固溶体材料,其Ｃｕｒｉｅ温度随ＮＴ含量的增加向负温方向移动,同时,材料的晶粒尺寸不断增大;在ＮＴ－ＢＴ－ＴｉＯ２三元系统中,当ＢＴ含量低于６０％（质量分数）时,调整三者的配比,可使烧结后生成的ＢａＮｄ２Ｔｉ５Ｏ１４,Ｂａ２Ｔｉ９Ｏ２０,Ｎｄ